硅中离子注入硼的异常扩散

本工作用不同的Si~+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.     

GaAsVHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。     

离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器

采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。     

锑化铟离子注入退火技术研究

对锑化铟（InSb）铍离子（Be+）注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析。     

离子注入硅的线源非相干光瞬时退火温度计算

本文利用高温模型,计算了在我们的实验条件下对离子注入硅进行线源非相干光瞬时退火的退火温度,并与实验结果比较,两者符合得较好。     

GaAs VHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在２英寸圆片上做出的场效应管无栅饱和电流相对偏差２．３％，器件阈值电压标准偏差９８ｍＶ。用该材料做出了６７２门ＧａＡｓ超高速门阵电路，还做出了工作频率为５ＧＨｚ的除二动态分频器。     

中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响

本文对硅中砷扩散系数考虑了中性空位引起的本征扩散项D~0的影响,推导而得出D~0对表面浓度N_s,结深x_j(t)等的影响大约为5-10％。在离子注入退火的解析模型中考虑其影响是有实际意义的。     

磷（P31^＋）注入Si的快速退火电特性

本文报告了P_(31)~+离子注入Si中快速退火的电特性研究结果。采用高精度四探针测量了P_(31)~+注入层在不同注入剂量下,薄层电阻与退火温度和退火时间的关系。采用自动电化学测量仪PN-4200,测量了P_(31)~+离子注入Si中的载流子剖面分布。     

2英寸GaAs快速热退火技术研究

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

采用P^＋共同注入改进SI—GaAs Si^＋注入层的电特性

在SI—GaAs Si~+注入层中共同注入P~+可以改进注入层的电特性。P~+的共同注入提高了注入层的激活率和平均霍耳迁移率。对于Si~+注入的剂量和能量分别为4×10~(12)cm~(-2)/30keV+5×10~(12)cm~(-2)/130keV的样品,得到了激活率为75～85％,平均霍耳迁移率为4600～4700cm~2/Vs的结果。另一方面,P~+注入改进了有源层与衬底的界面特性。肖特基势垒技术测量表明,P~+共同注入的样品表现出更好的迁移率分布。深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,P~+共同注入降低了激活层中的深能级密度。     

100 nm P型超浅结制作工艺研究

介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。     

Photocurrent Measurement of Si1-xGex/SiMultiple Quantum Wells With Ion Implantation and Thermal Annealing

Si-Ge interdiffusion in Si1-xGex/Si multiple quantum-wells (MQW) is investigated by photocurrent spectroscopy, which is induced by ion implantation of Si+ and thermal annealing. The band gap energy of the Si1-xGex/Si samples implanted plus annealed has a blue shift up to 97meV compared to the annealed-only samples. The blue shift may be caused by the SiGe interdiffusion and the relaxation of the SiGe quantum wells.     

Photocurrent Measurement of Si1-xGex/SiMultiple Quantum Wells With Ion Implantation and Thermal Annealing

Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｉｓａｗｅｌｌ－ｋｎｏｗｎｍｅｔｈｏｄｆｏｒｔｈｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｂａｎｄｇａｐｅｎｅｒｇｙｏｆＳｉＧｅａｌｌｏｙ［１～３］．Ｔｈｅｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ...     

快速光热退火制备多晶硅薄膜

用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统退火相比,退火时间大大缩短.用XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等手段对其进行了测量.对部分样品的照射光做了滤波,滤掉了波长600 nm以下的光,发现这对晶化及晶粒尺寸都有一定的影响.     

Al-Si接触的快速热退火

本文报道了用常规管式炉30秒钟快速热退火代替常规热合金化做Al-Si欧姆接触的简捷方法.通过俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、接触电阻率和PN结反向电流的研究证实该法能有效地抑制导致浅结器件失效的Al-Si互扩散现象,从而达到保持良好结特性的欧姆接触.     

氮离子注入形成SOI结构的外延研究

用大束流(50μA/cm~2)、高剂量(1.8×10~(18)/cm~2)的190keV N~+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N~+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料.