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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
本文论述了使用4H-SiC衬底及外延层制作MESFET的方法,测得了栅长为0.7μm、栅宽为332μm的MESFET的直流、S参数和输出功率特性。当Vds=25V时,电流密度约为300mA/mm,最大跨导在38~42mS/mm之间;当频率为5GHz时,该器件的增益为9.3dB,fmax=12.9GHz。当Vds=54V时,功率密度为2.8W/mm,功率附加效率为12.7%。  相似文献   

2.
《中国有线电视》2001,(11):61-62
1 简介本检修电源集直流稳压电源、交流供电器和电源插入器设计于一体 ,可输出 4种交流电压和 4种直流电压 ,并具有交、直流输出电压指示功能。变压器为R型 ,工作温升低、无噪声 ,具有设计合理、体积小、操作方便等特点 ,可作为检测CATV放大器和模块的有效工具。适用于各有线电视台、工矿企业有线电视台 (站 )和放大器生产厂。2 电原理图 (见图 1)图中IN为电视信号输入端 ,OUT为电视信号和交流电压 (AC 30~ 6 0V)复合输出端。 3 技术参数功率 4 0W ,输入电压 2 2 0V± 10 % ,输出电压AC30V、AC 4 0V、AC 4 8V、…  相似文献   

3.
Alpha工业公司增加了 5种封装放大器产品 ,以支持微波传感器和通信应用。AB0 2 8H1- 14是一种 2 3~ 30GHz高增益放大器 ,增益 36dB ,输出功率 16dBm ,噪声系数为 3dB。AB0 381- 14的增益为 30dB ,输出功率 16dBm ,噪声系数为 4dB。二种放大器都为单电源工作。AB0 2 8V1- 14是 2 3~ 30GHz的可变增益放大器 ,有效增益为 30dB ,衰减范围为 30dB ,输出功率 16dBm ,噪声系数为 3dB。二种低噪声放大器AA0 2 8N1- 99和AA0 38N1- 99工作频率分别为 2 3~ 30GHz ,2 6~ 4 2GHz。低频型号…  相似文献   

4.
美国ProTek公司TVS选择指南1、500W型号(单极性)型号(双极性)额定反向关断电压VWM(V)击穿电压(VBR)最小最大ITmA最大反向漏电流VWM(μA)最大箝位电压VC(V)最大峰值脉冲电流IPP(A)VBR的最大温度系数(mV/℃)SA...  相似文献   

5.
一个4W开关型5V直流稳压电源   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用下列的电路方案即可将90VAC~264VAC输入范围的 50/60Hz交流电压变换为直流+5V输出,精度高于±3%,输出功率为4W,最大输出电流可达0.8A,典型变换效率为70%,是一个很好的4W开关型5V直流稳压电源。但是这个电路在制作装配时一定要注意它的散热和隔离问题。图中U1、T1和D3为发热元件,布局时要与其他元件相隔一定距离,U1的6个地引脚要和输入端大面积地可靠连接,井利用它散热。输入和输出地两边元件要以变压器T1和光耦U2为轴线分二边布局,中间留足空间以确保输入输出对隔离电压的…  相似文献   

6.
AmericanMicxrowave推出了SWM-6000-1DTU-GB高隔离度无反射SPST固态开关,该开关的隔离度高达100dB,开关速度极快,为20ns,在10MHz~2GHz的频带内,插入损耗为3dB,最大驻波比为2,工作电流和电压分别为±10mA和±5VDC,采用ECL逻辑控制(兼容TTL),大小为381×381×102mm,具有可移动式SMA连接器。100dB高隔离无反射固态开关  相似文献   

7.
M/A-COM研制的MAAM28000-A1型宽带MMIC放大器的工作频率为2~8GHz,它采用2级放大,单电源10V供电,具有较好的增益平坦度,输入输出阻抗均为50Ω,增益为17dB,增益平坦度为±0.5dB,在2~4GHz、4~6GHz和6~8GHz时的最大噪声分别为8.0dB、6.5dB和6.0dB,输入和输出驻波比分别为1.6和1.5,输入IP3为+7dBm,输出1dB压缩为+1.4dBm,反向隔离为35dB,最大偏压电流为100mA。该器件采用廉价的小型8脚陶瓷封装,不需要任何外部元件,可用于卫星通…  相似文献   

