IR推出新型坚固而可靠的500V和600V集成电路

国际整流器公司推出一系列新一代500v及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护，以及用于半桥驱动器的固定或可编程死区时间，并可驱动高达2．5A的电流。     

安捷伦科技公司推出新一代无线通信测试仪平台

国际整流器公司(International Rectifier．简称IR)推出一系列新一代500V及600V高压集成电路(HVIC)。这19款新型HVIC采用半桥设计,配有高端和低端驱动器．可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护,     

一种具有抗dV/dt噪声能力的600 V HVIC北大核心

设计了一种改进的电平移位电路。该电路采用交叉耦合结构，在不明显增加电路复杂度的情况下，显著提高了高压栅极驱动集成电路(HVIC)的噪声免疫能力。整个驱动器基于0.35μm 600 V BCD工艺设计。仿真结果表明，设计的HVIC可以实现高达125 V/ns的dV/dt噪声免疫能力，并在15 V电源电压下允许VS负电压过冲达到-9.6 V。此外，从理论上分析了改进电平移位电路的本级传输延时。同传统HVIC相比，设计的HVIC整体的传输延时得到了优化，降低到54 ns左右。     

高压栅级驱动器

高压栅级驱动器FAN7387，针对镇流器、SMPS和半桥逆变器设计，是唯一带有用于死区时间控制外部引脚的高压栅极驱动器（HVIC）。这款HVIC采用创新的噪声消除技术，高边驱动器运作的负Vs摆幅高达-9．8V，这种特性可保护IC免受负噪声影响，且有更强的噪声免疫能力。     

美国国际整流器公司（IR）推出带有多种保护功能的新款600V高压集成电路

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）日前推出一系列新一代600V高压集成电路（HVIC）。这个600V单通道栅极驱动器系列IRS212x适用于低、中和高压马达控制应用以及不同电路拓扑．包括三相转换器、H-桥,和其它采用MOS栅极功率组件的拓扑。     

600V太阳能逆变器解决方案

功能 ·优化了的600V沟道IGBT、600V标准速度IGBT,以及适用于逆变器侧的HVIC ·结合使用沟道和标准速度平面式IGBT,能够比只采用超高速平面式IGBT减少30％的功率耗损     

基于高压BCD工艺的内集成自举电路

设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题。基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证。测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4 V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能。     

NS开发增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器

美国国家半导体公司(National Semiconductor)6月21日宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100 V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成     

飞兆半导体Motion-SPM产品简化200W以下逆变器电机的驱动设计

飞兆半导体(Fairchild Semiconductor) 两款新型Motion-SPM器件能针对冰箱的应用节省电路板尺寸。每个FCBS0550 (500V／5A)和FCBS0650(500V／6A) Motion-SPM均在单一紧凑的高热效模块中集成了6个MOSFET、3个HVIC和1个     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

麦瑞推出新型85V半桥MOSFET驱动器

正2014年1月8日,高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(MicrelInc.)推出一款85V半桥MOSFET驱动器MIC4605,该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。     

5V30A半桥变换式开关稳压电源

本电源采用脉冲宽度调制半桥变换式开关稳压电源,直接输入220V50Hz交流电,经整流滤波后的直流电压供给半桥变换器工作,省去笨重的50Hz电源变压器。因为半桥变换器工作在20kHz频率下,所以仅用一个较小的高频变压器就实现电压变换和输入输出的隔离。又因为功率开关管工作在开关状态,所     

新型同步降压转换器组合模块

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）的智能功率模块，用于小功率（100W以下）的直流无刷（BLDC）电机应用。Motion-SPM模块在高热效、超紧凑（29mm×12mm）的Tiny-DIP封装中集成了六支内置快速恢复二极管的MOSFET（FRFET）和三个半桥高电压驱动IC（HVIC），专为内置控制的BLDC电机而设计。每个Motion-SPM都使用FRFET和HVIC器件，同时简化电机逆变器设计。     

Vishay推出新系列半桥600V及1200 V IGBT模块

2008年3月14日,Vishay Intertechnology,Inc宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥IGBT。该系列由8个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。     

125V、2A、半桥MOSFET驱动器

Maxim Integrated Products推出高压、高速、半桥MOSFET驱动器：MAX5062／MAX5063，能够驱动高边和低边n沟道MOSFET。MAX5062A和MAX5063A分别与工业标准器件HIP2100和HIP2101引脚兼容。与其它同类竞争产品最大105V的工作电压相比，这两款器件的高边引脚(HS引脚)可工作在高达125V电压下。利用它们来做电源设计，输入电压的最大值为125V，从而为要求必须能承受100V或更高输入瞬态电压的电信设备电源提供了充分的安全裕量。     

新型60V DirectFET MOSFET

国际整流器公司日前推出一款新型60V DirectFET功率MOSFETIRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V),传导损耗较同类解决方案低出三成。IRF6648适用于电讯及网络系统中的隔离式直流-直流转换器。若把IRF6648用于一个经调节的48V输入、12V输出和240W隔离式转换器的二次侧,功率密度可由每平方72W再增15%。IRF6648是一项多功能器件,可用于36V至75V输入的隔离式直流-直流转换器的二次侧同步整流插座;一次侧半桥及全桥隔离式直流-直流总线转换器;24V输入的一次侧正向主动钳制电路,和48V输出的交流-直流主动ORing系统。I…     

IR推出易用的μHVIC系列构建模块,有效简化设计

全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出μHVIC系列通用高压及低压IC。新产品通过为常用电路组件提供易于使用的构建模块,简化功率系统开发流程。 全新的μHVIC系列组件系列包括IRSxx752L 100 V、200 V和600 V单通道高侧驱动器;IRS25751L高压启动IC;IRS44273L单通道低侧驱动器IC;IRS2505L功率因子校正（PFC）升压驱动器IC;以及IR25750L电流检测IC。     

高压P阱LDMOS的结构分析及其参数分析

衡量HVIC工艺的一个重要的标准是其内的主要单元LDMOS的参数是否合乎工艺设计的要求。本文简略分析了700V P阱HVIC工艺中的LDMOS结构，并对LDMOS的参数略加分析。     

麦瑞半导体推出新型85V全桥MOSFET驱动器

正麦瑞半导体公司(Micrel Inc)推出一款85V全桥MOSFET驱动器MIC4606,该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。2013年推出的极其成功的85V MOSFET驱动器系列的成员,专注于满足多种应用不断增长的电力需求。85V MIC4606     

产品博览

飞兆半导体推出Motion智能功率模块飞兆半导体公司的智能功率模块(Motion-Smart Power Module;SPMTM)为小功率(100W以下)的直流无刷(BLDC)电机应用提供高度集成的解决方案。Motion-SPM器件在单一紧凑封装内集成多项功能,提供简化的电机驱动解决方案以加快工程设计、减小了占用的线路板空间,实现高能效和高可靠的家用电器设计。Motion-SPM模块在高热效、超紧凑(29mm×12mm)的Tiny-DIP封装中集成了六支内置快速恢复二极管的MOSFET(FRFETTM)和三个半桥高电压驱动IC(HVIC),专为内置控制的BLDC电机而设计。