14～18千兆赫晶体管放大器

据讯,美国IBM研究实验室研制了一种在目前来说频率最高的高频晶体管化放大器和振荡器。为了获得14～18千兆赫下的性能,该实验装置应用了砷化镓肖特基势垒场效应晶体管。这些晶体管IBM公司称之为金属-半导体-场效应晶体管(MESFET),它们在15千兆赫下具有8分贝的增益。用这类晶体管制成的三级放大器在16.9千兆赫下的功率增益为6     

14～18千兆赫的砷化镓放大器和振荡器

最近,美帝国际商业机器公司制成了14～18千兆赫的实验性晶体管放大器和振荡器。由于采用了砷化镓晶体管,使它们的频率特性提高了。在室温下,砷化镓晶体管中的电子饱和漂移速度比在硅中大2倍。据报道,在17千兆赫下,振荡器输出为1毫瓦。在14.9千兆赫、150千兆赫的3分贝带宽下,四级窄带放大器产生最大的功率增益为16分贝。在18千兆赫、380兆赫的带宽以上,三级放大器呈现的最大增益为6分贝。电路中所采用的新型晶体管的外推法测量数据表明,晶体管的最高振荡频率实际上在30千兆赫以上。理论计算表明,只要     

2千兆赫GaAs分频器设计

本文介绍了我国自行研制成功的GaAs 2千兆赫二分频分频器的设计。其试验电路测试结果表明该设计方法的可行性。     

适于宽带放大器应用的GaAs MESFET设计和微波性能

本文讨论适于宽带应用的微波低噪声GaAs MESFET的设计理论,并在4GHz下,计算了器件最小噪声系数、最小噪声源电阻、最小噪声源电抗和等效噪声电阻,讨论了器件的微波性能,并应用计算机辅助设计计算出器件的S参数。     

2～4千兆赫倍频程微波集成晶体管放大器

本文采用了简单的电路结构,并运用单向化设计技术完成了共发射极电路设计计算。为提高放大器的集成性,增加可靠性,做了用电阻直接馈电及采用高频损耗小的间隙电容的尝试工作。放大器设计的准则是:让频带高端共轭匹配,控制频带低端失配量,以求获得带内平坦幅频特性。本着这样的准则,初步试制了2～4千兆赫倍频程微波集成晶体管放大器。放大器单级增益为5.1分贝(最小),双级增益10分贝(最小)。放大器噪声系数4千兆赫下测量为5.8分贝,3千兆赫下测量为3.9分贝,2.4千兆赫下测量为5分贝。通带起伏±1分贝,输入、输出采用L_8密封接头,驻波比小于1.9。     

C-X波段中功率GaAs MESFET

本文给出GaAs功率MESFET设计公式和计算曲线.实验结果表明:理论计算可用于确定器件的结构参数和材料参数.器件采用二氧硅隔离覆盖式叉指结构、斜凹槽栅及芯片四侧接地工艺.在4GHz下输出功率2W,9GHz下输出功率可达800mW,12GHz下输出100mW.     

2.25千兆赫遥测放大器的设计

设计大功率晶体管放大器要知道一个晶体管对某一输出功率和效率所要的串联输入阻抗和集电极负载阻抗;知道在一个宽频带范围内的这些参数将大大地简化电路设计,并可采用计算机辅助设计。由于大多数功率管是丙类工作(因此是非线性的),不能简单地使用散射参数或 S 参数。因此有时就必须进行自己的晶体管阻抗测量。首先是确定晶体管的串联输入阻抗 Zin 和串联集电极负载阻抗 Zcl。用图3a 所示的测试装     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

2～18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC

基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2～18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增加接地电容,提高了放大器的高频输出阻抗,进而拓宽了带宽,提高了高频增益,并降低了噪声。在片测试结果表明,在5 V单电源电压下,在2～18 GHz内该低噪声放大器小信号增益约为26.5 dB,增益平坦度小于±1 dB,1 dB压缩点输出功率大于13.5 dBm,噪声系数小于1.5 dB,输入、输出回波损耗均小于-10 dB,工作电流为100 mA,芯片面积为2 mm×1 mm。该超宽带低噪声放大器可应用于雷达接收机系统中,有利于接收机带宽、噪声系数和体积等的优化。     

2～18GHz GaAs单片超宽带放大器

介绍了２￣１８ＧＨｚ ＧａＡｓ微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作，给出了主要研究结果：在２￣１８ＧＨｚ频率范围内，管壳封装的两级级联放大器的增益Ｇ＝１３．５￣１８．３ｄＢ，噪声系数Ｆｎ＝４．２￣６．２ｄＢ，输入电压驻波比ＶＳＷＲｉｎ〈２．０，输出电压驻波比ＶＳＷＲｏｕｔ〈２．５。     

