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超细金粉在电子浆料中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了#1和#2两种超细金粉在电子浆料中的应用。#1超细金粉用于印刷型金导体浆料中,线分辨率高,性能稳定。#2超细金粉应用于焊接型金导体浆料,满足欧姆接触和附着力的要求。 相似文献
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出于对健康和环境的考虑,限制铅、镉和含有其它有毒物质在混合集成电路产品应用的需求越来越大。根据2006年7月1日生效的欧盟禁令(即RoHS)这些物质是禁用的,电路生产商急于找到可以替换现有含铅和镉的产品。镉氧化物在厚膜金浆料中可以起到很好的粘附作用。金厚膜浆料主要用于要求高机械强度的领域,比如医疗器械,军事应用和高频电路。现在的挑战是开发一新的和传统的含镉浆料具有相同性能的无镉导体金浆料。在过去的10年中,贺利氏超前地研发了无铅无镉厚膜产品。到目前,贺利氏已经开发并且打入一些环保型厚膜产品市场。讨论一种新开发的厚膜导体金浆料,给出了在96%氧化铝基板和绝缘体基板上分别焊接金线和铝线的线键合数据。数据显示无铅无镉金导体和RoHS规定的可锡焊导体之间的匹配性,结果表明它可以应用于混合金属电路。 相似文献
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在大气气氛中烧成的铜导电浆料,通过降低导电相粒子直径和改进工艺,摸索出了一套适合此材料的厚膜工艺技术,使此材料的性能有所提高。其主要指标是:方阻3~5mΩ,附着强度14N/mm~2,分辨率0.15mm,专用焊接良好。 相似文献
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采用化学还原法,以草酸、亚硫酸钠和抗坏血酸(VC)等为还原剂,以PVP(聚乙烯吡咯烷酮)为分散剂还原雷酸金制备了亚微米球形金粉,利用SEM对所制金粉进行了表征。讨论了还原剂种类对金粉形貌的影响,优选出了弱还原性的VC作为制备亚微米球形金粉的还原剂。探讨了金溶液质量浓度、pH值、PVP用量对金粉粒径的影响。结果表明:当金溶液质量浓度为30 g/L,pH值为3.5,质量比ζ(PVP:Au)=0.5:1.0时,所制备的金粉具有规则的球形形貌和约0.3μm的粒径。该金粉制备的金导体浆料具有优良的导电性能。 相似文献
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适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料 总被引:1,自引:2,他引:1
研究了一种适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料,性能达到使用要求。在金浆中添加了少量合金元素,并选用混合型粘结剂。对金导体铝丝焊后热老化失效机理以及添加合金元素的作用,进行了讨论 相似文献
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与传统的布线技术相比,激光微细熔覆柔性布线技术可以提高线路板制备的效率并降低生产成本。对基于玻璃基板的激光微细熔覆柔性布线技术的工艺进行了重点研究,分析了激光功率密度和扫描速度对导体厚度和宽度的影响规律,同时研究了烧结时间对导体电阻率和结合强度的影响趋势。试验表明,激光功率密度和扫描速度对导线的厚度影响不大,而对导线的宽度有着重要的影响。导线宽度随功率密度增加、扫描速度减小而增加,并都存在临界值;随着烧结时间延长,导线电阻率减小,结合强度提高。在此基础上,探讨了导体附着机理和导电机理。 相似文献
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介绍了型式认可试验和工厂例行检验中有关信息技术设备的保护连接导体电阻的测量方法,以及在某些特殊设备上的应用. 相似文献
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为了解粉末形貌对FeSiAl 微波衰减涂层性能的影响,本文采用四种粉碎方法制备出了不同形貌的FeSiAl 粉末,并对FeSiAl 烧结涂层的性能进行了研究。研究表明,当FeSiAl 颗粒呈片状或棱角状并伴有脆性解理面形貌时,烧结涂层具有良好的微波衰减性能。分析认为,FeSiAl 粉末具备片状或棱角状并伴有脆性解理面形貌特征,可使烧结涂层获得相对较高的磁导率损耗角正切值和较高的衰减常数。 相似文献
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通过对Mn-Co-Ni系过渡金属氧化物材料和导电相进行热处理,使Mn-Co-Ni浆料制作的热敏电阻敏感特性和阻值分散性明显改善。 相似文献
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C.J. Hang W.H. Song I. Lum M. Mayer Y. Zhou C.Q. Wang J.T. Moon J. Persic 《Microelectronic Engineering》2009,86(10):2094-2103
Cu bonding wire is more and more used for interconnections to integrated circuits (ICs) to reduce cost and increase performance compared to Au wire. To eliminate underpad damage for Cu wire applications, it is worthwhile to reduce the hardness of the free-air ball (FAB). Short heat affected zone (HAZ) and high HAZ breaking load are often required for advanced microelectronics packaging in order to decrease the loop height and thereby the package thickness.Online measurements of deformability and HAZ breaking force at temperatures close to the bonding temperature of 220 °C are new tools used in this study to evaluate the effects of electronic flame off (EFO) current and firing time on the Cu FAB deformability and the HAZ length and tensile strength. FABs with 50 μm diameter formed from a 25 μm diameter Cu wire with a breaking load of 118.6 mN were used. EFO currents and firing times ranged from 40 to 250 mA and 0.11 to 0.90 ms, respectively. Average FAB deformability factors, HAZ breaking forces, and HAZ lengths were in the rounded ranges of 36.64–44.09% (with a deformation force of 0.60 N), 107.7–116.8 mN, and 167–215 μm, respectively. When produced with 250 mA current during 0.11 ms, the FABs are 7.01–7.89% more deformable than when produced with 45 mA during 0.9 ms, the HAZ breaking force is 7.53–9.37% higher, and the HAZ length is 7–90 μm shorter. 相似文献
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YEHao-hua YUGuang-hui LEIBen-lian QIMing LIAi-zhen 《半导体光子学与技术》2005,11(1):28-31
Thick GaN films were grown on the sapphire substrate by hydride vapour phase epitaxy. The properties of GaN films were found to be significantly influenced by the duration of exposing the sapphire substrate to ammonia prior to the GaN growth initiation. The crystalline quality of GaN films revealed by high resolution X-ray diffraction were strongly dependent on the nitridation time, which determined substrate surface topography. The different nitridation schemes strongly affected the morphology of GaN overlayers resulting in the blue shift of the main excitonic peak in photoluminescence spectra at room temperature. 相似文献