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禁带宽度2.0~2.2 eV的AlGaInP太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的一结子电池,但目前高质量高Al组分的AlGaInP材料制备仍存在不小的挑战。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备制备了禁带宽度2.1~2.2 eV的AlGaInP太阳电池,研究了外延生长温度、表面活性剂等外延和结构参数对AlGaInP材料和电池性能的影响。通过优化外延生长温度和掺入表面活性剂,获得了在AM0光谱下开路电压达到1.58 V、光电转换效率为12.48%的AlGaInP单结太阳电池。 相似文献
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基于不同有序度的GalnP材料制备出高/低带隙的发射区/基区结构被称之为同材料类异质结结构,其产生的特殊能带结构可以提高太阳电池效率.通过生长条件的优化,验证了GaInP材料的有序度变小,材料带隙从优化前1.868 eV提高到1.898 eV.采用该工艺条件制造了具有对应有序度的GalnP材料,分别作为GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池顶子电池的发射区/基区.测试结果表明,与参照电池比较,新结构太阳电池光照电流电压(LIV)特性参数在电流密度方面获得了明显的提高. 相似文献
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通过光学显微镜和表面缺陷检测仪对4H-SiC外延晶片表面三角型缺陷进行观测和分析,发现三角型缺陷大致可以分为两类:头部无任何异物的三角型缺陷和头部带有异物的三角型缺陷。通过理论分析认为:头部无异物缺陷主要是由于缓冲层和外延层的生长条件不同引起的;头部有异物缺陷主要是由于衬底玷污和生长过程中的掉落物引起的。在此基础上针对两种不同缺陷分别提出了相应外延优化工艺:缓冲层优化工艺和生长前衬底刻蚀优化工艺。实验结果显示,这两种优化工艺有效降低了三角型缺陷的数量,提高了外延晶片质量。 相似文献
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