掺Er凝胶玻璃中Er离子发光性质的研究

用溶胶－凝胶方法合成了掺铒（掺杂浓度10^20/cm^3)的二氧化硅玻璃。在室温下可产生1.54μm波长的红外荧光。实验结果表明：荧光强度随掺杂浓度的不同而改变，并在0.5W%的掺杂浓度下出现最大值。当温度从4K升至300K时，荧光强度下降了74％。通过FT－IR和EXAFS检测，Er离子与O组成了配位数为8或9的配位结构。     

Er离子注入Si和SiO2/Si溅射和外扩散对浓度分布的影响

利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源引出的Er离子对单晶硅和单晶硅衬底上的SiO2膜进行了离子注入,用背散射方法分析了不同注入条件下Er原子浓度分布.实验结果表明,离子注入突破了平衡生长方法掺Er硅溶解度的限制,实现了离子的高浓度掺杂.在硅和氧化硅中,最大Er体浓度分别达到4.71×1021 cm-3和7.67×102 cm-3,远超过了常规方法所能得到的Er掺杂浓度.但是由于Er离子重,射程短而溅射效应强,因此限制了Er原子浓度的进一步提高.在注量相同时,随束流密度的增加,Er外扩散效应增加.用快速退火热处理可消除部分辐射损伤,但是退火也引起了Er原子的外扩散.本文中给出了溅射和外扩散引起的Er原子丢失量与注入条件和退火条件的关系,给出了获得高浓度Er的途径.Er注入单晶硅和热氧化硅,随注量的增加Er保留量逐渐达到饱和,饱和量接近2×1017cm-2,而丢失量增加.     

退火处理对Ti—Al—Zr合金拉伸性能和腐蚀行为的影响

评估了退火对Ti-Al-Zr合金拉伸性能和腐蚀行为的影响。在500－800℃的温度范围内退火1小时，使得晶粒和沉淀相粒子尺寸增加。室温拉伸的结果表明，退火温度对强度和塑性几乎没有影响。然而在360℃，pH为9.98的氨水溶液中的腐蚀试验结果表明，抗腐蚀能力与退火温度有关，腐蚀速率随着退火温度的提高而增加。在220天的腐蚀试验期间所吸收的氢含量也随退火温度而增加。这可以归因于富铁沉淀相因退火而长大。建议采用较低的退火温度来得到良好的腐蚀性能，同时使室温拉伸性能下降。     

最终退火温度对N36合金管材微观结构和性能的影响

为了对N36合金管材的微观结构和应用性能进行优化和调控,通过分析不同最终退火温度（520～560℃）下N36合金管材的性能数据,研究了最终退火温度对N36合金管材微观结构和性能的影响。经过研究发现,不同最终退火温度对于N36合金管材中的第二相粒子影响不大,主要影响N36合金管材的再结晶程度和晶粒尺寸,最终退火温度越高,则N36合金管材的再结晶程度越高,晶粒尺寸越大。随着最终退火温度升高,N36合金管材的室温和高温轴向和环向的强度明显降低,同时延伸率明显升高,主要是最终退火工艺对N36合金管材再结晶程度和晶粒尺寸的影响所造成的。随着最终退火温度升高,N36合金管材耐腐蚀性能提高,560℃最终退火温度的N36合金管材耐腐蚀性能明显优于其他管材,主要是560℃最终退火温度的N36合金管材再结晶程度最高所造成的。     

热释光综合退火炉及其退火性能研究

本文介绍了综合退火炉的技术指标和结构特点。并与传统的“标准”退火及“测量”退火进行了比较。实验结果表明；对于ＬｉＦ（Ｍｇ、Ｔｉ）片；综合退火在灵敏度、分散性、本底剂量、退火时间等技术指标上，都显著优于标准退火；对于ＬｉＦ－Ｍ敏化片，综合退火在发光曲线、退火效率以及残存剂量等方面，比测量退火都有明显改善。     

双吡咯烷酮为核的联噻吩衍生物SMDPPEH薄膜热退火过程中微结构变化的实时表征

用旋涂法制备了双吡咯烷酮为核的联噻吩衍生物(Diketopyrrolopyrrole-containing Oligothiophene,SMDPPEH)薄膜,并采用紫外-吸收光谱和掠入射X射线衍射方法研究了热退火过程中的微结构变化。原位热退火的紫外-吸收光谱结果表明,100?C及以上时,第二个和第三个最大吸收峰发生蓝移。掠入射X射线衍射结果表明SMDPPEH薄膜在100?C左右退火时有相变产生,并且随退火温度升高,薄膜的结晶度在增大。相应处理后的SMDPPEH薄膜的紫外-吸收光谱和掠入射X射线衍射证明了SMDPPEH薄膜这个相变保留到了降温后的薄膜中。     

