细铜丝电子背散射衍射试样的制备

为了解决细铜丝电子背散射衍射（Electron Back-Scattered Diffraction,EBSD）试样制备的难题,将电化学镀镍技术引入到EBSD试样制备过程中,并对电化学镀镍过程的工艺参数进行了研究.同时,电解抛光过程对EBSD试样表面质量影响显著,文中讨论了抛光电压和抛光时间对EBSD试样表面质量的影响.研究结果表明,当电镀液为硫酸镍280g/L、氯化镍45g/L、硼酸30g/L、十二烷基硫酸镍0.05g/L,在室温下,电压为1V、pH=3时细铜丝上能够获得很好的镀层;当电解抛光配方为蒸馏水500mL＋磷酸250mL＋乙醇250mL＋丙醇50mL＋尿素5g,温度为-15℃～-20℃,电压为3V,时间90～120s,试样抛光效果较佳;采用上述两种过程处理后,真应变为8.42的EBSD试样的标定率可达80%以上.     

多通孔阳极氧化铝膜的制备

通过两步阳极氧化法由铝片制得高度有序的多孔氧化铝膜（PAA）,采用高电压瞬时脉冲法分离出完整而独立的多通孔氧化铝模板.用SEM对其表面进行分析,结果表明用瞬时电压脉冲法可以很好地分离出完整的通孔膜,且膜质量很高.孔直径为40～50 nm,孔间距为90～ 105 nm,膜厚度为25μm左右,孔密度高达1.34×10^10个/cm2.通过4次阳极氧化的时间电流密度曲线对比,表明两步阳极氧化可以制得高度有序的PAA膜.     

不同条件制备聚丙烯酸水凝胶的结构与性能

采用乳液聚合方法将引发剂过硫酸铵（APS）和乳化剂十二烷基硫酸钠（SDS）制备出聚丙烯酸树脂乳液,再加入不同条件交联剂固化成聚丙烯酸（PAA）水凝胶,并探究使用紫外固化和热固化2种不同固化方式及不同固化时间对PAA水凝胶性能的影响。通过氮气等温吸脱附曲线测试（Brunauer-Emmet-Teller, BET）、扫描电子显微镜（scanning electron microscope, SEM）、热失重分析（thermogravimetric analysis, TGA）、溶胀度、力学测试等方法,对水凝胶的性能进行表征分析。结果表明,形成的PAA水凝胶主要为片状颗粒材料,在紫外固化20 min条件下,其孔径主要分布在2～4 nm;且在热固化条件下,当交联剂质量浓度为0.06、0.07 g/mL时PAA水凝胶溶胀度可达到667%,在交联剂质量浓度为0.09 g/mL时拉伸强度可达到60 k Pa。综上所述,对比紫外固化和热固化2种方法以及不同条件交联剂下制备的PAA水凝胶的差异,对理解和优化PAA水凝胶的制备具有一定的指导意义。     

ULSI制备中SiO2介质的化学机械抛光

对超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综述,对抛光浆料及抛光工艺中存在的一些难题进行了分析,对如何提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题进行了讨论．     

Au-TiO2纳米管阵列的制备及其在降解制糖废水中的应用

采用阳极氧化法在纯钛表面制备出了TiO2纳米管阵列薄膜.以罗丹明B为目标降解物,20W紫外灯（λ =253.7 nm）作为光源,探讨了制备Au-TiO2纳米管阵列（Au-TNTs）的最佳工艺,并采用扫描电镜（SEM）、X射线衍射物相分析（XRD）、能谱分析（EDS）等对样品进行了表征.结果表明,以1g/L HAuC14＋ 30 g/L H3BO3为沉积液,当沉积电压为2.5V、超声条件下电沉积时间为60 s时,可制得理想稳定的Au-TNTs;Au掺入量占薄膜质量的16.71％,Au的掺入并没有改变TiO2纳米管阵列的表面形貌及晶型,但却显著提高了TiO2纳米管阵列的光催化活性.将Au-TNTs用于制糖废水的光催化降解,结果发现：当光照时间为30 h、pH值为1时,Au-TNTs对制糖废水的光催化降解率可达89.59％,比TNTs高出80％.Au-TNTs对制糖废水的光催化降解过程符合一级动力学过程.     

轨道车辆用Al-0.6Mg-0.6Si铝合金焊接技术与接头性能

对轨道车辆车体用新型Al-0.6Mg-0.6Si铝合金型材进行了MIG焊(惰性气体保护金属极电弧焊)试验,利用拉伸试验、光学金相(OM)和扫描电镜(SEM)等方法对焊接接头的成型、气孔缺陷、性能和断口形貌进行了观察和分析.结果表明:Al-0.6Mg-0.6Si铝合金采用70°V型对接形式,使用MIG焊接工艺和表面抛光良好、直径1.2mm的ER5356焊丝,能够获得成型良好的焊接接头.MIG焊接工艺参数为:焊接电流160～180 A,电弧电压18～20V,焊接速度6.0～6.5 mm/s.焊接接头的抗拉强度为266 MPa,断后伸长率为6.1％,断口位于焊缝,断裂形式为韧性断裂,断口呈典型的韧窝结构.     

