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硅在KOH 溶液和EPW 中
各向异性腐蚀的异同 总被引:1,自引:2,他引:1
本文在文献(1~5)的基础上,进一步应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液和EPW中各向异性腐蚀的机理,并给出了硅在这两种腐蚀液中各向异性腐蚀速率的实验结果. 相似文献
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TMAH腐蚀液制作硅微结构的研究 总被引:4,自引:2,他引:4
通过各向异性腐蚀硅微结构工艺,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液的特性,包括硅(100)晶面腐蚀速率与TAMH溶液浓度、温度、pH值以及过硫酸铵添加剂的关系,并采用原子力显微镜研究了不同腐蚀条件下硅的表面形貌,研究表明:随TMAH溶液的浓度的降低和腐蚀温度的提高,腐蚀速率提高,硅腔的表面粗糙度增大;过硫酸铵添加剂明显改善了硅微腔的表面平整度.本研究所确定的最佳腐蚀工艺条件为:溶液中TMAH浓度为25%,过硫酸铵添加剂浓度为3%,腐蚀温度80℃.在此工艺条件下腐蚀出了深度为230 μm、表面粗糙度小于50 nm的硅微腔. 相似文献
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针对微型双岛硅膜制作中的凸角削角腐蚀问题,提出了一种新的削角补偿方法一“两端矩形补偿法”,并在感压膜尺寸仅为0.72mm×1mm的双岛硅膜制作中获得成功。 相似文献
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在使用无掩模腐蚀制作硅微机械结构时,其结构凸角的削角特性有地常规有掩模腐蚀时的情况。本文通过分析和实验,研究了该情况下凸角削角尺寸的变化规律和特点,并给出了对其进行补偿的原则和方法。 相似文献
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为了减少压力灵敏度偏差,已用阳极氧化自停腐蚀工艺制造了硅膜压力传感器。在肼水溶液中采用自停腐蚀工艺,精确地控制了膜的厚度。p型压阻元件是用硼离子注入在(100)晶向的n型外延层上制造的,在n/p硅外延片的n型层上加5V正电压,则厚的p型衬底就被腐蚀掉,腐蚀停止后,一层薄的n型膜被留下了。膜的尺寸为1mm×1mm,厚度是20±2μm,晶片之间的压力灵敏度偏差小于20%。 相似文献
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介绍一种硅纳米线制作方法.在SOI顶层硅上制作硅纳米梁,通过离子注入形成pnp结构,利用新发现的没有特殊光照时BOE溶液腐蚀pn结n型区域现象,结合BOE溶液氧化硅腐蚀,实现硅纳米线制作.制作完全采用传统MEMS工艺,具有工艺简单,成本低,可控,可靠性好,可批量制作等优点.利用该方法制作出了厚50 nm,宽100 nm的单晶硅纳米线,制作的纳米线可用于一维纳米结构电学性能研究、谐振器研究等. 相似文献
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以SF6/Ar为刻蚀气体,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀Pyrex玻璃,研究气体流量、射频功率对刻蚀速率及刻蚀面粗糙度的影响.采用正交实验方法找出优化的实验参数,得到Pyrex玻璃刻蚀速率为106.8 nm/min,表面粗糙度为Ra=5.483 nm,实验发现增加自偏压是提高刻蚀速率、减小刻蚀面粗糙度的有效方法. 相似文献
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Sammak A.. Azimi S.. Izadi N.. Hosseinieh B.K. Mohajerzadeh S.. 《Journal of microelectromechanical systems》2007,16(4):912-918
A novel hydrogenation-assisted deep reactive ion etching of silicon is reported. The process uses sequential hydrogen-assisted passivation and plasma etching at low-density plasma powers to stimulate the vertical removal of the exposed Si substrate. The main feature of this technique is the sequential alternation of the electrodes while switching between different gases. Three-dimensional structures with aspect ratios in excess of 40:1 and features as small as 0.7 mum have been realized. The net etch rate is about 0.25 mum/min, although higher rates are expected to be achievable. 相似文献
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MEMS固体微推进器中Cr薄膜点火电阻的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
点火电路是MEMS固体化学微推进器中最重要的组成部分,其点火电压的大小及点火可靠性则主要取决于点火电阻.国内外均采用多晶硅(polysilicon)或贵金属铂(Pt)作为点火电阻材料,所制备出来的点火电阻的阻值都比较大,需要的点火电压较高(40 V以上),而且点火可靠性不高,难以满足固体微推进器的使用要求.本文首次采用金属铬(Cr)作为点火电阻材料,设计了具有高可靠性的并联点火电阻图形,通过磁控溅射镀膜、光刻以及Cr的湿法腐蚀工艺制备出了Cr薄膜点火电阻,并在20伏左右的低电压下成功地实现了常规火药黑索金的点火,为低点火电压、低成本、高可靠性的点火电路的制备提供了一条有效的技术途径. 相似文献
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