金粉形貌对金导体浆料印刷膜层性能的影响

以氯金酸为原料,研究了抗坏血酸、亚硫酸钠、草酸三种不同的还原剂对金粉形貌的影响。分别以三种金粉为导电填充料配制了适合于丝网印刷的金导体浆料,研究了金粉形貌对浆料印刷膜层性能的影响。结果表明:以明胶为分散剂、草酸为还原剂制备出的金粉所配制浆料的粘度、触变性更适合于丝网印刷工艺,其印刷膜层平整、无缺陷,烧成后膜层附着力和方阻优于抗坏血酸和亚硫酸钠作为还原剂所制备出的金粉。     

厚膜金导体浆料用类球形金粉制备研究

分别以抗坏血酸(VC)、草酸、对苯二酚、亚硫酸钠和硫酸亚铁为还原剂,以阿拉伯树胶为分散剂还原雷酸金制备金粉。利用SEM对所制金粉进行了表征,分析了还原剂种类对金粉形貌和粒径的影响。并且以弱还原性的VC作为还原剂,分别探究了分散剂种类、用量及反应体系p H值、加入速度和温度对金粉粒径的影响。经过优化工艺,在金溶液浓度为20 g/L,p H值为4,质量比ζ(阿拉伯树胶:Au)=5:2,反应温度为50℃,金溶液加入速度为110 m L/min时,制备出呈类球形形貌和约2μm粒径的金粉。     

超细金粉在电子浆料中的应用

讨论了#1和#2两种超细金粉在电子浆料中的应用。#1超细金粉用于印刷型金导体浆料中,线分辨率高,性能稳定。#2超细金粉应用于焊接型金导体浆料,满足欧姆接触和附着力的要求。     

符合RoHS禁令的厚膜金导体浆料

出于对健康和环境的考虑,限制铅、镉和含有其它有毒物质在混合集成电路产品应用的需求越来越大。根据2006年7月1日生效的欧盟禁令(即RoHS)这些物质是禁用的,电路生产商急于找到可以替换现有含铅和镉的产品。镉氧化物在厚膜金浆料中可以起到很好的粘附作用。金厚膜浆料主要用于要求高机械强度的领域,比如医疗器械,军事应用和高频电路。现在的挑战是开发一新的和传统的含镉浆料具有相同性能的无镉导体金浆料。在过去的10年中,贺利氏超前地研发了无铅无镉厚膜产品。到目前,贺利氏已经开发并且打入一些环保型厚膜产品市场。讨论一种新开发的厚膜导体金浆料,给出了在96%氧化铝基板和绝缘体基板上分别焊接金线和铝线的线键合数据。数据显示无铅无镉金导体和RoHS规定的可锡焊导体之间的匹配性,结果表明它可以应用于混合金属电路。     

无铅玻璃粉及硅基银导电浆料的制备

为了解无铅玻璃粉中各组分含量对玻璃粉性能的影响,采用正交实验法对各组分含量进行筛选,得到流动性为32.80mm、转变温度为446℃的性能较好的无铅低熔玻璃粉,其组成为:w(Bj<,2>O<,3>)62.7%、w(B<,2>O<,3>)18.8%、w(ZnO)1.5%、w(碳族氧化物A)6.O%、w(碳族氧化物D)8.0...     

空气中烧成铜厚膜导体浆料性能研究

在大气气氛中烧成的铜导电浆料,通过降低导电相粒子直径和改进工艺,摸索出了一套适合此材料的厚膜工艺技术,使此材料的性能有所提高。其主要指标是:方阻3～5mΩ,附着强度14N/mm~2,分辨率0.15mm,专用焊接良好。     

亚微米球形金粉的制备与应用

采用化学还原法,以草酸、亚硫酸钠和抗坏血酸(VC)等为还原剂,以PVP(聚乙烯吡咯烷酮)为分散剂还原雷酸金制备了亚微米球形金粉,利用SEM对所制金粉进行了表征。讨论了还原剂种类对金粉形貌的影响,优选出了弱还原性的VC作为制备亚微米球形金粉的还原剂。探讨了金溶液质量浓度、pH值、PVP用量对金粉粒径的影响。结果表明:当金溶液质量浓度为30 g/L,pH值为3.5,质量比ζ(PVP:Au)=0.5:1.0时,所制备的金粉具有规则的球形形貌和约0.3μm的粒径。该金粉制备的金导体浆料具有优良的导电性能。     

一种用于扩散连接的金浆料

研制了一种用于扩散连接的金浆料。这种浆料主要由金粉和有机载体组成。浆料的烧成特性和粘度对扩散连接强度影响较大。金粉的分散性、表面形态和颗粒尺寸会影响浆料的烧成特性和粘度。载体会影响浆料的粘度。金浆料中掺入片状金颗粒能改善扩散连接强度     

适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料

研究了一种适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料，性能达到使用要求。在金浆中添加了少量合金元素，并选用混合型粘结剂。对金导体铝丝焊后热老化失效机理以及添加合金元素的作用，进行了讨论     