PMMA固体电解质的导电桥纳米开关的制备和性能研究

为了研究以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为固态电解质导电桥纳米开关的特性,文中采用FR-4覆铜板(Cu)作为活泼电极,Al作为惰性电极,PMMA作为固态电解质,研究了Cu/PMMA/Al导电桥纳米开关的制备工艺和性能.研究结果表明:旋转涂胶形成PMMA薄膜的厚度对Cu/PMMA/Al开关的性能起决定性因素,最大开关转换次数随旋转转速的增大而增大.电化学抛光时间和氧化时间对Cu/PMMA/Al纳米开关性能的影响相对较弱.电化学抛光时间为30s和60s时,纳米开关的开关循环次数总体上比电化学抛光时间为90s时的多.氧化时间对Cu/PMMA/Al纳米开关性能的影响没有明显的规律性.FR-4覆铜板用磷酸电化学抛光30s,在180℃的条件下氧化7min,以4 000r·min~(-1)旋转速率涂胶后,Cu/PMMA/Al导电桥纳米开关可实现开关305次;铜表面电化学抛光处理Cu/PMMA/Al纳米开关的开关比(高阻态/低阻态)为105,高阻态与低阻态时的电阻基本上不随时间变化.     

银试样的电解液制备及工艺参数优化

为了有效地分析银试样的微观组织及形变织构,结合透射电镜和电子背散射衍射,制备了银试样的电解液,优化了电解抛光工艺参数.研究结果表明：利用配比为硫酸50mL＋冰乙酸115mL＋高氯酸6mL＋甲醇350mL＋草酸12g＋硫脲77g的电解液,分别在温度为0～25℃,电压为5～25V,时间为3～5min和温度为0～25℃,电压为15～20V的条件下,对试样Φ3mm×0.1mm和10mm×3mm×2mm进行电解抛光,获得了大薄区的透射电镜试样和标定率高达85%的电子背散射衍射试样.     

不同初始取向铜单品制备技术的研究

为了获得制备确定初始取向铜单晶的最优工艺参数,采用不同的抽拉速度、坩埚材料以及单晶体生长通道参数值制备出铜单晶体试棒．并应用TEM,XRD衍射分析对其进行取向标定．结果表明：采用高纯石墨坩埚,单晶体生长通道直径为2mm,在（1450±5）℃下保温2h,运动距离在30mm以下时抽拉速度为2μm／s,运动距离超过30mm时抽拉速度为8μm／s,所制备出的铜单晶体表面光洁均匀,且试棒的初始取向的偏差与设计值在。以内．     

铝合金碱性抛光液及其工艺条件

由于铝合金在碱性溶液中腐蚀速度极大,致使抛光时间不能过长;此外由于碱性溶液抛光后表面的光亮度不大,所以降低铝的腐蚀速度、提高抛光光度是碱性化学抛光的关键;作者对铝合金的几种新型碱性化学抛光液及其工艺条件进行了研究。试验结果表明：添加由硫脲（或钼酸铵或六次四基四胺）、硅酸钠、十二烷基硫酸钠构成的复合缓蚀剂能大大提高铝合金抛光质量,同时可抑制碱雾的产生。铝合金碱性抛光液的较佳配方与工艺条件为：NaOH300g/L,NaNO3 250g/L,硫脲20g/L,硅酸钠10g/L,十二烷基硫酸钠1．5－1．8g/L,温度60－70℃,抛光时间80－100s。     

玻璃基底上多孔氧化铝模板的制备

利用磁控溅射在玻璃基底上直接溅射一层铝薄膜,然后利用阳极氧化制备了多孔氧化铝模板,扫描电子显微镜图片显示在195V、60s的条件下获得的多孔氧化铝模板孔道排列规则,且双向贯通。这种方法为在玻璃等硬质基底上制备规则的纳米结构提供了一种有效途径。     

Influences of polishing on return loss of optical fiber connectors

With Al2O3 and SiO2 as polishing medium, under different polishing conditions, e.g. with different polishing pressure, polishing time and polishing fluid, the influences of polishing treatment on the return loss of optical fiber connectors were investigated. The return loss of optical fiber connectors is 32-38 dB before polishing. The resuits show that dry polishing(i, e. no polishing fluid) with Al2O3 has less influence on return loss of optical fiber connectors, while dry polishing with SiO2 reduces return loss to about 20dB because of the end-face of optical fiber contaminated. The wet polishing(i, e. using distilled water as polishing fluid) with Al2O3 or SiO2 can increase return loss to 45-50dB, but wet polishing with Al2O3 may produce optical fiber undercut depth of 80-140nm. Wet polishing with SiO2 should be preferentially selected for optical fiber connectors and polishing time should be controlled within 20-30s.     

