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对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用RTCVD法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈100〉晶向p+ + 型重掺硅片,电阻率为5×10- 3Ωcm 。主要工艺过程为:在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼,膜厚38μm ,扩磷制备p-n 结,背面蒸Al及Ti/Pd/Ag 制背电极,正表面在扩散后生长一层SiO2 ,前面用光刻剥离法制备Ti/Pd/Ag 电极,制成的1cm 2 太阳电池,开路电压VOC= 612.8m V,短路电流ISC= 29.3m A,填充因子FF= 0.7579,效率η= 13.61。对一些影响电池特性的因素进行了研究,发现硅薄膜的掺杂浓度、发射层的掺杂浓度以及减反射层都对太阳电池的特性有较大影响。 相似文献
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在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有ZnS和Zn(OH)2,SEM测试表明薄膜颗粒大小相近,但不致密。随着沉积时间的增加,薄膜厚度增加,透过率减小。当前采用CBD-ZnS薄膜制备的无镉CIGS太阳电池转换效率达到8.54%。 相似文献
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薄膜太阳电池性能与结构缺陷有关。对有某种缺陷陷的电池施加一定幅度的电压,同时观察其暗特性的变化,根据观察到的变化增减电压值,可消除缺陷,减少漏电,提高器件性能和制作成品率,这是一种简捷、有效、省时、省能的方法。本技术可作为薄膜太阳电池制造的常规工艺步骤而进入流水线,还可推广应用到其它固体薄膜器伯的研制、开发和生产上。 相似文献
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