纳米WO3薄膜的制备方法及性质研究

介绍和分析了制备纳米WO3薄膜的主要方法及各自优缺点;对纳米WO3的性质研究现状作了简要概述,并提出了纳米WO3薄膜的发展前景.     

WO3/Bi2WO6复合薄膜的制备及其光电化学性能

以导电玻璃为基底采用水热法制备了WO3纳米片薄膜,再通过溶剂热法改变不同溶剂热反应时间(6、8和10 h)在WO3纳米片薄膜上生长Bi2WO6制备了WO3/Bi2WO6复合薄膜.利用XRD、SEM、UV-Vis、光电流、光电催化和交流阻抗对WO3/Bi2WO6复合薄膜的结构和光电性能进行表征与测定.结果表明,WO3纳米片薄膜的光电流密度为0.74 mA/cm2,对质量浓度为6.0 mg/L亚甲基蓝的光电催化效率为47.9％.不同WO3/Bi2WO6复合薄膜的光电化学性能均优于单一WO3纳米薄膜,且溶剂热反应时间为8 h的WO3/Bi2WO6复合薄膜具有最高的光电流密度(1.22 mA/cm2)和最优的光电催化效率(58.6％).WO3/Bi2WO6复合薄膜有效降低了复合薄膜内部电子阻抗,增加了有效光电化学反应位点,显著提升了光电化学性能.     

纳米WO3薄膜的制备方法及其性质研究

纳米WO3薄膜是一种典型的功能性纳米材料,在电致变色、气敏性、共催化及光致变色等方面都有着广阔的应用前景。综述了纳米WO3薄膜的几种常用制备方法并进行了比较,对纳米WO3薄膜的发展前景作出展望。     

纳米WO3薄膜的制备方法及其性质研究

纳米WO3薄膜是一种典型的功能性纳米材料,在电致变色、气敏性、共催化及光致变色等方面有着广阔的应用前景。本文综述了纳米WO3薄膜的几种常用制备方法并进行了比较,最后对纳米WO3薄膜的发展前景作出展望。     

WO3/ZnWO4复合薄膜的制备及其光电化学性能

采用水热法在导电玻璃(FTO)上制备WO3纳米薄膜,然后通过改变水热反应时长(1、3、5 h)在WO3纳米薄膜上成功制备了WO3/ZnWO4复合薄膜.利用XRD和SEM对WO3/ZnWO4复合薄膜样品的组成结构及形貌进行分析.并对WO3/ZnWO4复合薄膜样品进行吸收光谱测试、光电流测试、光电催化测试和交流阻抗测试.结...     

WO3/ZnWO4复合薄膜的制备及其光电化学性能研究

摘要：采用水热法在导电玻璃(FTO)上制备WO3纳米薄膜,然后同样使用水热法并改变水热反应时长(1h,3h,5h)在WO3纳米薄膜上成功制备WO3/ZnWO4复合薄膜。利用X射线衍射和扫描电子显微镜对WO3/ZnWO4复合薄膜样品的组成结构及形貌进行分析。并对WO3/ZnWO4复合薄膜样品进行吸收光谱测试、光电流测试、光电催化测试和交流阻抗测试,结果表明WO3/ZnWO4复合薄膜样品相较于单一WO3纳米薄膜,具有更好的光吸收特性、更优秀的光电流特性和显著提升的光电催化活性。且水热反应3h的WO3/ZnWO4复合薄膜样品相较于水热反应1h和5h的WO3/ZnWO4复合薄膜样品具有最高的光电流密度和最优的光电催化效率。     

纳米WO3薄膜的制备及掺杂研究

纳米WO3薄膜在电致变色、气敏材料、共催化剂领域具有广阔的应用前景。综述了纳米WO3薄膜的制备及掺杂对其变色性质的影响。     

电致变色器件中WO3薄膜厚度的选择

WO3(三氧化钨)薄膜厚度的选择对电致变色器件性能有至关重要的作用。通过TFCalc软件理论计算WO3薄膜褪色态、着色态透过光谱及其光学调制幅度变化;通过在FTO(氧化锡掺氟)玻璃上制备氧化钨薄膜,研究分析不同厚度氧化钨晶体结构与光学调制幅度相关性。对比研究发现:WO3厚度的选择应根据着色态透过率和实际的光学调制幅度确定,光学理论计算WO3薄膜的调制幅度有一定的局限性,这与晶态WO3薄膜的结构发生变化有关。     

WO_3纳米棒的水热合成及其光敏特性

以钨酸钠为原料,硫酸钾为辅助盐,在强酸性反应体系通过水热法合成了WO3纳米棒。利用XRD、SEM、TEM和SAED对试样进行分析,研究结果表明:在水热法体系中合成WO3纳米棒时,随着pH值的增加、反应温度的升高和反应时间的延长,它们都有利于合成WO3纳米棒。在pH值为1.5、反应温度为240℃和反应时间72.0h下合成直径小于100nm的晶态WO3纳米棒,此WO3纳米棒径向分布较均匀。对不同条件下水热法合成的WO3进行紫外可见光的吸收光谱分析可得,随着pH值的增加、反应温度的升高和反应时间的延长,获得的WO3的光吸收能力逐渐是增加的。特别是WO3纳米棒具有良好的光吸收能力。     