电动修复技术处理铬污染黏土试验研究

利用电动修复技术对红星化工厂铬渣污染黏土进行修复,试验电压分别为20,30,40,50,60V,以0.1mol/L KCl为两极电解液,阴极采用乙酸控制pH值在6左右,试验周期为5d.结果表明：电动修复能够去除土样中的铬,最高去除率可达58.26%;本试验50V即1.25V/cm电压梯度为经济有效的去除电压;Cr（Ⅵ）以含氧阴离子的形式向阳极迁移,Cr（Ⅲ）迁移较复杂,在沉淀态和游离态之间转换;阳极电解液中Cr（Ⅵ）的浓度易达到饱和,对Cr（Ⅵ）的去除产生抑制.     

电容式非制冷红外焦平面阵列设计及优化

提出一种基于MEMS工艺弯折双材料悬臂梁结构的电容式非制冷红外焦平面成像阵列（FPA,Focal Plate Array）。并利用软件CoventorWare对器件的物理学特性进行有限元模拟分析。发现FPA的温度响应度和位移响应度与辐射能量呈线性关系;得到热时间常数、位移、温度灵敏度与铝膜与二氧化硅厚度比的关系,并得出当比率为0.5～0.6时位移响应最大,100μm×100μm和50μm×50μm两种尺寸器件的位移灵敏度峰值分别为0.061nm/pW.μm^-2和0.008nm/pW.μm^-2;随着器件尺寸的增大,其探测能力增强,瞬态响应降低;计算了吸收面与探测极板间的吸合附电压,得到100μm×100μm面板的吸附电压为3.625V～3.750V之间,50μm×50μm面板的吸附电压为10.250V～10.375V之间,以及器件尺寸与吸附电压间的关系.     

新型钒氧酸盐的水热合成与晶体结构

利用水热合成法,由CuSO4、NH4VO3、乙二胺,反应物摩尔比为3∶10∶1,在反应釜内,180℃、高压的条件下晶化4d,制备钒氧化合物Cu（C2H4N2）V2O6,并对其结构进行表征,通过X射线衍射确定晶体结构,该晶体晶胞参数为a=5.786 1（12）nm,b=8.161 7（16）nm,c=17.523（4）nm,α=90.00°,β=90.43（3）°,γ=90.00°,Z=827.5（3）,D=2.323,F_000=546,R1=0.028 8,Wr=0.079 5。Cu原子为六配位,形成八面体,V1、V2均为四配位,形成钒氧四面体,单分子之间连接成一维链状结构,链与链之间通过氧原子彼此相连形成二维网状结构。     

碱性环境下二维纳米AlOOH聚集体形态及“生长基元”运动

通过构建酸性水热环境条件下的AlOOH"生长基元"模型,揭示了酸性环境下晶体一维成长的机理。构建碱性水热条件下的"生长基元"模型,从原子层面揭示AlOOH发生二维片状定向生长的机理。重点分析pH=10,13条件下的纳米AlOOH的"聚集体"特点以及生长基元运动方式。用实验样品直接验证所构建模型的合理性。并通过X衍射结果佐证不同pH条件下的聚集体形态的存在,并验证了纳米AlOOH的Al 3+双聚体[Al3(OH)4(OH2)9]5+﹑[Al3(OH)5(OH2)8]4+﹑[Al3(OH)6(OH2)7]3+的存在。     

脉冲偏压对铝合金上TiN膜生长的影响

为了研究在铝合金上硬质膜的性能,促进硬质TiN膜在铝合金构件上的应用,利用电弧离子镀在7075铝合金上沉积TiN膜层,并通过改变脉冲偏压幅值研究其对薄膜生长过程的影响.结果表明,生长的TiN膜具有柱状特征,在无偏压或低偏压时,柱状特征明显,但随着负偏压值的增大,柱状特征变得不明显,膜层中Ti和N的原子比率增加,由无偏压、低偏压时近似为1.0增加到-200V偏压时的1.2.在0～-200V偏压范围内,沉积膜的平均生长速率由1.5μm/h增加到11.3μm/h.随着负偏压的增加,TiN膜的(111)方向的择优取向越来越明显,而(200)方向强度越来越小.沉积膜呈柱状生长,具有明显的择优取向,其程度受脉冲偏压影响.     

钒胁迫对芥菜生理特性的影响

通过盆栽试验研究了V（Ⅴ）在不同胁迫浓度和胁迫时间内对芥菜叶片中叶绿素含量、丙二醛（MDA）含量、过氧化氢酶（CAT）活性及过氧化物酶（POD）活性的影响。结果表明：随着V（Ⅴ）浓度的增加和胁迫时间的延长,叶绿素含量呈先上升后下降趋势;MDA含量随着V（Ⅴ）胁迫浓度的增加而增加,各浓度条件下MDA含量随时间的延长呈先升后降趋势;叶片中POD、CAT活性呈现出一定的规律性变化,均随V（Ⅴ）胁迫浓度的增加先升高后降低,但均高于对照,在50 mg/kg处理时都达到最大值。可见,芥菜对土壤低浓度V（Ⅴ）（≤100 mg/kg）的胁迫有较好的抗性和耐性,当V（Ⅴ）浓度增加时芥菜受的毒害逐渐增大,说明荠菜对重金属离子胁迫产生的适应性是有一定条件的。