5～6.5千兆赫砷化镓场效应晶体管放大器

本文介绍5～6.5千兆赫带宽的微波低噪声GaAs场效应晶管放大器。采用聚四氟乙烯玻璃纤维板作衬底。三级放大器的增益为20分贝,6千兆赫下测得的噪声系数最好为4.6分贝,带内平坦度在±1分贝以内。本文给出了放大器结构设计和测试结果。     

采用砷化镓场效应晶体管的18千兆赫前置放大器

引言砷化镓金属半导体场效应晶体管(MESFET)比双极晶体管噪声低,增益高,适用于高至20千兆赫左右频率下的低噪声前置放大器。金属半导体场效应晶体管的特性金属半导体场效应晶体管由高阻衬底上的薄导电层构成。N 型导电层包括源和漏两个欧姆接触以及栅的整流接触。图1示出的砷化镓金属半导体场效应晶体管中,1×200微米的栅     

GaAs MESFET中限制功率的击穿效应

现代的GaAs MESFET在输入功率增大时,都有输出功率饱和的现象。实验表明:这种功率饱和是由正向栅电导和反向栅-漏击穿等因素共同造成的。通过对平面结构和凹槽栅FET的二维数值模拟详细地研究了反向击穿电压。这些模拟表明:击穿发生在栅的漏侧边缘。根据数值模拟的结果提出了一个可以解析求解的耗尽层结构的模型。这一模型表明击穿电压反比于掺杂浓度和有源层厚度的乘积。     

2～4千兆赫下增益为40分贝的薄膜放大器

自60年代中期出现微波晶体管以来,系统设计者皆致力于在所有微波波段下采用晶体管放大器。最近外刊报导了一种在2～4千兆赫下具有40分贝增益的薄膜放大器,并被吹嘘为微波晶体管放大器方面的一个较大进展。此放大器的50欧姆匹配网络为整个信频程提供了非常低的输入和输出电压驻波比(1.3:     

4～8千兆赫7分贝噪声系数场效应晶体管放大器的设计

场效应晶体管正在迅速地成为低噪声放大器(特别在 C 波段以上)的“首席候选者”。本文介绍4～8千兆赫6分贝增益平衡放大器的设计。     

微波功率GaAs MESFET的可靠性

本文介绍了功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的必要失效模式和失效机理，主要失效模式有突然烧毁致命失效，缓慢退化失效，击穿低漏电大失效，内外引线和热集中失效，器件性能的不稳定和可逆漂移，主要失效机理有结构设计不合理，材料和工艺缺陷，栅结，欧姆接触和材料退化。静电损伤等，提出了改进功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ可靠性的主要措施：全面质量管理，运用可靠性增长管理技术，合理的设计方案，先进的设备和工艺，优质的材料和     

18GHz 100mW GaAs MESFET和Ku波段100mW FET放大器

<正> 南京电子器件研究所已于1987年研制定型了一种WC67型Ku波段砷化镓功率场效应晶体管。器件采用C-403型管壳封装,在16～18GHz下,1分贝增益压缩点的输出功率P_(1dB)大于100mW,增益G_(1dB)为4～5dB,可通用于S,C,X和Ku波段作线性功率放大。 由于采用所内自制的砷化镓材料,引入了先进的中紫外光刻技术进行亚微米的精细加工,并融合了台面隔离、空气桥互连等结构和工艺方法,器件制作比较简便,易于实现批量生产。 WC67型砷化镓场效应管在14.5GHz下测量,可得到P_(1dB)>200mW,G_(1dB)>7.5dB,已和日本电气公司的Ku波段产品NE900175相当。     

功率GaAs MESFET的热阻测试

阐述了功率ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件热阻测试中温敏参数ＶＧＳＦ和测试电流Ｉｍ的选取，给出了１～５Ｗ器件典型温敏参数的温度测试系数Ｍ与测试电流Ｉｍ的关系。讨论了测试延迟时间ｔｍｄ对△ＶＧＳＦ测量值的影响和三种校正方法。     

一种噪声系数低,功率匹配好的1.1千兆赫到2.4千兆赫的晶体管放大器

目前已制造了一种有潜力的低成本放大器微型组件。放大器是采用晶体管管芯和薄膜、梁式引线或片状元件等构成的混合微波集成电路。这种放大器的设计表明,已经有一种能够获得最低噪声系数的输入功率匹配技术。这种技术是使用反馈的方法实现功率匹配,而同时在晶体管的输入端保持最小噪声系数所要求的源阻抗。放大器采用Mullard公司生产的BFR90晶体管管芯,在无反馈时,放大器的失配电压驻波比大于3:1。在1.5千兆赫的中心频率,300兆赫的宽带范围内,对50欧姆的源,放大器的噪声系数已可做到3.5分贝,输入电压驻波比小于1.25:1。在1.1至2.4千兆赫的频率范围,两级匹配放大器的增益在16分贝与12分贝之间。