RRAM的阻变特性研究

阻变存储器（RRAM）是一种基于阻值变化来记录存储数据信息的非易失性存储器（NVM）,RRAM具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低等诸多优点,因而受到广泛关注。主要从三方面论述 RRAM的阻变特性。     

几种新型非易失存储器的原理及发展趋势

介绍几种有发展潜力的新型非易失存储器的原理,如铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器等,并在性能方面作了对比,最后对存在的问题和发展趋势进行了分析。     

忆阻器存储研究与展望

随着信息呈现爆炸式增长,而CMOS的工艺尺寸逐步接近其理论极限尺寸,新型纳米级存储器件的需求日趋迫切.忆阻器被认为具有替代动态随机存储器,适应海量存储的巨大潜力.在综述忆阻器与忆阻系统概念的产生与发展的基础上,讨论忆阻器作为存储单元的特性,综述了忆阻器的阻变存储结构以及相对应的读写方法.在总结分析目前研究存在问题的基础上,探讨了今后的研究方向.     

忆阻器阻变机制及其材料研究进展

忆阻器可以将信息存储和逻辑运算整合到一个电子器件上,这将打破传统的冯·诺依曼计算机架构,其应用前景不可估量.首先简述了忆阻器的发展历程及其基本概念;其次综述了忆阻器的阻变机制及其材料的选择,将目前已知的阻变机制主要概括为3类,即阴离子阻变机制、阳离子阻变机制和纯电子机制,同时详细叙述了不同类型材料在忆阻器应用中的特点;...     

箔式镱大压力传感器的设计与制作

镱材料具有压阻特性,其压阻系数比锰铜、碳等压阻材料要高得多.本文介绍了利用这一特性设计制作的箔式镱大压力传感器,并介绍了其工作原理和设计制作中的关键要点,以及在工艺上需解决的关键问题.     

MOA带电测量相间干扰实例分析

带电测量金属氧化物避雷器持续电流具有停电测量无可比拟的优势,但周围带电设备对测量结果的影响是带电测量方式最大的缺点.本实例以最普遍存在的"一"字排列方式的金属氧化物避雷器为主,对在各种外界干扰环境下的运行MOA进行了现场研究和分析,得出在各种情况下其持续电流受干扰的误差特性,指出在带电测量的情况下,由于周围环境的干扰,要测得准确的持续电流的阻性分量是不可能的,带电测量的关键是能确定出阻性分量的增量.     

金属氧化物半导体气敏材料的研究进展

金属氧化物是重要的半导体材料,具有较好的气敏特性,作为气敏材料被广泛应用。本文较系统地对金属氧化物气敏材料的研究现状作了阐述,重点介绍了复合氧化物气敏材料的研究状况,并对其气敏性质进行了概述。展望了金属氧化物半导体气敏材料今后的研究重点及发展方向。     

可食性淀粉膜制备材料与工艺的研究

本试验对可食性淀粉膜的制备材料选择、工艺条件及膜的应用进行了研究。结果表明：以玉米原淀粉为成膜主体，配以甘油（增塑剂）和羧甲基纤维素钠（增强剂），在８０￣８５℃烘干１ｈ左右，即可得到比较理想的可食性淀粉膜。应用实验表明，这种膜具有良好的阻湿性与阻气性。     

国际光存储研讨会(ISOS 2008)会议纪实(2)

二、新型存储材料和存储器本次会议还对光存储中的新型存储材料、新型存储器以及新型磁存储技术进行回顾,包括相变材料、光致变色材料、有机材料和相变随机存储器、电阻随机存储器等。     

可与硅栅增强/耗尽型 MOS LSI 相容的最小面积只读存储器(ROM)结构

一种新型具有最小面积的只读存储器(ROM)已经研制出来。级间使用无比线路,其工艺过程可与使用耗尽型负载的硅栅金属氧化物半导体(MOS)大规模集成(LSI)相容。新型 ROM存储单元的内容由选择 MOS 管的阈值方式决定,或者用增强型或者用耗尽型。和一般的 ROM结构的差别在于后者存储单元内容是由栅氧化层的厚度来区分的。ROM 每单元的尺寸仅196μm~2,它较一般的硅栅 ROM 减小45％。     

金属氧化物气敏元件稳定性的研究进展

金属氧化物气敏元件性能的不稳定制约了元件的实用化进程,气敏元件稳定性的研究成为气体传感器技术中的一项重要内容。概述了金属氧化物气敏元件稳定性的研究进展,介绍了敏感材料、敏感材料的制备工艺、载体材料、加热/测量电极等因素对稳定性的影响。分析了各种影响因素的作用机理,并对其研究前景进行了展望。     

Co-Mn系热敏材料的电性能研究

本文介绍了Ｃｏ－Ｍｎ过渡金属氧化物在一定的烧成温度下，不同的配方与电阻率和Ｂ值之间的关系，研究了淬火温度对热敏材料的电阻率与Ｂ值的影响，测试Ｃｏ－Ｍｎ热敏电阻器的阻－温特性，伏安特性，并进行了讨论。     

