系统级封装（SiP）技术发展与应用综述

小型化、轻量化、高性能、多功能、高可靠性和低成本是电子产品的总体发展趋势,在过去的十几年里,MCM和SoC等技术在微电子领域发挥了重要的作用。今天,SiP技术以其设计的灵活性、产品的高可靠性和制造的低成本化等特点脱颖而出,引起了业界的高度关注和重视,成为替代MCM和SoC等技术的一种理想的系统封装技术解决方案。本文阐述了SiP技术的定义和特点,比较了SiP与SoC的技术异同点,探讨了SiP技术的关键性技术问题及其典型的应用领域。     

SiP技术在晶圆级生产中的应用

系统芯片（SoC）旨在采用单一的半导体工艺技术实现完整的系统.系统封装（SiP）则是将各种不同的工艺技术整合到一个小型的芯片封装中.尽管SoC和SiP通常被认为是相互竞争的技术,但两者的共同之处在于：在集成密度、价位和大规模制造方面要和晶圆生产达到平衡点.     

鱼与熊掌:SoC,还是SiP?

本文分析了SoC和SiP的各自特点,指出SiP是一种充满前途的芯片形式,但是缺乏标准和设计工具将制约SiP的成长.     

CADENCE混合信号/MEMS协同设计技术

随着汽车与消费电子越来越多的使用微机电系统（MEMS）,工程师需要一个强大的使用系统级芯片技术（SoC）和系统级封装（SiP）技术的MEMS与混合信号协同设计流程,这样在MEMS设计子流程和传统的混合信号子流程之间就需要一个清晰的接口。Cadence VCAD Services已经开发了一种技术用于应对MEMS技术（面向SoC与SiP应用）的特殊需要,这种技术叫做SIMPLI。     

系统级封装技术综述

介绍了系统级封装SiP如何将多块集成电路芯片和其他的分立元件集成在同一个封装内,有效解决了传统封装面临的带宽、互连延迟、功耗和集成度方面的难题.同时将SiP与系统级芯片SoC相比较,指出各自的特点和发展趋势.     

基于SoC测试系统的RF圆晶片测试技术

以手机为代表的无线通信应用技术已向SiP化发展，因此对构成SiP芯片的各个单元（chip）进行圆晶片级别的测试就必不可少。爱德万测试（ADVANTEST）开发了基于SoC测试系统的RF圆晶片测试解决方案，提供了一系列新技术来解决串扰、电源阻抗和等长布线等课题，从而实现低成本的圆晶片测试。本文将就RF圆晶片级别测试技术及SoC测试系统来介绍该RF圆晶片测试方案。     

微系统与SiP、SoP集成技术

微系统技术是突破摩尔定律极限的重要解决途径之一,受到广泛关注.微系统的实现途径有SoC、SiP和SoP三个层级,其中SiP和SoP以其灵活性和成本优势成为近期最具应用前景的微系统集成技术.综述了SiP和SoP的技术内涵、集成形态以及关键技术,为微系统集成实现提供参考.     

系统级封装使用的硅基板

近年来,便携式发展和系统小型化的趋势,要求芯片上集成更多不同类型的元器件,如RF IC、各类无源元件、光机电器件、天线、连接器和传感器等.单一材料和标准工艺的SoC受到了限制,在其基础上,快速发展的系统级封装（SiP）在一个封装内不仅可以组装多个芯片,还可以将上述不同类型的器件和电路芯片叠在一起,构建成更为复杂的、完整的系统.     