8.
NEC最近开发了完全适用于片上系统 (SOC :SystemonChip)需求的、采用最先进的 0 2 5μm (有效栅长为 0 18μm)CMOS工艺技术制作的ASIC—CB C10系列基本单元IC和EA C10系列内部阵列 (embeddedarray)。CB C10系列特点如下 :(1)最多搭载门数为 2 0 0 0门。 (2 )低功耗 :功耗为 0 0 4 μW门 ;MHz (电源电压 :2 5V) ,与NEC原制品相比 ,降低约 80 %。 (3)高速工作 :倒相器 (F10 1)的时延为 2 3ps (电源电压 :2 5V、扇出 :1) ,触发频率为 1 6GHz。工作速度 (时钟速度 )可…  相似文献   

9.
本文含BayStack 350系列交换机V1 .2 .0版本的重要资料 ,它未包含在用户指南中。注意 :本备忘录和V1 .2 .0版本仅适用于BayStack350 - 2 4T和 350 - 1 2T型交换机。在其他类型的BayStack 350交换机上不能安装V1 .2 .0版软件。其他类型的BayStack 350交换机不用这种软件操作。1 BayStack 350的固件升级BayStack 350交换机的固件为代码写入提供了条件 ,让你对固件镜像升级时 ,可以越过任何一个交换机端口 ,包括MDA端口。1 .1 升级步骤开通软件版本V1 .2 .0 ,升级BayStack…  相似文献   

10.
由TB12 31AN/TB12 38AN/TB12 4 0AN系列TV信号处理集成电路组成的单片彩电 ,由于它具有高的集成度和优良的性能 ,被国内外电视厂商广泛设计和制造出 35cm~ 74cm大、中、小屏幕彩电。如由TB12 31AN组成的长虹CN - 9型机芯大、中屏幕彩电 ,由TB12 38AN组成的康佳 1488型 35cm小屏幕彩电和由TB12 4 0AN组成的康佳P2 592型大屏幕彩电等。该系列双CMOS集成电路用于PAL/NTSC制彩电中进行中频、视频和扫描小信号处理。在该系列集成块内含有图像中放、伴音中放、视频与色度信号处理以及扫描系统的相…  相似文献   

11.
Ka波段功率PHEMT的设计与研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
报道了Ka 波段功率PHEMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAsPHEMT材料,采用0.2 μm 的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 m A/m m ;gm 0:320 m S/m m ;Vp:- 1.0~- 2.0 V。总栅宽为750 μm 的功率器件在频率为33 GHz时,输出功率大于280 m W,功率密度达到380 m W/m m ,增益大于6 dB。  相似文献   

12.
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。  相似文献   

13.
~~器 ,ACU为天线控制器。对Ku波段来说天线接收下来的电视信号经LNA获得的是 12GHz信号 ,而电视接收机输入信号要求为 1GHz信号 ,因此 ,须用电视高频头LNB将 12GHz信号变频为 1GHz。电视接收机在波束中心附近输出与天线方向成比例的AGC信号 ,经过信号处理电路 ,向ACU提供跟踪信号。ACU中通过半导体开关电路OP1~OP4 控制 4个自动运行触点 ,以控制电机的运转并显示出自动运行指示 ,同时将信号反馈、采样进行进一步的比较 ,最后达到跟踪信号的目的。图 3图 3中LNB与一般产品有些区别 ,信号经过LNA …  相似文献   

14.
高晓峰 《电子技术》2000,27(10):60-62
CXA16 19BM是日本Sony公司专为调频 /调幅一体化收音机而设计的贴片接收芯片 ,内部功能图如图 1所示 ,它集成了AM /FM高放、本振、混频、中放、AGC和AFC电路、AM检波、FM鉴频以及音频功放、音量调节和调谐指示电路。由于其工作电压范围宽 (2~ 7.5V)、工作电流小 (4~ 5mA)、输出音频功率可达 50 0mW ,因此得到广泛应用 ,其典型应用电路如图 2所示。图 1 CXA16 19BM内部功能图图 2 CXA16 19BM典型应用电路1 CXA1 61 9BM在CATV调频共缆系统中的应用  我国的有线电视事业经过近十年的迅…  相似文献   