飞秒激光制备基于 Ge2Sb2 － xBixTe5(x ＝ 0, 0.2)材料忆阻器的研究

忆阻器作为除电阻、电容、电感外的第四种电路元件,具有非易失性的记忆特征,有望成为 类脑计算电路的基础元件。相对于传统互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,其在开关性能和工艺尺寸等方面仍需进一步提升。Ge2Sb2－xBixTe5(x＝0, 0.2)材料在热效应下可进行可逆相变,也可在飞秒激光处 理下进行结晶。该文提出基于 Ge2Sb2－xBixTe5(x＝0, 0.2)一维纳米线结构的忆阻器,为实现高性能与高集 成度的类脑电路提供了基础。首先,利用 X 射线衍射分析、拉曼散射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、霍尔效应测试等技术对 Ge2Sb2－xBixTe5(x＝0, 0.2)材料进行了分析。结果显示,少量铋(Bi)元素的掺 杂可以降低材料的结晶温度,提高电阻率及材料的相变结晶速度,而晶格结构未改变。然后,在对材料表征的基础上,利用自制的飞秒激光纳米加工系统制备了宽度为 500 nm 的 Ge2Sb2－xBixTe5(x＝0, 0.2)纳米带。最后,设计并制备了完整的 Ag/Ge2Sb2－xBixTe5/Ag 忆阻器,其电阻开关比可达～7 400,稳定循 环了 60 圈,保持了 3 250 s。     

嵌入式存储器内建自测试方法

集成电路工艺的改进使存储器的测试面临着更大的挑战.本文在时存储器的故障模型分析的基础上,对具有代表性的测试算法进行了深入的研究,并且详细分析了嵌入式存储器内建自测试的实现原理.通过仿真表明该方法对多数常见故障具有较高的覆盖率.     

忆阻器状态逻辑中与操作的高效设计与实现

作为电阻、电容、电感之外的第4种基本电路元件,忆阻器自2008年被发现以来受到学术界和产业界的广泛关注.忆阻器的阻值记忆效应和纳米工艺制造方式使其被认为可用于构建未来更大容量和密度的存储器,逐渐替代FLASH等现有存储器件.除存储功能外,HP公司在2010年《Nature》上发表的文章表明,忆阻器还可以通过以蕴含为基础的状态逻辑实现任意逻辑运算.研究了忆阻器状态逻辑的另一种操作——与操作,提出了一种更加高效的与操作实现方法,该方法不需要增加额外的忆阻器,降低了激励电压的复杂性,减小了误差,使运算更加简便高效.最后通过SPICE模拟仿真对提出的方法进行了验证.     

信息存取技术的革新

目前,信息存取工业正在发生变革,因此,很难准确地预测未来的存储技术。已出现了一些诸如磁泡存储器、电荷耦合器件、电子束存储器、横挡壁存储器等弥补取数时间差距的技术。这些技术都有程度不同的希望,但是只有在证明其一系列重要性能指标较高之后,它们才能在存储器工业领域中得到发展。这些指标包括:产品的可靠性、性能、容量和位价格。因此,一个厂家要想使自己的产品占领先地位就必须开展技术革新。这是因为存储器工业的变化是发生在包括材料、工艺方法、产品和系统技术等的广阔范围里。     

金属氧化物半导体气体传感器改性研究进展

金属氧化物半导体气体传感器在环境空气质量监测、有毒有害气体检测以及某些疾病初步诊断等方面具有良好的应用价值与潜力.综述了近些年针对提升金属氧化物半导体气体传感器性能的改性研究进展,从对本体材料掺杂、修饰以及复合等多方面探讨改性措施对金属氧化物半导体气体传感器性能的改善提升作用,并展望了金属氧化物半导体气体传感器未来的发...     

硅转接层高带宽存储互连通道信号完整性设计及仿真

HBM存储器由于超高的存储带宽在大数据、智能计算等领域具有广阔的应用前景.支持超细线宽的硅转接板是实现存储器与芯片间HBM信号互连的主要载体,从HBM 1.0到HBM 2E,信号速率达到3.2 Gbps,信号完整性问题不容忽视.从HBM颗粒管脚阵列结构出发,分析信号布线和线宽间距极值.建立2层信号线传输模型,提炼频域阻...     

用于高性能存储系统的快速双极1024位随机存储器(RAM)

现代的数据处理系统的结构和性能受到组装密度和它的存储器的速度的极大影响,目前能做到的速度最快的存储器是采用集成双极工艺的半导体器件来实现的。双极随机存储器(RAM)除了它在快速主存方面的常规运用之外,还在超高速缓冲存储器和可写控制存储器方面得到了重要的新应用。高速的双极超高速缓冲存储器的存在已经使得建立存储器体系成为可能,在这个存储器体系内的大部份存储器是由速度比较慢的低成本存储器件来制成的。在控制存储器中采用高速大容量读/写存储器则大大扩展了它的存储容量,因而也具有有效价格的竞争能力。另外在将高速存储器与微处理机连用或用作联想存储器解决特殊用途方面,高速双极存储器也对计算机结构起到了促进作用。本文所述的1024位的ECL RAM 是作为西门子(Siemens)7·760计算机的超高速缓存和可写控制存储器用的。它是为西门子7·740,7·750和7·755计算机设计的GXB 10147型西门子128位ECL RAM 的继续。新的工艺和电路设计思想为典型的地址取数时间在15ns,功耗只有400 mW 的1024位RAM 研制铺平了道路。     

新型非易失存储I/O栈综述

随着新型非易失存储介质的出现,软件I/O栈的开销已经成为存储系统的性能瓶颈.首先详述了基于磁盘的传统I/O栈的各个软件层次和请求经过I/O栈的一般流程.在分析了传统I/O栈在闪存(flash)、相变存储器(phase change memory,PCM)等新型非易失存储介质构成的存储系统中存在的问题后,对专门为PCIe固态硬盘(solid state drive,SSD)设计的高性能主机控制器接口——NVMe接口及基于该接口的I/O栈、请求流程进行了详细介绍.最后,针对相变存储器、阻变存储器(resistive randomaccess memory,RRAM)和自旋转移矩磁阻随机存储器(spin-transfer torque magnetic random access memory,STT-MRAM)等下一代存储介质,对I/O栈在中断使用、文件系统权限检查等方面带来的性能问题进行了详细分析,指出未来I/O栈设计要考虑的问题.