SHRIME与AWR共求突破中国RF技术瓶颈

CMOS射频收发器代表了射频IC技术的发展趋势,高集成的单芯片方案SoC,和低成本的制造技术SiP,(系统级封装)应该是RF技术的主流发展方向。     

IC设计的低功耗新挑战

在消费性电子当道时代,轻薄短小与使用的长时间续航力,带给相关产业巨大的挑战.在半导体设计产业,高效能,高整合度且低功耗的SoC(系统单芯片)或SiP(系统封装)已然成为开发上的主流.驱使这     

高密度封装进展之三——SiP与SoC

哪种方式更能提高LST的附加值?是SiP(system in a package)还是SoC(system on a chip)?LSI厂家正对此进行激烈争论。作为系统集成的选择方式,LSI厂家一直集中力量致力于SoC的开发。但是LSI厂家发现,仅靠SoC这一条路线已不能满足用户的要求。目前,对于各大LSI厂家来说,要不要转换其发展资源的投入方向,需要当机立断。     

集成道路上SoC与SiP谁主浮沉？

与昌圆双雄(台积电、联电)有着密不可分的IC设计服务公司创意与智原,于2003年8、9月接二连三的成立IP Mall,其希望透过IP(Intellectual Property)交易平台的建立,授权给IC设计业者加速重复使用IP以缩短芯片开发时间,也迫使SoC(System-on-a-Chip)与SiP(System-in-a-Package)的争夺战再一次浮上台面。     

系统级封装技术方兴未艾

本文论述系统级封装SiP与系统级芯片SoC的比较优势，重点介绍叠片式封装和晶圆级封装技术如何有效提高封装密度并解决了传统封装面临的带宽、互连延迟、功耗和总线性能等方面的难题。     

顺应高集成度发展趋势,SoC和SiP各显神通

高集成度提高芯片性能,降低功耗,缩短产品设计时间,在激烈的市场竞争中赢得主动,同时可以使系统设计更加容易,而且可以减少外围器件数量,降低总体物料成本。无论以SoC、SiP或MCP,还是所谓的PSoC,电子产品制造商需要根据自身的需要来选择合适的方案。     

SiP组件中芯片失效机理与失效分析

由于分析手段与分析设备的限制,系统级封装（SiP）组件的芯片在失效分析的过程中带有一定的盲目性。结合故障树分析方法,以PM O S芯片失效为例,讨论了SiP组件常见的管芯失效机理：电应力失效、热应力失效、机械损伤和环境应力失效以及相应的失效现象;最后从设计和工艺角度提出了降低各种失效机理发生的改进措施。     

多芯片封装：高堆层，矮外形

SoC还是SiP?随着复杂系统级芯片设计成本的逐步上升,系统级封装方案变得越来越有吸引力。同时,将更多芯片组合到常规外形的单个封装中的新方法也正在成为一种趋势。     

应用于TPMS的压力传感器YAPS10

汽车轮胎压力监测系统（简称TPMS）主要是由压力传感器、微处理器、天线、射频芯片、电池组成。但由于市场需求的升级,整个系统向小型化、多功能以及更高性能方向发展。这需要对片上系统进行集成,在集成过程中需要应用到SiP、SoC以及MEMS等先进技术。文中介绍的压力传感器,使用了SiP技术,将压力传感器、微处理器和射频芯片集...     

宽带射频SiP集成工艺IP建模仿真技术及应用

宽带射频SiP中包含不同功能基板、金丝金带级联、射频类同轴互连等工艺传输单元,这些传输单元的结构要素及其工艺容差对组件的宽带性能影响较大,但在理想的射频链路仿真往往被忽略,导致实测与仿真设计值偏差较明显.针对此问题,文中通过电磁仿真优化、射频性能提参、神经网络建模及封装技术,开发了一批宽带微波集成工艺IP,并以一款宽带...     

多核心SoC新时代揭幕

在消费性电子当道时代,轻薄短小与使用的长时间续航力,带给相关产业巨大的挑战,在半导体设计产业,高效能,高整合度且低功耗的SoC(系统单芯片)或SiP(系统封装)已然成为开发上的主流,驱使这股科技大潮成真的,与Star IP(指微处理器IP)厂商的进展有重大的关系.     

系统级封装加速16位接收器设计

应用于高灵敏度、高速接收器的SiP技术不仅集成了采用不同工艺技术的电路和无源组件,而且有效集成了最大限度提高性能所需的布局方法。通过补充经验上的不足,这些μModule接收器提高了一次成功率,并加快了设计周期。