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相似文献
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1.
采用直流电弧等离子体蒸发-凝聚法制备了高纯氮化铝纳米粉末,粉末的平均晶粒度为50nm,纯度大于98%。借助X射线光电子能谱、化学分析和差热失重等测试手段,探索了AIN纳米粉末的表面化学组成和氧化特性,研究结果表明,AIN纳米粉末易吸湿氧化,大大降低了其纯度。AIN纳米粉末表面的氧是以两种状态即物理吸附态和化合态存在。  相似文献   

2.
氮化铝粉末的制取方法   总被引:6,自引:2,他引:6  
本文论述了氮化铝陶瓷粉末的各种制取方法,氮化铝的生成机理以及影响氮化铝粉末质量的主要因素。同时评述了各种制取方法的优缺点,提供了大量工艺参数,以及有关氮化铝粉末质量的数据。  相似文献   

3.
氮化铝粉末制备方法研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
综述了AIN粉末制备方法的特点和研究进展,包括直接氮化法、碳热还原法、电弧熔炼法、气相反应法、等离子体法、裂解法、自蔓延高温合成法、高能球磨法和微波合成法。根据合成的原理及反应物的状态对这些方法进行了归类,重点论述了直接氮化法和碳热还原法的研究动态。  相似文献   

4.
通过Al2O3CN2系统的热力学计算,表明AlN氮化温度应控制在1600~1750℃。提高氮化温度、降低N2分压有利于生成Al4C3。脱碳温度应控制在550~650℃,以避免粉末氧含量的增高。  相似文献   

5.
直流电弧等离子体制备TiN纳米粉末的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
曹立宏  傅磊 《硅酸盐学报》1997,25(1):106-109
采用直流电弧等离子体蒸发-冷凝法制备出了粒径可控的高纯所化钛纳米粉末。探讨了等离子体条件下氮经反应过程和影响TiN粉末粒度的关键工艺参数。研究表明,高温氮等离子体条件下存在着大量的高活性基团,它们参与也氮化反应,提高了氮化反应活性。  相似文献   

6.
陈明源 《硅酸盐学报》1996,24(5):537-546
用质谱仪作检测器,用程序升温脱附方法(TPD)研究了不同来源及不同方法处理的氮化硅和氮化铝粉末的表面吸附。结果表明,加热时主要的脱附物质是NH3,NH2,H2,N2和H2O。用有机化合物处理的所谓防水氮化铝,还脱附碳氢基因。用水和丙醇处理粉末不能有效地除去吸附物质,但在真空中加热能完全除去,在氮气中加热能除去大部分。提出了吸附和脱附机理。  相似文献   

7.
主要进行了碳热还原法制备氮化铝粉末扩大实验研究。研究了不同的铝源、碳源、氮化温度、保温时间、添加剂对合成氮化铝粉末的影响,并采用XRD、SEM、化学物理分析等手段对中试实验制备的氮化铝粉末进行分析。研究结果表明,采用经砂磨处理的铝源B(α-Al2O3)和3#碳源(乙炔黑)为原料,有助于碳热还原反应;采用添加剂C可以降低反应活化能,提高氮化率;造粒工艺有助于扩大实验的碳热还原反应。  相似文献   

8.
氮化铝粉末的制备方法与机理   总被引:10,自引:0,他引:10  
论述了氮化铝陶瓷粉末的各种制备方法,评述了各种方法的优缺点,总结了氮化铝形成的主要机理以及影响氮化铝粉末质量的因素.提供了一些有用的工艺参数和有关氮化铝粉末质量的数据.  相似文献   

9.
氮化铝复合材料的氧化   总被引:1,自引:0,他引:1  
制订出在广泛的温度范围(1073~1273K)及时间范围内研究氮化铝质陶瓷复合材料在空气中的耐热性能的方法,并且试样重量变化的绝对误差不大于0.15~0.17mg。采用重力测量法研究了氮化铝质复合材料与磷酸盐结合剂之间的相互作用,并与热压试样进行了比较。提出了结合剂性能对氧化过程动力学的影响机理。氧化过程的活化能值较低(152~205KJ·mol-1),因此可以推断材料氧化过程的速度将取决于铝离子通过α-Al2O3膜时的扩散状况。  相似文献   

