Z900MCM综述

介绍了Z900 MCM设计和布局,可控塌陷芯片连接(C4)工艺在Z900 MCM组装中的应用。从设计上通过加入垂直电感器及去耦电容器减小其噪声。通过基板测试和功能测试,剔除有缺陷的基板和芯片。Z900 MCM采用先进的MCM—D技术和MCM返工及冷却技术。Z900 MCM平均无故障时间高达40年。     

LTCC 3D-MCM垂直互连技术研究

LTCC3D—MCM是采用低温共烧陶瓷（LTCC）为基板,实现有源元件和无源元件高密度集成的组件。垂直互连是完成2D-MCM转化为3D-MCM的重要途径。本文介绍了叠层型LTCC3D—MCM制作的基本工艺和几种垂直互连技术;对垂直互连所形成的焊料凸点、基扳之间的连接进行了分析和讨论。     

莫托洛拉公司MCM6256/MCM6257型256k DRAM

前言 本文以半字节方式功能的MCM6257型(照片1)存储器为中心,详细地介绍了莫托洛拉公司制造的256k位动态随机存取存储器。MCM6257型动态RAM与带有页码方式功能的MCM6255型动态RAM的芯片结构基本上是相同的,在制造中两者的掩模版可互换使用。     

集成埋置式薄膜无源元件MCM的研究现状

本文介绍了带有埋置式集成薄膜无源元件MCM的研究现状,其包括MCM集成无源元件的研制方法,材料和工艺的选择和优化及MCM制造工艺等一整套问题,分析了集成薄膜无源元件MCM的优缺点及其发展趋势。     

激光微纳连接技术研究进展

激光微纳连接技术是实现微纳米结构、电子元器件批量化生产的基础,是微纳制造领域的关键技术.在简要介绍微纳连接技术的应用需求和主要技术方法的基础上,重点对微纳尺度的激光连接技术进行了分析和论述.首先介绍了激光连接技术的尺寸范围,然后根据其工艺特性的不同选取三种典型的激光微纳连接技术,即激光微焊接,微纳尺度的激光软钎焊和激光...     

对发展我国MCM技术的建议

1.有关MCM的基本概念 微组装技术的概念,我国在八十年代初就有人提出。而对微组装技术的典型产品MCM(多芯片组件)的正式研究,却是从九十年代初开始的。经过十年研究,已取得一定成果,也开展了一些实用化研究。由于MCM属于高技术范畴,我国的技术条件不能完全跟上要求,加上研究经费较困难和认识上、知识上的不统一,至今尚未形成产业。     

3-D MCM封装技术及其应用

介绍了超大规模集成电路（VLSI）用的3-D MCM封装技术的最新发展，重点介绍了3-D MCM封装垂直互连工艺，分析了3-D MCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题，并对3-D MCM封装的应用作了简要说明。     

实用化多芯片组件（MCM）版图设计EDA新技术

本文针对实用化多芯片组件(MCM)的版图设计，介绍并探讨了一种全新的EDA设计技术。内容涉及了MCM的EDA设计方法、流程；MCM版图设计中EDA软件的应用和MCM版图设计等方面的内容。     

对发展我国MCM技术的建议

1.有关MCM的基本概念 微组装技术的概念,我国在八十年代初就有人提出。而对微组装技术的典型产品MCM(多芯片组件)的正式研究,却是从九十年代初开始的。经过十年研究,已取得一定成果,也开展了一些实用化研究。由于MCM属于高技术范畴,我国的技术条件不能完全跟上要求,加上研究经费较困难和认识上、知识上的不统一,至今尚未形成产业。     

超宽带接收前端的设计与实现

本文介绍了一种应用于电子对抗领域的2~18GHz超宽带接收前端的设计。首先介绍了设计方案,并针对接收前端噪声系数、增益、灵敏度等技术指标进行了设计与分析。电路设计突出小型化和高集成度,电路基于MCM多芯片微组装技术,结构上采用一体化模块化设计,便于整机集成。     

金丝楔形键合强度的影响规律分析

金丝楔形键合是一种通过超声振动和键合力协同作用来实现芯片与电路引出互连的技术。现今,此引线键合技术是微电子封装领域最重要、应用最广泛的技术之一。引线键合互连的质量是影响红外探测器组件可靠性和可信性的重要因素。基于红外探测器组件,对金丝楔形键合强度的多维影响因素进行探究。从键合焊盘质量和金丝楔焊焊点形貌对键合强度的影响入手,开展了超声功率、键合压力及键合时间对金丝楔形键合强度的影响研究。根据金丝楔焊原理及工艺过程,选取红外探测器组件进行强度影响规律试验及分析,指导实际金丝楔焊工艺,并对最佳工艺参数下的金丝键合拉力均匀性进行探究,验证了金丝楔形键合强度工艺一致性。     

采用热压焊工艺实现金凸点芯片的倒装焊接

金凸点芯片的倒装焊接是一种先进的封装技术.叙述了钉头金凸点硅芯片在高密度薄膜陶瓷基板上的热压倒装焊接工艺方法,通过设定焊接参数达到所期望的最大剪切力,分析研究互连焊点的电性能和焊接缺陷,实现了热压倒装焊工艺的优化.同时,还简要介绍了芯片钉头金凸点的制作工艺.     