用内转换电子穆斯堡尔谱法研究掺锑气敏材料SnO2

用CEMS方法对掺锑的SnO_2气敏薄膜作了研究。该材料对H_2、CO的气敏响应取决于掺锑浓度(x％)和退火温度。实验发现:样品的CEMS参量同质异能移和四极分裂分布宽度在x=1％时为最小值,正好与气敏响应灵敏度达最大值相一致。由此进一步讨论了气敏薄膜的敏感机理。     

稀土硅反铁磁样品制作与性能测量

用电弧熔炉制备了稀土元素和硅的合金化合物R5Si3（R为Pr，Nd，Tb，Dy，Ho，Er）系列。样品在室温和1325K高温退火后分别进行了X射线粉末衍射测量，表明1325K高温退火对样品单相性改善具有比较明显的作用。对R5Si3晶体结构进行Rietveld精修，验证了Pr5Si3和Nd5Si3属于四角晶系，空间群为I4／mcm；其他R5Si3（R=Tb，Dy，Ho，Er）属于六角晶系，空间群为P63／mcm。     

场激活合成法制备热电材料β-FeSi2

以Fe、Si粉为原料．添加微量Cu．采用场激活的方法一步完成β相FeSi2的合成．致密和退火。本文分析研究了微量Cu对材料合成速度和显微组织的影响,结果表明：微量Cu能够显著提高材料的合成速度;Cu以白色富集区的形式存在;退火时间对ε相的残留量没有显著影响．但能使长条状的Si富集区的长径比发生变化。     

PET薄膜中32S离子径迹的热退火效应

采用径迹蚀刻的方法研究了热处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜中重离子径迹的热退火效应。使用113.7 MeV的³²S离子在PET薄膜中产生垂直于表面且贯穿薄膜的离子径迹。对薄膜进行局部热处理,加热温度为70～240 ℃,时间为1～300 s。薄膜经过化学蚀刻成核孔膜后使用显微镜观测。结果表明：在相同的热处理时间下,随着热处理温度的升高,PET薄膜中离子径迹的热退火效应愈加明显;在热处理温度不变的情况下,随着热处理时间的增加,退火效应亦愈加明显。     

CuAlTiWV高熵合金薄膜的制备及掺氦和退火行为研究

利用磁控溅射技术,在纯Ar和Ar-He混合气氛下制备CuAlTiWV高熵合金薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(Field Emission Scanning Electron Microscope,FESEM)、高分辨透射电子显微镜(High Resolution Transmission Electron Microscope,HRTEM)和X射线衍射仪(X-ray Diffraction,XRD)分别表征了薄膜的微观形貌和相结构,用划痕实验和FESEM研究薄膜的膜基结合强度和失效模型。结果表明:未掺氦且未退火CuAlTiWV高熵合金为非晶相基体上弥散分布着体心立方(Body Centered Cubic,BCC)相和金属间化合物相纳米尺寸粒子的结构。氦的引入和退火处理会影响薄膜的结晶度,但不会改变晶体结构类型。此外氦会使薄膜的表面产生鼓包,膜基界面处产生孔洞,从而使薄膜的临界载荷降低,失效模型由黏着失效转变为内聚失效。     

GR-200A LiF(Mg,Cu,P)圆片不退火应用研究

通过改变升温速度,最大读出温度及恒温时间等参数研究了性能改善的ＧＲ－２００Ａ重复使用中的灵敏度,残余信号和发光曲线的变化情况,探讨了不退火重复使用的可能性,结果表明采用最大读出温度２４０℃,恒温时间２０ｓ,升温速率为６℃／ｓ时能达到残余信号减少到小于０．５％,且重复使用中灵敏度稳定,发光曲线不发生变化,删除了辐照前退火炉退火的需要。     