10.
热处理对氮化铝粉末抗水性的影响   总被引:7,自引:1,他引:7  
李远强  丘泰 《硅酸盐学报》1997,25(5):603-608
研究了氮化铝粉末在水蒸气/水环境中的化学稳定性,探讨了热处理地氮化铝粉末抗水性的影响,热力学计算结果表明,氮化铝粉末即使在较低温度下也极易与空气中的水蒸气发生水妥反应,分解为非晶态的AlOOH,Al(OH)3晶相和NH3。水蒸气分压越高,水解反应趋势越强。  相似文献   

11.
碳化硅粉体的氧化动力学行为   总被引:4,自引:0,他引:4  
对颗粒碳化硅在温度范围 145 7- 1675K下的氧化性能进行了研究。发现采用沉降曲线法获得的粒度数据遵循对数统计分布 ;从等温样品增重测量得到的相对重量比的数据与使用计算机模拟得到的最佳速度常数相吻合  相似文献   

12.
采用氧化后再氧化的实验方法,通过对 Si3 N4 陶瓷材料氧化行为的研究和氧化动力学的分析,讨论了 Si3 N4 陶瓷材料的氧化机理。结果表明, Si3 N4 陶瓷材料的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律:(Δ W )2 = Kp t 。提出了氧在氧化层中的向内扩散是 Si3 N4 氧化过程中的控制步骤;并认为烧结添加剂或杂质等对 Si3 N4 陶瓷材料氧化速度的影响,是通过改变氧化层的组成、结构,使氧在氧化层中的扩散速度发生变化而产生的。  相似文献   

13.
从研究方法,非氧化物陶瓷材料的氧化性以及主要理论成果等几个方面,综合评述了目前国内外对非氧化物陶瓷材料氧化性行为的研究状况。综述得出,研究氧化性的主要方法为高温TGA分析和材料氧化后称重两种方法,利用XRD,SEM,WDX,XPS,EDS和TEM等手段对氧化后的试样成分,相组成,结构等进行分析;评述了硼化物,碳化物,氮化物等几种具有代表性非氧化物陶瓷材料的氧化性行为,并总结了该类材料研究的主要理论成果。  相似文献   

14.
不同添加剂对氮化硅陶瓷氧化行为的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
对Si-Al-Y-O-N系统气压烧结的致密氮化硅陶瓷的氧化研究表明,材料在1100~1400℃温度下氧化,符合抛物线氧化规律。在此温度范围内,氧化活化能为600~730kJ/mol。AlN的引入对材料在低温段(800~1000℃)的抗氧化能力有较大影响。由于在晶界存在易氧化的第二相物质,含AlN作添加剂的氮化硅材料在低温段有较明显的氧化,氧化呈线性规律。  相似文献   

15.
化学气相淀积技术合成AIN超细粉末   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   

16.
Si3N4陶瓷材料的高温氧化理论及其抗氧化研究现状   总被引:1,自引:0,他引:1  
从热力学、动力学和整体控速过程探讨了氮化硅陶瓷材料高温氧化理论和氧化性质,阐述了表面改性技术对氮化硅抗氧化性能的影响.并对表面改性提高氮化硅抗氧化性能进行了展望。  相似文献   

17.
研究了A1N(Y_2O_3)、AlN(Y_2O_3)-SiC_w两种材料在1300℃的氧化行为。用XRD、SEM、EPMA及TEM/EDSA分析了材料氧化后的相组成及显微结构。结果表明:两种材料在1300℃空气中100h内的氧化增重符合抛物线规律,SiC晶须的引入可明显改善AlN的高温抗氧化性。提出了AlN-SiC_w复合材料的氧化机理。  相似文献   

18.
The drying of sugar-rich foodstuffs is often complicated by depositions on the walls of spray dryers, due to the stickiness of the products. This material property has been found to depend on both product temperature and moisture content and undergoes a rapid change from non-sticky behaviour to sticky behaviour with only a small change in these parameters. In this investigation, this so-called sticky point is measured for skim milk powder by measuring the cohesive force between stirred particles in a heated flask. The line separating the sticky and the non-sticky regions is given as a function of bulk temperature and moisture content. For the temperature range from 25 to 95°C investigated here, the line shows good agreement with the predicted glass transition temperature for lactose, shifted up by 23.3 K. This information can then be used in CFD simulations carried out to model the build-up of wall depositions inside spray drying chambers. As a first order approximation to estimate the behaviour of a particle impacting on a wall, sticky particles can be assumed to adhere to the wall, whereas non-sticky particles can be considered to bounce off it.  相似文献   

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