日本成功开发出嵌入锗量子点的硅基LEO

日本东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心成功开发出采用锗（Ge）量子点的硅发光元件。     

英科学家发现新碳基超导物质

据有关媒体报道，近日，日本东京都市大学综合研究所研究人员成功开发出采用锗（Ge）量子点的硅发光元件。     

日本开发成功新型有机LED导电材料

世界最大芯片生产商美国英特尔公司已采用最先进的65nm芯片制造工艺生产出了储存量为70M的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该公司宣布，下一代纳米芯片制造技术水平将达到45nm。     

胶体量子点多色LED的设计、制备和表征

量子点LED采用胶体量子点为LED发光层,通过调节量子点的尺寸可以制作出覆盖可见以及近红外光谱的量子点LED(QD-LED),而且量子点LED器件发出的光谱范围很窄(光谱半高宽可达30 nm).为了研究不同发光颜色的QD-LED器件特性,本文采用具有523 nm和608 nm发光波长的CdSe/ZnS核壳型量子点为发光层、poly-TPD为空穴传输层、ZnO为电子传输层,制备了量子点红光和绿光LED并讨论了器件的相关特性.这些结果对量子点LED在飞机驾驶舱以及医疗器械照明方面的应用提供了参考,但要满足商业化的需求其寿命、亮度以及效率还需要进一步的提高.     

白光LED用新型硅基氮化物红色荧光粉研究进展

综述目前白光LED用新型硅基氮化物红色荧光粉的最新研究成果和发展状况,介绍了该荧光粉在制备合成方面的最新进展,最后展望了硅基氮化物红色荧光粉的发展前景。     

纳米硅量子点的自组织形成及其量子效应

用减压气相淀积法(LPCVD)，在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(10^11cm^-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点)，并进一步利用自组织生成的硅量子形成具有悬浮栅极的MOS单元，验证了硅量子点的量子效应。     

硅基低维红外探测薄膜材料的研究概况

Si基探测器与硅读出电路的单片集成不仅使光电芯片在性能上得到重要改善,还可极大地降低成本.在对量子阱、量子点原理描述的基础上,综述了它们应用于薄膜红外探测材料的研究进展,提出了近期工作的重点.     

生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响

对利用超低压化学气相淀积技术在Ｓｉ上自组织生长Ｇｅ量子点的特征进行了研究,发现生长温度对Ｇｅ量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延的结果,这种现象与ＶＬＰ－ＣＶＤ表面控制反应模式有关,实验表明,选择适当的生长温度可以在Ｓｉ上自组织生长具有窄尺寸分布和高密度和Ｇｅ量子点。     

硅基氧化物发光玻璃及其制备技术研究进展

由于具有高透过率、优异的化学稳定性和易于机械加工等优势, 硅基氧化物玻璃是一种理想的基质材料。通过引入不同的发光组分, 获得不同光学性能的光功能玻璃被广泛应用于多个领域。然而, 这些发光组分在玻璃制备过程中易挥发、分解, 稳定性较低, 所以功能发光玻璃的制备技术仍面临着新的挑战。本文综述了掺杂铋离子、量子点及荧光粉硅基发光玻璃的发展现状及其制备技术。通过比较高温熔融法、溶胶-凝胶法、固相烧结法及放电等离子体烧结技术(简称SPS)的优缺点, 本文着重介绍了SPS技术应用于发光玻璃制备的研究进展及优势, 并对这种新制备技术的发展趋势进行了评述和展望。     

一种新颖的硅量子点-金复合纳米粒子的制备和表征

利用电化学刻蚀法制备的硅量子点的还原特性,通过调整硅量子点与氯金酸的量的比例,可控合成了包含有不同尺寸金纳米颗粒的复合纳米粒子,并通过实验证明了硅量子点与金纳米颗粒的结合。在电化学刻蚀制备硅量子点的同时,通过微波辅助法可以迅速地在硅量子点表面有效地修饰上一部分羧基、羟基或者烷基链,从而间接预先对这种复合纳米粒子进行修饰。这种新型的纳米复合材料具有硅量子点的荧光性质的同时,还具有各种尺寸纳米金的光学性质,具有广阔的应用前景和研究价值。     

非晶壳层SixN/SiyC包覆硅量子点的微结构表征

通过磁控溅射技术和1100℃的高温后退火处理,在富硅碳化硅薄膜中形成高密度小尺寸的硅量子点,硅量子点的结构由X射线光电子能谱和高分辨透射电镜进行表征,结果表明,在高温退火过程中,碳化硅薄膜发生了相分离,硅和碳的化学结合态在热力学的驱动下形成稳定的Si-Si键和Si-C键,同时,氮原子钝化了分解过程中形成的Si悬挂键,在硅量子点的表面形成SixN/SiyC非晶壳层。这种非晶壳层包覆量子点的结构配置非常有利于形成稳定的超小硅量子点 （1-3 nm）,此结构的量子效应所产生的光吸收了从绿光到紫外光的光谱范围,大幅度提高光伏太阳能电池的光电转换效率。     

