BaCuO2-δ含量对GdBaCuO超导块材结构和磁浮力性能的影响

采用Nd-Ba-Cu-Mg-O冷籽晶和熔融织构生长工艺,在空气气氛下制备出GdBaCuO单畴块材,并通过流通氧气气氛退火处理获得超导样品。研究了前驱粉末中不同BaCuO2-δ含量对GdBaCuO前驱粉末熔化温度、块材生长及超导磁浮力性能的影响。结果表明,GdBaCuO前驱粉末的熔点随着BaCuO2-δ添加量的增加而降低。前驱粉末中BaCuO2-δ的添加量为0～0.5mol时,GdBaCuO块材均能生长成表面没有宏观裂纹、尺寸为Ф17mm的单畴,而BaCuO2-δ添加量为0.2mol时,样品的磁浮力性能最高,最大磁浮力密度达到12N/cm2(77K)。     

Al2O3和Y2O3包覆的SiC复合粒子制备

本文利用非均匀成核法,将Ａｌ（ＯＨ）３和Ｙ（ＯＨ）３均匀地包覆在ＳｉＣ粒子表面,制备出被覆Ａｌ２Ｏ３和Ｙ２Ｏ的ＳｉＣ复合粒子,包覆Ａｌ（ＯＨ）３的ＳｉＣ粒子,其等电点ＩＥＰ的ｐＨ＝３．４移至ｐＨ＝７．３,再用Ｙ（ＯＨ）３包覆表面被覆Ａｌ（ＯＨ）３的ＳｉＣ复合粒子后,其等电点ＩＥＰ又从ｐＨ＝７．３移至ｐＨ＝８．６ｄａｄｋ。     

Y2O3和ZnO共掺杂对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响

研究了Y2O3和ZnO共掺杂对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响.XRD分析表明,Y2O2和ZnO促使BaTiO3的晶体结构由四方相转变为赝立方相;在此系统中Y2O3的固溶度低于1.5mol%,而ZnO的固溶度约3.0mol%.SEM显示Y2O3比ZnO更能有效地改善微观结构,其显著的晶粒抑制作用归因于分散于晶界的第二相Y2Ti2O7对晶粒生长的钉扎作用.适量Y2O3和ZnO的协同作用有助于形成壳-芯结构,并显著改善BaTiO3陶瓷的介电温度稳定性.在BaTiO3-Y2O3-ZnO新体系中获得符合X7R的高性能抗还原介质.     

纳米Y2O3:Eu3+粉体荧光强度的增强

本文采用化学合成手段制备了不同粒径和Ey3＋掺杂浓度的纳米Y2O3：Eu3＋粉体，并采用包膜的方法对纳米粉体进行表面处理．通过对荧光性能的研究，发现纳米Y2O3：Eu3＋粉体的激活剂临界浓度明显提高，并导致材料的荧光强度明显增强．另外，经包膜处理的纳米Y2O3：Eu3＋粉体，由于有效地消除了表面悬空键，荧光强度获得进一步提高     

Analyses of the Pinning Mechanism for the Superconductor/Normal-Metal and Superconductor/Superconductor Multilayers

The vortex pinning force of superconductor(S)/normal-metal(N) multilayers, Nb/Ti and Nb_100−x Ti _x /Ti, and superconductor(S)/superconductor(S′) multilayers, Nb_100−x Ti _x /Nb and Nb₂₈Ti₇₂/Nb₆₅Ti₃₅, has been studied as a function of the layer thickness d for various compositions of x. The transverse pinning force density F _{p ⊥} acting perpendicular to the layer planes makes a peak around d∼ 2ξ_GL (ξ_GL: the GL coherence length) for both the S/N and S/S′ multilayers, where they exhibit the quasi-two-dimensional superconductivity. In contrast, the longitudinal pinning force density F _p‖ acting parallel to the layer plane hardly depends on d. The pinning mechanism inherent in the layered structure has been analyzed based on the GL free energy, which clarified that the effective pinning force due to the multilayer structure originates from the difference in the potential energy for the S/N multilayer and from the difference in the kinetic energy for the S/S′ multilayer between the constituent layers. The d dependence of the F _{p ⊥}, however, has been found to be qualitatively similar for the S/N and S/S′ multilayers.     

