共查询到20条相似文献，搜索用时 31 毫秒
1.
2.
为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究，做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 相似文献
3.
4.
《电子工业专用设备》1996,(2)
ＮＥＣ开发出了０．０７μｍ线宽的ＣＭＯＳ大规模集成电路ＮＥＣ开发成功了１６ＧＤＲＡＭ千兆位的动态存储器工艺需要０．０７μｍ的线宽，ＮＥＣ制成了在１．ＳＶ电压和低持续电流条件下延迟时间为１６．７ＰＳ的超高速动态存储器。该成果是在去；年６月召开的ＶＩＳＩ... 相似文献
5.
6.
7.
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。 相似文献
8.
9.
孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
０．１μｍ栅长的ＣＭＯＳ电路门延迟为１１．８Ｐｓ据《ＮＩＫＫＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ》１９９３年第１２—２０期报道，１９９３年１２月６～８日在美国召开的国际电子器件会议（ＩＥＤＭ）上，美国ＡＴ＆Ｔ贝尔实验室，ＩＢＭ公司，日本富士通研究所和东芝研究开发... 相似文献
10.
孙再吉 《固体电子学研究与进展》1999,(4)
据日本《エレクトロニクス》１９９９年第３期报道,日本ＮＴＴ公司开发了ＳＯＩ结构ＭＯＳＦＥＴ,栅长为０．５μｍ,栅宽为０．８ｍｍ,ＲＦ特性为２ＧＨｚ,１９ｄＢｍ,ＰＡＥ为６８％,工作电压为３．６Ｖ。能获得如此高的功率附加效率,主要是有效地降低了输出电容。此外,菲利普公司新开发的双极晶体管,通过改善器件的二次谐波调谐（Ｈａｒｍｏｎｉｃｔｕｎｉｎｇ）来提高附加效率和降低输出电容。其ＲＦ特性为１．８ＧＨｚ,０．５Ｗ（２７ｄＢｍ）,ＰＡＥ为７１％和３．５Ｖ的工作电压,已接近ＧａＡｓ高频器件的性能。SOI结… 相似文献
11.
12.
美国泰科电子公司(ＴｙｃｏＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ)旗下的电路保护产品部门———瑞侃公司(ＲａｙｃｈｅｍＣｉｒｃｕｉｔＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎ)宣布推出２种高分子正温度系数自复式保险丝———ｍｉｎｉＳＭＤＭ０７５／２４和ｍｉｎｉＳＭＤＭ２６０,提供过电流保护。额定值为２４Ｖ／４０Ａ的ｍｉｎｉＳＭＤＭ０７５／２４元件,适用于键盘、鼠标、主板机、显示器和２４Ｖ的ＩＥＥＥ-１３９４(ＦｉｒｅＷｉｒｅ*),该元件可提供０．７５Ａ的工作电流、１．５Ａ触发电流和２００ｍΩ电阻。低电阻的ｍｉｎｉＳＭＤＭ２６０元件额定值为８Ｖ… 相似文献
13.
Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司的ＭＲＦＩＣ１８５９是一款双频单电源(３．６Ｖ)ＲＦ集成功率大器,专门用于ＧＳＭ９００/ＤＣＳ１８００手持装置。做一些适当的电路变更,它也可以用于三频ＧＳＭ９００/ＤＣＳ１８００/ＰＣＳ１９００设备。其ＧＳＭ/ＤＣＳ典型性能(在３．６Ｖ)是:ＧＳＭ:３５．８ｄＢｍ(５３%ＰＡＥ),ＤＣＳ:３４ｄＢｍ(４３%ＰＡＥ)。 相似文献
14.
研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门． 相似文献
15.
16.
《电子工业专用设备》1995,(4)
ＮＥＣ、日立在ＩＳＳＣＣ上发表１ＧＤＲＡＭ据ＩＳＳＣＣ’９５的发表内容，ＮＥＣ、日立已经在世界上率先开发了１ＧＤＲＡＭ。ＮＥＣ开发的１ＧＤＲＡＭ的特点是，采用０．２μｍ电子束曝光技术和钽氧化膜低温（５００℃）工艺技术以０．２５μｍＣＭＯＳ工艺，存贮单... 相似文献
17.
18.
19.
20.
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术,用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅表面沟ＰＭＯＳＦＥＴ,它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力．对不同沟长ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳＦＥＴ的研究表明,当沟道长度从２．０μｍ降至０．５μｍ时,表面沟ＰＭＯＳ管阈值电压的变化（ΔＶＴ）约为６０ｍＶ,而ＮＭＯＳ管相应ΔＶＴ为１１０ｍＶ．计算机模拟的切割曝光和单线曝光立体图象也清楚地表明,切割曝光方法对于消除二次谐波影响,提高分辨率具有一定作用． 相似文献