玻璃基板激光微细熔覆柔性布线技术研究

与传统的布线技术相比，激光微细熔覆柔性布线技术可以提高线路板制备的效率并降低生产成本。对基于玻璃基板的激光微细熔覆柔性布线技术的工艺进行了重点研究，分析了激光功率密度和扫描速度对导体厚度和宽度的影响规律，同时研究了烧结时间对导体电阻率和结合强度的影响趋势。试验表明，激光功率密度和扫描速度对导线的厚度影响不大，而对导线的宽度有着重要的影响。导线宽度随功率密度增加、扫描速度减小而增加，并都存在临界值；随着烧结时间延长，导线电阻率减小，结合强度提高。在此基础上，探讨了导体附着机理和导电机理。     

信息技术设备中保护连接导体电阻的测量方法

介绍了型式认可试验和工厂例行检验中有关信息技术设备的保护连接导体电阻的测量方法,以及在某些特殊设备上的应用.     

背面银浆用银粉对晶硅太阳电池性能的影响

分别采用液相化学还原法和机械球磨法制得球形银粉和片状银粉,研究了银粉的形貌、分散性及振实密度对背面银浆烧结膜和电池光电性能的影响。结果表明:片状银粉制备的背银浆料附着力最好、电池光电转换效率最高,球形银粉次之,树枝型银粉最差。高分散和高振实密度银粉能显著提高电池片的光电转换效率。     

烧结温度对厚膜电阻的影响研究

以钌系R-2200厚膜电阻浆料作为研究对象,探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。利用导电机理模型和液相烧结模型,说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响。实验数据与SEM表明:厚膜浆料烧结温度在875℃时,结构均匀且致密性好;烧结温度过低时,结构不稳定,功能相没有形成导电网络;而烧结温度过高时,RuO2晶粒异常长大,导电链断裂,势垒升高。     

FeSiAl 粉末形貌对微波衰减涂层性能的影响

为了解粉末形貌对FeSiAl 微波衰减涂层性能的影响,本文采用四种粉碎方法制备出了不同形貌的FeSiAl 粉末,并对FeSiAl 烧结涂层的性能进行了研究。研究表明,当FeSiAl 颗粒呈片状或棱角状并伴有脆性解理面形貌时,烧结涂层具有良好的微波衰减性能。分析认为,FeSiAl 粉末具备片状或棱角状并伴有脆性解理面形貌特征,可使烧结涂层获得相对较高的磁导率损耗角正切值和较高的衰减常数。     

热处理温度对Mn－Co－Ni厚膜热敏电阻浆料特性的影响

通过对Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系过渡金属氧化物材料和导电相进行热处理，使Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ浆料制作的热敏电阻敏感特性和阻值分散性明显改善。     

热处理温度对Mn－Co－Ni厚膜热敏电阻浆料特性的影响

通过对Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系过渡金属氧化物材料和导电相进行热处理，使Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ浆料制作的热敏电阻敏感特性和阻值分散性明显改善。     

Effect of electronic flame off parameters on copper bonding wire: Free-air ball deformability, heat affected zone length, heat affected zone breaking force

Cu bonding wire is more and more used for interconnections to integrated circuits (ICs) to reduce cost and increase performance compared to Au wire. To eliminate underpad damage for Cu wire applications, it is worthwhile to reduce the hardness of the free-air ball (FAB). Short heat affected zone (HAZ) and high HAZ breaking load are often required for advanced microelectronics packaging in order to decrease the loop height and thereby the package thickness.Online measurements of deformability and HAZ breaking force at temperatures close to the bonding temperature of 220 °C are new tools used in this study to evaluate the effects of electronic flame off (EFO) current and firing time on the Cu FAB deformability and the HAZ length and tensile strength. FABs with 50 μm diameter formed from a 25 μm diameter Cu wire with a breaking load of 118.6 mN were used. EFO currents and firing times ranged from 40 to 250 mA and 0.11 to 0.90 ms, respectively. Average FAB deformability factors, HAZ breaking forces, and HAZ lengths were in the rounded ranges of 36.64–44.09% (with a deformation force of 0.60 N), 107.7–116.8 mN, and 167–215 μm, respectively. When produced with 250 mA current during 0.11 ms, the FABs are 7.01–7.89% more deformable than when produced with 45 mA during 0.9 ms, the HAZ breaking force is 7.53–9.37% higher, and the HAZ length is 7–90 μm shorter.     

Effect of Substrate Nitridation on Properties of Thick GaN Film Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy

Thick GaN films were grown on the sapphire substrate by hydride vapour phase epitaxy. The properties of GaN films were found to be significantly influenced by the duration of exposing the sapphire substrate to ammonia prior to the GaN growth initiation. The crystalline quality of GaN films revealed by high resolution X-ray diffraction were strongly dependent on the nitridation time, which determined substrate surface topography. The different nitridation schemes strongly affected the morphology of GaN overlayers resulting in the blue shift of the main excitonic peak in photoluminescence spectra at room temperature.