一种耐高温光纤的制备方法

耐高温光纤涂料聚酰亚胺采用电炉加热,固化的时间长,不能满足大预制棒高速拉丝中长距离涂覆和快速固化的要求。本文介绍一种利用MCVD＋VAD工艺制作预制棒,在高速拉丝机上进行聚酰亚胺涂覆、快速固化的长距离耐高温光纤的制备方法。     

硅酸盐基耐高温涂层的制备及发射率研究

以水溶性无机硅酸盐为基料,以不锈钢粉为填料,制备了硅酸盐基耐高温涂层,通过正交试验,优化了获得最低发射率涂层的制备工艺.对涂层的发射率和耐热性能进行了测试,采用IR和SEM表征了涂层的结构和微观形貌.结果表明:涂层的耐热温度达600℃主要因为高键能的Si-O键及Si-O-Si键的形成,600℃热老化前后涂层在3～5 (m波段的发射率分别为0.40和0.50,发射率的升高是因为热老化后涂层表面致密度的降低.     

一种高性能聚碳酸酯薄膜的制备及表征

研究了一种高性能聚碳酸酯(PC)薄膜.将PC粉末配成不同浓度的聚碳酸酯溶液,用旋转涂覆法在玻璃衬底上制备了均匀透明的聚碳酸酯薄膜,并对材料和薄膜的热性能及光学性能等分别进行了表征.对材料通过示差扫描量热法(DSC)测得了玻璃化转变温度;对薄膜用紫外光谱法测量了吸收谱及光损耗,并用棱镜耦合仪测量了其折射率、膜厚及折射率随温度的变化;另外,还分析了不同实验条件对材料成膜性的影响.实验结果表明,这种新型聚碳酸酯材料具有高玻璃化温度和低吸收损耗等优点,适用于制作光波导器件芯层.     

一种用于制备安德鲁反射样品的新方法

提供了一种用于安德鲁反射测量样品制备新方法.该方法采用聚焦粒子束刻蚀和磁控溅射,可以获得可控的、干净的、无应力的纳米接触用于自旋极化探测.所制备的样品中,磁性和非磁性材料样品的反射谱都表现出复杂的峰和谷结构,这些结构可能源于与界面相关的零偏压反常以及与激发态相关的准离子相互作用.对另一个Co40Fe40B20合金样品采用简单的钕针尖压针方法进行了对比性测量,反射谱中没有观察到谷结构,但谱结构出现较明显的热扩展,这种热扩展可能来源于界面处的非弹性输运.所有的反射谱目前还不能由现有的理论给出令人满意的解释.利用点接触反射方法获得可靠的自旋极化信息还有赖于接触界面特征的进一步分析.而一个更切合实际的、更完善的理论成为迫切的需要.     

一种采用倍流同步整流的高效率AC/DC变换器

文章介绍了一种基于不对称半桥的改进型AC/DC变换器。为了提高低压大电流应用场合的变换器效率,变换器次级采用倍流同步整流技术,而初级开关管能自然实现零压开通。因而,变换器的次级整流损耗和初级功率开关管损耗被大大降低。文中详细分析说明了电路的具体工作过程和设计要求,最后,仿真结果验证了电路设计的合理性。     

基于Si基沉积拉曼增强活性Au膜的制备与表征

研究了一种新的表面增强拉曼活性Au基底的制备方法,采用无电镀沉积方法,通过HF和HAuCl4的混合溶液对Si片进行处理获得具有不同形貌的Si基Au膜,利用扫描电子显微镜(SEM)分析了基底的表面形态和结构,测定结晶紫分子在基底表面的拉曼光谱。结果表明,Si基Au膜表面的表面增强拉曼散射(SERS)增强随制备时间的增加呈现先增强后减弱的趋势,增强效果优于常用的Au胶体系,是一种非常高效的拉曼活性增强基底。     

Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征

分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成。电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。结果表明:溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行。     