不同热处理制度对NbTiTa超导线材性能的影响

通过调整超导线材的最终附加应变、时效热处理时间和时效热处理温度3个参数来提高NbTiTa超导线材的J_c性能.在法国国家高场实验室通过标准四引线法,在4.2K、0～11T的磁场中测量了线材的临界电流.结果表明,适度升高时效热处理温度、延长时效热处理时间、增加最终附加应变,有益于提高NbTiTa超导线材的临界电流密度.经4次时效热处理385~C×(40～70)h,最终附加应变从2.5增加到3.5,Φ1.25mm超导线材的J_c在4.2K、8T下达到777A/nm~2,与国外文献报道的J_c值相当.     

TiO2对Y掺杂PTCR陶瓷材料性能的影响

本文对ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒状况和纯度对Ｙ＾３＋掺杂ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣＲ材料的显微结构、电性能的影响作了探讨，结果表明，ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到ＰＴＣＲ陶瓷的显微结构，ＴｉＯ２原料的晶型对ＰＴＣＲ陶瓷半导化过程有影响，原料存在杂质和团聚，将使ＰＴＣＲ陶瓷的电阻－温度特性变差。     

SiO2纳米壳的厚度对羰基铁/SiO2核壳复合粒子的性能影响

以聚乙烯毗咯烷酮作表面改性剂，用溶胶-凝胶法，通过控制反应时间，在羰基铁粒子表面均匀快速地包覆不同厚度的SiO2纳米壳层，并研究了SiO2纳米壳层厚度对羰基铁／SiO2核壳复合粒子的抗热氧化性能、静磁性能、微波介电常数和吸波性能的影响．结果表明：增加SiO2纳米壳层的厚度，羰基铁／SiO2核壳复合粒子的抗热氧化能力提高，比饱和磁化强度出现最大值，矫顽力和剩余磁化强度出现最小值，微波介电常数单调降低；用其制备的吸波涂层材料在壳层厚度为15nm时，反射损耗≤-8dB的带宽达到最大值，超过10GHz，     

纳米ZnO对纳米ZrO2(8Y)致密特性及电导率影响研究

采用纳米ZrO2(8Y)粉和纳米ZnO粉为原料,对掺少量ZnO的ZrO2(8Y)进行无压烧结研究.实验结果表明,掺少量的ZnO能促进ZrO2与Y2O3的反应,加快四方相向立方相的转变,样品致密度和电导率显著提高.掺0.5wt％ZnO样品在1200℃煅烧2h的陶瓷致密度为94％,700℃时的电导率为9.02×10-3cm-1·Ω-1.     

不同粒径Gd2Ba4CuNbOy纳米粒子掺杂对GdBCO块材性能的影响

采用顶部籽晶熔融织构方法（TSMTG）成功制备出掺杂不同粒径Gd_2Ba_4CuNbO_（？）纳米粒子的单畴GdBCO超导块材,研究其对超导块材的生长形貌和磁悬浮力的影响,结果表明,在该条件下制备出的单畴GdBCO超导块材样品上表面十字花纹明显,且四个单畴扇区光滑平整;样品的磁悬浮力随着Gd_2Ba_4CuNbO_y粒径的增大有逐渐减小的趋势,当过筛目数n=360目时,样品的磁悬浮力最大,约25N;利用环境扫描电子显微镜技术（SEM）观察了样品的微观形貌,结果显示,随着掺杂粉体过筛目数的减小,样品中Gd_2Ba_4Cu NbO_y纳米粒子的分布越来越均匀且粒径逐渐增大。实验结果对进一步提高GdBCO超导块材的性能具有重要的借鉴作用     

添加Ta2O5对MnZn功率铁氧体性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究了不同Ta₂O₅含量对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响. 结果表明：少量Ta₂O₅的加入可以使铁氧体烧结样品的晶粒尺寸增大,气孔率下降,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率升高,损耗降低. 而加入过多的Ta₂O₅会导致异常晶粒长大,气孔率升高,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率降低,损耗增大. 当Ta₂O₅含量为0.04wt%时,铁氧体烧结样品的晶粒尺寸大小均匀,气孔率最低,起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率达到最大值,损耗最低.