H3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究

详细介绍了Φ３ 英寸ＧａＡｓ离子注入掺杂材料的制备结果     

氮离子注入对GaAs肖特基势垒性能影响的研究

本文利用离子注入方法,用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验。结果表明,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性。     

InP和GaAs中的Mg~+离子注入

本文研究了Mg~+离子注入InP和GaAs中的电学性能和辐射损伤行为.范德堡霍尔方法测量和电化学C-V测量均表明,快速热退火方法优于常规热退火方法,共P~+注入结合快速热退火方法能进一步减小注入Mg杂质的再分布,使电激活率大大提高。卢瑟福沟道分析则表明,相同注入条件下,InP中的辐射损伤较GaAs中大得多,大剂量注入损伤经热退火难于完全消除.     

Te离子注入GaAs的穆斯堡尔谱研究

<正> 对GaAs注入施主型杂质离子Te(或Se,S),在高注入剂量下经高温退火后仍有大量注入原子不能电激活。过去,利用穆斯堡尔谱(简称MS)研究GaAs中Te有过一些工作。William-son等测量了LEP掺125Te的GaAs的MS,Schroyen等及Niesen等测量了129Te注入GaAs的MS,均发现经一定温度退火后GaAs中有相当多的Te不处在代位式。但对非代位式的原因有不同判断,曾提出过的模型有Ga2Te3沉淀、Te-空位组合体和TeASVGa对等。故此问题仍需进一步研究。     

Mn+离子注入GaAs的铁磁性质和结构

报道Mn+离子注入(001)GaAs后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的性质和结构特性.磁化强度测量结果显示室温下具有铁磁性.用透射电子显微镜、X射线能谱和电子衍射分析表明除形成MnGa晶粒外,还有含少量Ga的MnAs晶粒.原子力显微镜和磁力显微镜的结果表明在750-900℃下退火形成的铁磁颗粒以单畴为主.     

Mn~+离子注入GaAs的铁磁性质和结构

报道 Mn+ 离子注入 ( 0 0 1 ) Ga As后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的性质和结构特性 .磁化强度测量结果显示室温下具有铁磁性 .用透射电子显微镜、X射线能谱和电子衍射分析表明除形成 Mn Ga晶粒外 ,还有含少量 Ga的 Mn As晶粒 .原子力显微镜和磁力显微镜的结果表明在 750— 90 0℃下退火形成的铁磁颗粒以单畴为主     

高速双极器件制造中的离子注入技术

本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子注入层的退火技术。根据这些要求,对离子注入设备应具有的技术性能作了一些预测。     

离子注入法制备GaAsl量子阱集成多波长发光芯片

报道了用离子注入方法和组合技术制备的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱多波长发光集成芯片,利用量子阱果面混合原理在同一块ＧａＡｓ衬底片上获得了２０多个发光波长从７８７￣７２４ｎｍ的ＧａＡｓ量子阱发光单元,研究了不同剂量的Ａｓ和Ｈ离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响,采用了组事技术和离子注入技术大大筒化了制备工艺过程,这种上发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义     

提高金属材料离子注入效益的一条新途径

本文评述了在金属材料领域中应用离子注入技术的现状;阐明了提高离子注入效益的一条新途径:不仅以离子注入技术改变工模具的性能,延长其使用寿命,而且以离子注入技术来显著提高金属产品的质量。文末还对进一步发展离子注入的前景做了展望。     

注入Ga离子的GaAs／AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究

用注入Ｇａ离子ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散，表现在ＰＬ光谱中量子阱峰值能量有３０～９０ｍｅＶ的兰移．发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关，并得到快速退火中的互扩散系数Ｄ约为１０－１５～１０－１７ｃｍ２／ｓ     

离子注入对轴承材料耐滚动磨损性能的影响

本文小结了用Cr+Mo+N和Cr+Mo+B的离子直接注入GCr15和Cr4Mo4V两种轴承材料后对其耐滚动磨损能力的影响。试验结果表明,无论是用活化法(TLA)还是称重法,注入后的耐磨性能都有1—3倍的提高。