一种基于滤波多音系统的半盲同步算法

该文在研究滤波多音(Filtered MultiTone,FMT)调制性质的基础上,给出了一种新的FMT系统定时同步算法。该算法将FMT符号的相关性和PN序列强自相关性结合,在保证算法性能的同时,大大缩短了构造同步符号所需训练序列的长度。此外,该文还提出了一种简单有效的整数倍子载波间隔频偏的估计算法。仿真结果表明,这两种算法在加性高斯噪声信道中性能优良,结合分集技术在多普勒频移的瑞利信道下也获得良好的估计性能。     

一种可控转盘抽奖游戏的设计及实现

转盘抽奖是一种常见的博彩游戏,其玩法简单、上手容易、奖励巨大、随机性强,令人沉迷其中不能自拔。随着数字时代的到来,这类游戏逐渐从实体转盘演变成虚拟转盘。那么,虚拟转盘可否通过程序控制获奖结果呢?答案是肯定的。与现实世界不同,计算机可以修改转盘的相关系数变量,让转盘看似自然的停在任何特定的位置上。文章通过模拟现实世界中实体转盘的转动原理,提出了一种可控转盘抽奖游戏的设计思想和算法并加以实现。     

超支化聚苯基硅树脂改性封装用环氧树脂研究

文中通过合成超支化的聚苯基硅树脂体系,对环氧树脂进行改性,以提升其介电、耐湿、耐热和力学性能。研究表明,超支化聚苯基硅树脂体系（HBPSi）的加入量在0~10wt%时,改性后的树脂体系介电、耐湿、耐热和力学性能随着HBPSi增加而提升;而在大于10wt%时,其性能的提升减缓。产生这种结果主要归因于一方面HBPSi与EP中的羟基反应,消耗了环氧树脂体系的羟基,另一方面是引入了大量的柔性硅氧链节。     

含磷酚醛树脂的合成和在环保型FR-4覆铜板中的应用

文章简要介绍了含磷酚醛树脂的合成、应用及性能,并利用其对环氧树脂的阻燃进行改性,在环保型FR-4层压板中进行应用,取得了较好的效果。     

高性能BT树脂基覆铜板的研制

研制出了双烯封端棒状聚酰亚胺,并用其改性BT树脂,制得了低收缩BT树脂/石英布覆铜板。其平面方向热膨胀系数为3.1106℃1,厚度方向为1.3105℃1,优于国外同类产品;另用聚苯醚改性BT,制得低介电常数的BT树脂/玻璃布覆铜板,其er可小到3.6(106 Hz),厚度方向热膨胀系数为4.07×105℃1。改性后保留了BT树脂的其它优良特性。     

掺铕稀土配合物的光学树脂荧光光谱研究

报道了将多种稀土铕配合物复合于苯乙烯(ST)／甲基丙烯酸(HMA)的共聚体系,研究了含稀土配合物透明光学树脂的光学性能。发现其具有发光效率高,光谱呈现尖锐的线状谱带及相对于纯稀土配合物粉末来说掺有稀土配合物的光学树脂的发射产生光谱红移等特点。特别是用电子云重排效应(当中心稀土离子与不同配体结合时,其相同的J能级间的跃迁谱带位置略有移动的现象)解释了掺有稀土配合物的光学树脂发射光谱红移现象。并推断出在含稀土配合物复合于光学树脂后。稀土中心离子和配位原子间距离有所减小。     

多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅（porous silicon,PS）衬底上用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition,PLD）在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示,制备的ZnS薄膜沿β—ZnS（111）方向择优生长,较高的生长温度下,衍射峰强度较大。SEM结果表明,250℃生长的Z...     

微波辐射淀粉接枝丙烯酸合成高吸水树脂

以N,N'-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂,通过微波辐射制备了淀粉接枝丙烯酸高吸水树脂.研究了淀粉和引发剂类型、引发剂及交联剂用量、丙烯酸中和度、淀粉和单体的配比、微波辐射功率及辐射时间对吸水率的影响.结果表明,经过糊化后所制备的树脂吸水率明显提高,糊化过程减小了淀粉种类对吸水率的影响.过硫酸盐类引发剂是一类高效廉价的引发剂.当引发剂(过硫酸钾)和交联剂的用量分别为丙烯酸的0.3wt%和0.02wt%,中和度为60%,玉米淀粉和丙烯酸质量比为0.25时,经231W微波辐射4min,可获得吸水率为1110g·g~(-1)的高吸水树脂.利用微波技术制备吸水树脂可实现合成、干燥一步完成,且无须氮气保护,明显缩短反应时间、简化工艺、降低成本.     

