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低压ZrO非线性电阻是日益普及的低压设备、仪器所必需的过压保护元件和浪涌吸收元件。本文对传统的ZnO非线性电阻器配方进行改进,分析和研究Tdisplay statusdisplay status 相似文献
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已经证明,用过渡族金属激活的氧化物荧光体作为场致发光器件的发光层以获得三角色,是有前途的。例如,发红光用Cr,发绿光用Mn与发蓝光用Ti。也已证明了ZnAl2O4:Mn或Zn2SiO4:Mn TFEL器件发出的绿光,Zn-Ca2O4:CrTFEL器件发出的红光与Zn2SiO4:Ti发出的蓝光均具有高亮度,适于用作全彩色TFEL显示器的三基色。 相似文献
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研究了MgO-TiO2-ZnO(MTZ)系高压MLC介质陶瓷的结构和介电性能。XRD分析表明:其主晶相是六方晶系MgTiO3以及少量的ZnTiO3、CaTiO3附加晶相。此种瓷料制成多层陶瓷电容器,具有耐高压、高工作频率等优点。 相似文献
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赵近 《电子产品可靠性与环境试验》1995,(1):14-20,6
本文简要地回顾了CMOS电路芯片上ESD保护电路设计技术发展概况,给出了在中小规模、大规模及超大规模各阶段的CMOS电路芯片上ESD保护电路的主流技术,双寄生的SCR结构VLSI CMOS芯片上ESD保护电路的最新设计技术,就其ESD保护原理、设计技术及取得的成果做了较详细分析和探讨。对于研制高密度、高速度的VLSI CMOS电路。开展高ESD失效阈值电压,小几何尺寸及低RC延迟时间常数保护电路的 相似文献
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在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射.结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数为59.8meV/GPa.与(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格共振时的类ZnSe1LO声子模频率比与ZnSe势垒层共振时的类ZnSe1LO声子模频率低2.0cm-1,反映了(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中LO声子的限制效应 相似文献
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Co3O4在压敏陶瓷中的作用和影响 总被引:12,自引:1,他引:12
研究了Co3O4在ZnO压敏陶瓷中的作用,以及它对电性能和微观结构的影响。X光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)分析结果表明,在ZnO压敏陶瓷中Co离子以Co2+的形式存在,多数Co离子已溶入ZnO晶粒中,形成替位或填隙缺陷,但它基本上不影响ZnO晶粒的生长。电性能测试结果表明,适当的氧化钻含量能提高ZnO压敏陶瓷的非线性系数和通流能力,并能降低漏电流和限制电压,然而过多的氧化钻则会对回升区大电流特性带来损害.此论点至今在国内外尚未见到类似的报道。 相似文献
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介绍了LPCVD法Si3N4膜与PECVD法SiO2膜的淀积工艺,以及Si-Si3N4-SiO2钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用,并指出了工艺的适用范围。 相似文献
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用于LCD的氧化铝阻挡层的射频反应溅射沉积及其特性 总被引:6,自引:0,他引:6
用金属铝靶射频反应溅射制备了Al2O3薄膜,用作LCD基片玻璃的钠离子阻挡层。报道了射频溅射参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。测试结果表明,所沉积的Al2O3薄膜满足LCD器件阻挡层的要求。 相似文献
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纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响 总被引:5,自引:2,他引:3
研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理。研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高。在质量分数为0~30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势。当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149。在0~10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%~30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高。当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6 mA。 相似文献
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为了研究激光冲击处理对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响,采用Nd:YAG激光器对ZnO压敏陶瓷进行激光冲击处理,利用压敏电阻直流参量仪(CJ1001型)测量材料电学参量和X射线衍射仪、电子扫描显微镜表征相组成及微观形貌,取得了激光冲击处理前后ZnO压敏陶瓷电学性能的实验数据。结果表明,ZnO压敏陶瓷经激光冲击处理后,电位梯度降低了15.6%;非线性系数大幅提高了43.4%;漏电流降低了50%;同时,ZnO压敏陶瓷相组成除高温烧结态(包括ZnO主晶相、Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相以及-Bi2O3相)外,而还出现了新相-Bi2O3相。新相的出现是材料电学性能变化的根本原因。 相似文献
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Li~+对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用氧化物固相合成法,制备了掺Li2CO3的ZnO压敏陶瓷。研究了掺Li2CO3量对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响。结果表明:当x(Li2CO3)从0增加到0.50%时,压敏电位梯度从529V/mm增大到2170V/mm。XRD测试发现,掺Li2CO3并未出现新相结构。晶界势垒高度揭示,ZnO晶粒尺寸的迅速减小是压敏电位梯度急剧增高的主要原因。Li+置换Zn2+,将会在禁带中价带的顶部形成附加的受主能级,使能带发生畸变。 相似文献
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采用固相法对Bi2O3和Sb2O3进行了预复合,并研究了不同比例的Bi2O3与Sb2O3预复合对ZnO压敏电阻致密度,晶粒结构和电学性能的影响。结果表明:当Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为0.7:1.0时,ZnO压敏电阻的综合性能最优,其晶粒生长得最为均匀致密,电位梯度达到361V/mm,非线性系数为86,漏电流密度为7×10–8A/cm2;另外,在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,其残压比和压敏电压变化率分别为2.6和2.5%。 相似文献
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