热分解法制备纳米WO_3的结构特征及其分散行为研究

以钨酸铵为原料,在350～600℃不同温度下,用热分解法制备了纳米WO3。用透射电子显微镜、X射线衍射与电子衍射并结合热分析法,研究了热分解温度对纳米WO3的粒径大小、形状、晶型的影响,发现钨酸铵在225～375℃吸热分解,在400℃时完全分解为简单六方结构WO3和简单单斜结构WO3两相混合物,简单六方结构WO3在404℃左右向简单单斜结构WO3转变,500℃与600℃热分解产物都是简单单斜结构WO3。WO3粒径随温度升高而增大,分解温度从400℃升至600℃时,WO3粒径从20nm增大到100nm左右。用表面活性剂对纳米WO3进行表面修饰,发现两性型十二烷基二甲基甜菜碱可提高纳米WO3在水溶液与甲苯中的分散稳定性,沉降速度降低50%。     

纳米氧化钨薄膜的制备方法及其性质研究

综述了纳米氧化钨薄膜的各种制备方法：溶胶-凝胶法、溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、阳极氧化法等，并比较了其优缺点；介绍了氧化钨薄膜的掺杂研究；对纳米氧化钨薄膜的电致变色、气敏特性等性质研究现状作了简要概述，提出了纳米氧化钨薄膜的发展前景。     

Sol—Gel法制备WO3薄膜的研究

采用络合物ｓｏｌ－ｇｅｌ浸渍提拉法以过钨酸酯的乙醇溶液为先驱制备了ＷＯ３薄膜，研究了有机添加剂草酸对膜结构的影响，并对所得薄膜进行了红外光谱、可见光谱和ＳＥＭ等测试和观察。结果表明该法能制得质量好的ＷＯ３薄膜，在溶液中加入草酸可以有效地控制裂纹扩展。因此在优化工艺条件后将能得到无裂纹的ＷＯ３薄膜。     

纳米WO_3/玻璃薄膜光催化性能研究

以溶胶-凝胶法制备纳米WO3/玻璃薄膜,并用UV-Vis法,IR法和XRD方法进行了表征。以10 mg/L罗丹明B为降解对象,考察其光催化性能。结果表明：经500℃灼烧2 h以上制备的厚度为278 nm的两层涂膜,在pH=3.0、鼓入空气、光强为1.81×1016光子/s等条件下薄膜具有最佳光催化活性,对罗丹明B的光催...     

工艺参数对磁控溅射WO_3薄膜电致变色性能的影响

本文采用磁控溅射法制备了用于电致变色器件的WO_3薄膜,用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对其物相组成、微观形貌以及电致变色性能进行了表征。结果表明:在溅射压强为2 Pa、氩氧比为60:20时所制备的WO_3薄膜厚度适中,且有利于离子的嵌入/脱出,而以此薄膜制备的电致变色器件光调制范围最大,褪色时间最短,着色效率达82.9 cm~2/C。     

WO3/ZnWO4复合薄膜的制备及其光电化学性能研究

采用水热法在导电玻璃(FTO)上制备WO_3纳米薄膜,然后通过改变水热反应时长(1、3、5 h)在WO_3纳米薄膜上成功制备了WO_3/ZnWO_4复合薄膜。利用XRD和SEM对WO_3/ZnWO_4复合薄膜样品的组成结构及形貌进行分析。并对WO_3/ZnWO_4复合薄膜样品进行吸收光谱测试、光电流测试、光电催化测试和交流阻抗测试。结果表明,在1.6 V时模拟太阳光照射下,单一WO_3纳米薄膜光电流密度为1.61 mA/cm~2,光电催化效率约为42.9%。WO_3/ZnWO_4复合薄膜样品相较于单一WO_3纳米薄膜,其光吸收特性、光电流特性及光电催化活性显著提升。且水热反应3 h的WO_3/ZnWO_4复合薄膜样品相较于水热反应1和5 h的WO_3/ZnWO_4复合薄膜样品具有更优的光电化学性能,其光电流密度达到2.49 mA/cm~2,光电催化效率约为61.8%。     

Effect of Lead Zirconate Titanate Seeds on PtxPb Formation during the Pyrolysis of Lead Zirconate Titanate Thin Films

Lead zirconate titanate (PZT) thin films were prepared on platinized silicon substrates by dip-coating using a modified diol-based sol–gel route without and with up to 5 mol% PZT nanometric seeds dispersed in the precursor sol. A metastable intermetallic Pt _x Pb phase formed at the early stages of heat treatment. XRD, TEM, and RBS revealed that the thickness and stoichiometry of the Pt _x Pb layer varied with the concentration of seeds and heat treatment of the films. The relation of the Pt _x Pb layer to the final crystalline texture of the PZT thin films is reported and discussed.