Self-assembly of Sn-3Ag-0.5Cu Solder in Thermoplastic Resin Containing Carboxyl Group and its Interconnection

The self-assembly of solder powder on pads is attractive as a novel interconnection method between chips and substrates. However, the solder used in this method is limited to Sn-58Bi and Sn-52In. In contrast, Sn-3Ag-0.5Cu has been relatively less studied despite its wide use as a lead-free solder in assembling semiconductor packages. Hence, here, polymeric materials incorporating Sn-3Ag-0.5Cu solder powder were investigated for the self-assembly of the solder on pads at temperatures up to 260°C in a lead-free reflow process. The self-assembly of the solder was observed with an optical microscope through transparent glass chips placed on substrates covered with the polymeric materials incorporating the solder powder. Differential scanning calorimetry measurements were performed to confirm the behaviors of the reaction of the resins and the melting of the solder. When epoxy resin with a fluxing additive was used as a matrix, self-assembly of the solder was prevented by the cross-linking reaction. Conversely, when thermoplastic resin containing carboxyl groups was used as a matrix, the self-assembly of solder was successfully achieved in the absence of fluxing additives. The shear strength of interconnection using reflowfilm with lamination was sufficient and significantly increased during the reflow process. However, the shear strength of the reflowfilm showed cohesive failure, possibly because of the brittle intermetallic compounds (Ag₃Sn, Au₄Sn) network in bulk was lower than that of conventional solder paste that showed interfacial failure after the reflow process with a rapid cooling rate.     

氰酸酯树脂的改性及其反应机理的研究

本文介绍了目前氰酸酯（CE）树脂的几种改性途径及其反应机理．包括热同性树脂、热塑性树脂、橡胶弹性体、晶须及含不饱和双键的化合物等改性方法．其中主要阐述了环氧（EP）树脂和双马来酰亚胺（BMI）树脂改性CE的机理及共聚体系的性能。     

Characterization and Stability of Na-doped p-type ZnO Thin Films Preparation by Reactive DC Magnetron Sputtering

Na-doped p-type ZnO thin films have been realized by DC reactive magnetron sputtering with a set of metal-Zn targets doped with various Na contents and under different substrate temperatures, respectively. Hall effect measurement, field-emission SEM, X-ray diffraction and optical transmission were carried out to investigate the effects of Na content and substrate temperature on the properties of p-type films. Results indicate that all the Na-doped ZnO films are strongly (002) oriented, and have an average t...     

Reactive ion etching of dielectrics and silicon for photovoltaic applications

This paper investigates the reactive ion etching of SiO₂, Si₃N₄, and Si using CHF₃/O₂ plasma. In particular, we have characterized the time and rf power dependence of the carrier lifetimes in n‐ and p‐type FZ Si. The time dependence of reactive ion etching (RIE) at different rf powers provide insight into the two competing processes of damage accumulation and damage removal in the near‐surface region of the Si during plasma etching. The carrier lifetime, measured using the quasi‐steady‐state photoconductance (QSSPC) technique, has a quadratic dependence on the rf power, which can be related to changes in the dc self‐bias generated by the plasma at different rf powers. The change in carrier lifetime is similar in both n‐ and p‐type Si of the same doping concentration. Using this fact, together with the electronic properties of defects obtained by deep level transient spectroscopy (DLTS), we have modeled the injection‐dependence of the measured carrier lifetimes using the Shockley–Read–Hall model. The isochronal annealing behavior of plasma etched Si has also been studied. Copyright © 2006 John Wiley & Sons, Ltd.