Fe-(Co6Ag94)颗粒膜磁光芯片的制备及研究

采用二分掩膜技术向溅射沉积的(Co6Ag94)薄膜中组合注入Fe离子，制备成具有不同Fe含量的16单元Fe-(Co6Ag94)颗粒膜磁光芯片。对制备态和退火态的Fe-(Co6Ag94)颗粒膜的物相进行了XRD研究。不同退火温度下，物相的演变反映出了退火过程中Co、Fe相和FeCo相纳米微晶的析出长大过程。采用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面的研究结果表明，在退火过程中形成了嵌于基底中的纳米颗粒相。对制备态和不同温度退火后芯片各单元的磁光性能进行了测量，结果表明极向Kerr旋转角晚随着注入Fe含量的增加而增大，这可归因于颗粒膜中铁磁相的增多。在500℃以下，随着退火温度的增加，Fe-(Co6Ag94)颗粒膜的克尔磁光效应增加。对不同温度退火的样品进行穆斯堡尔谱测量，结果证明一定尺寸纳米Fe微晶颗粒的出现是磁光效应提高的主要原因之一。     

退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响

采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积CsI薄膜,然后进行不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对CsI薄膜样品进行分析,测得241Am的脉冲高度谱,通过单光子法测量样品的光产额.结果表明,该CsI薄膜沿(200)晶面择优取向生长.退火温度对CsI薄膜的晶体结构和闪烁性能有很大的影响.CsI薄膜经过250℃退火后,(200)晶面衍射峰明显增强,结晶状态最佳,光产额最高,而退火温度达400℃时,薄膜结构发生显著变化,闪烁性能急剧下降.     

硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响

用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解,形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错。同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。     

Mo/Si/C多层膜退火后的同步辐射研究

通过对Mo/Si周期多层膜添加碳(C)层、进行高温退火处理,研究了Mo/Si/C多层膜进行热处理后在同步辐照条件下对薄膜相关物理特性的影响。发现Mo/Si周期性多层膜增加C层后不影响薄膜的反射特性,退火前45°入射角92 eV处反射率高达42％;热稳定性也有所提高,在600℃高温退火后仍能保持6.8％(97 eV处)的反射率。同时,由于非晶C在高温条件下的扩散导致薄膜结构发生变化,观测到薄膜的小角衍射曲线中出现并临的双衍射峰结构。     

硅中注H^＋气泡层的退火行为——气泡释放与表层剥离

室温下将能量为１４０ｋｅＶ，剂量为５×１０＾１６／ｃｍ＾２的Ｈ＾＋注入到硅单晶中，在硅有层下形成了气泡层，采用背散射与沟道技术，热波分析技术以及金相显微镜等分析测试手段，对气泡层的退火行为进行了研究。结果表明退火过程中存在一个临界温度，高于监界温度退火，样品表面会形成砂眼或发生薄层剥离现象，而且剥离块密度随退火温度的升高而增加；而在临界温度以下，气泡层对表层硅的单晶质量没有影响。热波测量的结果表明     

超细Ni—B非晶态合金的退火晶化及其催化性能

本采用XAFS、XRD、DTA三种方法研究化学还原法制备的NiB超细非晶态合金在退火过程中的结构变化及结构与催化性能的关系。XRD和XAFS结果表明,NiB超细非晶态合金的退火晶化过程分两步进行,在325℃的退火温度下,NiB超细非晶态合金晶化生成纳米晶Ni和NiB亚稳物相;在380℃或更高的退火温度下,绝大部分Ni3B进一步晶化分解生成金属Ni物相,其产物中Ni的局域环境结构与金属Ni箔的基本一致。我们发现纳米晶Ni比超细Ni-B非晶态合金或晶态金属Ni粉末有更好的苯加氢催化活性。     

朝阳1号聚碳酸酯中径迹退火研究

本文报道了朝阳1号聚碳酸酯固体径迹探测器中^208Pb和^93Nb离子径迹的退火行为。给出了退火温度和时间对退火速率的影响，温度对VT的影响。^208Pb和^95Nb的退火活化能分别为0．891eV和0.352eV。     

低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究

采用金属蒸气真空弧(MEWA)离子源以低束流方式将Nd离子注入到外延硅片中，经高温快速退火处理，制备了结晶良好的钕硅掺杂层。用扫描电子显微镜(SEM)、反射式高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)分析了在不同退火条件下样品注入层相结构的变化。研究结果表明，经高温热处理，注入层形成结晶良好的钕硅化合物，出现由Nd5Si4相向NdSi相转变的趋势。并对其转变过程进行了初步探讨。