15.
(上接第10期)附录A技术指标Commander6调制器技术指标视频标准标准基带输入电平范围0.5~2.0VP-P,用于87.5%调制度编码视频输入电平1.0VP-P,额定87.5%调制度视频输入阻抗75Ω标称视频输入回传损耗30dB最小R系数2T脉冲 3%最大S/N比率60dB最小频率响应±0.75dB最大→5.0MHz微分增益±0.35dB在87.5%调制度微分相位3%P-P最大斜率/线路时间失真1.0%最大  音频标准输入电平范围-10~+10dBm输入阻抗600Ω平衡频率响应±1.0dB…  相似文献   

16.
UFB-LCD的开发     
韩国三星开发了手机用 5cm( 2in)高精细度TFT彩色液晶显示器 ,称其为UFB LCD(UltraFine&Bright LiquidCrystalDisplay)。该款像素数为 1 60× 1 2 8;对比度为 1 0 0∶1 ;亮度为 1 50cd/m2 ;颜色为 650 0 0色。月产量为 2 0 0万块。另外 ,该公司还将生产8.9cm( 3 .5in)UFB LCD ,用于PDA。UFB-LCD的开发  相似文献   

17.
美国ProTek公司1500WTVS选择指南型号(单极性)型号(双极性)额定反向关断电压VWM(V)击穿电压(VBR)最小最大ITmA最大反向漏电流VWM(μA)最大箝位电压VC(V)最大峰值脉冲电流IPP(A)VBR的最大温度系数(mV/℃)1.5...  相似文献   

18.
Cree公司研制成工作频率 10GHz的GaNHEMT ,脉冲RF功率为 4 0W。该器件可用于混合放大器 ,12mm器件的特点 :PAE为 2 0 % ,功率密度为 3.39W /mm。不久前在康奈大学的会议上宣布最新的结果 ,Cree公司宣称 ,这种晶体管提供的功率比任一GaAs器件高 2 .5倍之多 ,该公司以前报道的结果 ,在 10GHz下 ,器件提供的脉冲功率为 15W。Cree已报道GaNMMIC ,生长在半绝缘SiC衬底上 ,初步结果是 :在 94GHz下 ,脉冲RF功率为 2 0W ,增益为 14dB ,PAE为 2 0 %。Cree公司坚信 ,GaNMMI…  相似文献   

19.
1 AC充电器 /适配器的工作原理AC充电器 /适配器可用来为摄录一体机供电 ,也能为 12VNi -Cad电池充电 ,但不能同时使用这两个功能 ,其交流工作电压为 10 0~ 2 4 0V ,工作频率为 5 0~ 6 0Hz ,它采用脉宽调制原理保证输出电压稳定。Q1为MOSFET开关管 ,由IC1产生的 10 0kHz方波控制其导通与截止 ,因而T1初级线圈电流也同时以 10 0kHz频率变化 ,以保证输出电压稳定。交流电源经电阻R3/R4加到IC1,IC1输出方波使Q1导通 ,电流通过T1初级线圈 ,T1的次级回路感应电流 ,通过耦合回路返送到IC1- 1角的检测…  相似文献   

20.
LT1 5 90是一种集成了 2个 1 2位D/A转换器的LSI产品。电源电压为 5V时 ,耗散电流最大不超过 1 0 μA。D/A转换器属于电流输出型。数据输入为串行方式。还集成了具有 2 4位的移位寄存器电路和锁存电路。可用于工业中的控制器、携带式的测量设备等。电源电压范围为 4 5V~ 5 5V。环境温度为 2 5℃时 ,微分非线性误差与积分非线性误差均为最大± 0 5LSB。全高次谐波失真 (THD)为标准 - 1 0 8dB。共模信号抑制比 (CMRR)最大为 0 0 0 2。输出的最大漏电流为± 2 5nA。作为数据输入的数字信号交调失真为标…  相似文献   

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