功率器件封装工艺中的铝条带键合技术

文章回顾了功率器件封装工艺中几种常见的互连方式,主要介绍了铝条带键合技术在功率器件封装工艺中的主要优点,特别是它应用在小封装尺寸的功率器件中。铝条带的几何形状在一定程度上降低了它在水平方向的灵活性,但却增加了它在垂直方向上的灵活性。铝条带垂直方向的灵活性可以让我们使用最少的铝条带条数来达到功率器件键合的要求。也由于几何形状的不同,铝条带键合具有一些不同于铝线键合的特点,但它对粘片工艺、引线框架和包封工艺的要求与粗铝线键合极其相似,可以与现有的粗铝线键合工艺相兼容,不需要工艺和封装形式的重新设计。     

基于LTCC技术的毫米波键合金丝的分析与优化设计

金丝互连是实现毫米波多芯片组件的关键技术,金丝跨距和焊盘尺寸对其毫米波特性有重大影响.论文采用商业软件对LTCC互连金丝的传输特性进行建模分析,利用5阶低通滤波器模型对金丝传输结构进行改进,一方面最大化了金丝跨距和焊盘尺寸,减小了公差的影响,减轻了对工艺的要求,提高了成品率;另一方面提高了低通特性的截至频率,改善了毫米波频段传输性能,满足工程设计需要.设计中采用软件仿真结果作为训练样本得到神经网络模型,利用遗传算法对改进结构参数进行优化,缩短了设计时间.     

混合信号边界扫描测试系统的设计与实现

分析了混合信号边界扫描测试的工作机制对测试系统的功能需求,实现了符合IEEE1149.4标准的混合信号边界扫描测试系统。仿真和测试实践表明,该测试系统具有对系统级、PCB级和芯片级电路进行简单互连测试、差分测试和参数测试等功能,结构简单、携带方便、工作可靠。     

Transmission property of flip chip package with adhesive interconnection for RF applications

The radio frequency (RF) and high frequency performance of the flip chip interconnects with anisotropic conductive film (ACF) and non-conductive film (NCF) was investigated and compared by measuring the scattering parameters (S-parameters) of the flip chip modules. Low cost electroless-Ni immersion-Au (ENIG) plating was employed to form the bumps for the adhesive bonding. To compare the accurate intrinsic RF performance of the ACF and NCF interconnect without lossy effect of chip and substrate, a de-embedding modeling algorithm was employed. The effects of two chip materials (Si and GaAs), the height of ENIG bumps, and the metal pattern gap between the signal line and ground plane in the coplanar waveguide (CPW) on the RF performance of the flip chip module were also investigated. The transmission properties of the GaAs were markedly improved on those of the Si chip, which was not suitable for the measurement of the S-parameters of the flip chip interconnect. Extracted impedance parameters showed that the RF performance of the flip chip interconnect with NCF was slightly better than that of the interconnect with ACF, mainly due to the capacitive component between the bump and substrate and self inductance of the conductive particle surface in the ACF interconnect.     

集成电路封装中的引线键合技术

在回顾现有的引线键合技术之后,文章主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。球形焊接工艺比楔形焊接工艺具有更多的优势,因而获得了广泛使用。传统的前向拱丝越来越难以满足目前封装的高密度要求,反向拱丝能满足非常低的弧高的要求。前向拱丝和反向拱丝工艺相结合,能适应复杂的多排引线键合和多芯片封装结构的要求。不断发展的引线键合技术使得引线键合工艺能继续满足封装日益发展的要求,为封装继续提供低成本解决方案。     

基于正交试验的金丝键合工艺参数优化

金丝键合是实现微波多芯片组件电气互连的关键技术。介绍了引线键合技术的基本形式,分析了键合工艺参数对键合质量的影响。基于正交试验方法,通过对影响25μm金丝键合第一键合点质量的工艺参数优化进行试验研究,确定最优化的工艺参数水平组合,达到提高金丝键合工艺可靠性的目的。     

倒装焊对探测器频响特性影响的理论分析及工艺优化

针对光探测器在倒装焊过程中频响性能恶化的问题,建立等效电路模型分析出其原因,并通过优化倒装焊工艺条件予以有效解决。该电路模型包括探测器芯片、过渡热沉和倒装焊环节三个部分。基于倒装焊后探测器的S11参数和频响曲线提取出倒装焊环节特征参数,确认焊点接触电阻过大是引起探测器频响下降的主要原因。通过优化倒装焊工艺条件,有效减小了焊点接触电阻,基本消除了倒装焊对探测器频响特性的影响。     

倒装焊接在压力敏感芯片封装工艺中的研究

胶粘引丝无法实现硅压力敏感芯片的小型化封装,无引线封装可以解决该问题。倒装焊接具有高密度、无引线和可靠的优点,通过对传统倒装焊接工艺进行适当的更改,倒装焊接可应用于压力敏感芯片的小型化封装。采用静电封接工艺在普通硅压力敏感芯片上制作保护支撑硅基片,在硅压力敏感芯片的焊盘上制作金凸点,调整倒装焊接的工艺顺序和工艺参数,实现了绝压型硅压力敏感芯片的无引线封装,为压力传感器小型化开辟了一条新路。试验结果表明该封装方式可靠性高,寿命长,具有耐恶劣环境的特点。