硅基纳米结构太阳电池研究新进展

由于原材料蕴藏量非常丰富以及对环境无毒友好的特点,硅基太阳电池不仅在当前,而且在今后都将是光伏太阳电池的主流。传统晶体硅电池光电转换原理决定了其转换效率不可能在短期内有较大提高。基于量子限制原理的纳米结构材料具有独特的性能,能够实现全新结构的超高效率的光伏太阳电池。文章介绍了硅基太阳电池研究方面的一些最新研究进展,并指出了未来一些可能的发展方向。     

日本开发InAlGaN高功率LED

日本理化学研究所理研知识产权战略中心与松下电工共同开发出具有良好杀菌效果的发光二极管（LED），该LED可发出波长为280nm的深紫外光，输出功率为10．6mW，为世界之最。这是通过使用了在AlGaN中加入百分之几的In的4元混晶（InAlGaN）的元件实现的。新产品有望用于医院、家庭的便携式杀菌灯或用作氧化钛等光触媒用深紫外光源。     

美国生产出99.9999%最高纯度硅可为量子计算铺路

正继去年获得纯度高达5个9(99.9998%)的硅后,美国国家标准与技术研究院的团队又一次刷新纪录:他们使用一项相对简单的技术,生产出了可能是目前纯度最高的硅,该材料99.9999%以上的成分为硅28,仅有不到百万分之一为不确定的同位素硅29。许多量子计算方案需要同位素纯硅,比如用作衬底,在其上嵌入量子位(存储信息的量子比特)。项目负责人、该研究院物理测量实验室量子工序和计量学组的乔希·波默罗伊表示,"眼下面临的真正挑战是如     

含Ag量子点钠硼硅玻璃的三阶非线性光学性质

以正硅酸乙酯、硼酸、金属钠为前驱体采用溶胶-凝胶法合成含Ag量子点的钠硼硅玻璃。X射线粉末衍射 (XRD) 分析Ag量子点具有立方相。通过透射电子显微镜 (TEM) 和高分辨透射电子显微镜 (HRTEM) 测定量子点的尺寸和分布, 结果显示在玻璃中量子点呈规则的球形, 并且尺寸在5~13 nm之间。紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱仪得到Ag量子点的表面等离子体共振吸收峰大约在406 nm附近; 利用飞秒Z-scan 技术在800 nm波长处用飞秒钛宝石激光辐照对Ag量子点玻璃的非线性光学性质进行研究, 该玻璃的非线性折射率γ、非线性吸收系数β和三阶非线性极化率χ⁽³⁾分别为 –1.72×10^-17 m²/W、9.96×10^-11 m/W、1.01×10^-11 esu。     

1.5微米波段GaAs基异变InAs量子点分子束外延生长

1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值。本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度。在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用。在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长。最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491nm,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点。     

松下电工与农工大试制出使用纳米硅元件的发光元件

松下电工与东京农工大学研究生院工学院使用5nm以下的硅元件，试制出向氙气中放射电子从而得到可视光的发光元件。由于无需放电，可轻松提高发光效率。理论上能够实现1501m／W以上的发光效率。另一特点是：与荧光灯不同，不需要使用水银。     

美国Cree开发出发光效率达1311m/W的白色LED

美国Cree宣布开发出了发光效率达1311m／W的白色发光二极管（LED）。在至今发表的白色LED中，该发光效率为最高水平。 此次的产品在LED业界将成为新的标杆。这一发光效率值已得到美国国立标准技术研究所证实。该白色LED使用Cree公司的GaN（氮化镓）类LED芯片“EZBright”试制而成。1311m／W的发光效率是施加20mA电流时获得的数值。色温度为6027K。     

英开发可全彩显示的量子点材料

英国Nanoco Technologies开发出可使显示器全彩显示的量子点。普通的量子点将粒子大小精确地控制在2-20nm之间，通过调整粒子的电气特性，显示所需颜色。此前全彩显示时的长期可靠性及量子效率无法兼顾，而此次“进行了改进，使其能够应用于显示器”。     

美国开发成功性能超过InP的硅基超高感度光电二极管

据报道,美国英特尔日前开发成功了高速响应的硅基高感度光电二极管。其性能超过了原来的InP等化合物类的APD。由于同时实现了高性能和低成本,因此除长距离光缆的受光元件外,还可用于量子加密通信、高