大功率量子阱远结半导体激光器

通过将下波导层掺杂为ｐ型,使半导体激光器的有源区与ｐｎ结分离,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势。理论分析表明,远结半导体激光器特殊的外延结构,决定了器件的阈值比正常器件的高,但是阈值受温度的影响较小,并且器件的退化机制转变为ｐｎ结的退化,这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义。     

大功率半导体激光器阵列的稳态和瞬态热行为

大功率半导体激光器的应用日益广泛.随着激光器光功率的不断增加,其结温也在急速上升.激光器结温的升高不仪会导致寿命、斜率效率和功率下降,阈值电流增大,而且会引起波长漂移,光谱展宽等,因此开展半导体激光器热没计和热优化的研究显得越来越重要.用数值模拟和实验相结合的方法对单巴(bar)条CS封装的60 W,808 nm半导体激光器连续工作时的稳态和瞬态热行为进行分析研究,定量确定了半导体激光器的温升及其构成,以及器件的时间常数.此外,还对半导体激光器件做了热优化,并在分析结果的指导下做出了各项性能指标均优良的半导体激光器阵列器件.     

高速直接调制激光器的研究进展

高速直接调制半导体激光器,是目前城域网和高速以太网的关键器件.文章综述了影响高速半导体激光器的调制带宽的各种因素,并探讨了目前所实现的提高半导体激光器调制带宽的各种方法.     

国外几种新型半导体激光器的研制动态

一、引言随着半导体激光器应用领域的不断扩大,国外各种新型半导体激光器也相应得到了迅速发展。新结构、高性能的器件层出不穷。本文就国外近两年来几种新型半导体激光器——大功率半导体激光器、单模激光器、可见光激光器、量子阱激光器和解理耦合腔激光器的研制状况、发展水平以及未来趋势作一介绍。     

半导体激光器低频噪声测试及参数提取

半导体激光器低频电噪声的大小受器件潜在缺陷的影响,与器件可靠性具有相关性。介绍了半导体激光器噪声测试及参数提取的原理,设计了基于超低噪声前置放大器和低频频谱分析仪的低频电噪声测试系统,可测量半导体激光器的低频电噪声并提取相关噪声参数,进而通过低频电噪声的研究对半导体激光器进行可靠性评价,具有灵敏度高、非破坏性等优点。     

808nm连续波2000W半导体激光器垂直叠阵

为了全面提高大功率半导体激光器的性能和功率,采用双面散热技术,优化了大功率半导体激光器垂直叠阵和单bar器件的热管理和热设计,使得808nm单bar半导体激光器在连续波工作模式下的功率达到100W;808nm 20bar垂直叠阵功率达到2000 W.对微通道液体制冷大功率半导体激光器叠阵和单bar半导体激光器器件的LI...     

915 nm半导体激光器新型腔面钝化工艺

针对半导体激光器腔面光学灾变损伤的发生机制,设计了一种单管芯半导体激光器腔面真空解理钝化工艺方法。在真空中解理并且直接对半导体激光器腔面蒸镀钝化膜,提出用ZnSe材料作为单管芯半导体激光器真空解理工艺的钝化膜材料,发现利用真空解理钝化工艺方法和ZnSe材料作为钝化膜可以使器件输出功率提高23%。通过电致发光（EL）对半导体激光器腔面损伤机理进行分析。进一步说明对915 nm半导体激光器制备工艺中引入真空解理钝化工艺技术并且选择ZnSe作为钝化膜可以有效保护半导体激光器腔面,提高器件可靠性。     

三洋电机

<正> 一、引言在信息处理机领域和光纤通信领域,半导体激光器在实用化方面有了一定进展。作为光电子学的重要器件,在技术方面和生产方面都取得了很大进步。三洋电机也在致力于这种半导体激光器的研制。主要制作GaAlAs器件,目的是应用到信息处理机上。在谋求分立半导体激光器达到高性能化的过程中,还在讨论旨在使机器小型化、高性能化的新器件,其中之一就是引入     

光通信用长波长光电器件市场新动向

近年来,由于光纤通信迅速向以1.3、1.5μm波段为中心的长波长段发展和光用户系统、LAN等正式投入使用,促使了其关键部件——发光、接收器件的迅速发展。目前1.3、1.5μm波段的器件已经或即将实用化,在国际光部件市场中所占的比例也越来越大了。尤其是发光器件的生产规模及需要量增长的比例最高。例如,通信用半导体激光器在世界上的销售额为140.8亿日元(1986年)。其中日本的半导体激光器市场占世界激光器市场的27.5％。在日本的激光器市场中,半导体激光器占82％,其中1.0～1.4μm波段的半导体激光器的生产额占30％,1.3μm波段的半导体激光器在1986年的生产额达160亿日元,估计今后将按年平均增长率38％的比例上升。1.55     

高速半导体激光器的设计

高速调制半导体激光器光源是高速光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。本文分析了影响半导体激光器调制带宽的各种因素，系统地介绍了提高调制带宽的途径，并讨论了高速半导体激光器的典型结构和制造工艺。     

Laser primer for fiber-optics users

The basics of semiconductor lasers are reviewed. Specifically, lasers with wavelengths between 1.3 and 1.55 μm, the range most applicable to fiber-optic communications, are discussed. In this range, light experiences lower loss on silica fiber; in addition, 1.3 μm is the wavelength of zero dispersion, where the refraction index and, consequently, the speed of propagation are independent of wavelength. Key properties of semiconductor lasers, including power-current characteristics, beam shape, spectra, modulation, noise characteristics, and reliability, are discussed     

半导体激光器高速驱动源

本文介绍满足ＤＦＢ激光器高速特性测试要求的一种半导体激光器高速驱动源的设计要点、测试结果和使用情况。     

Effects of carrier transport on relative intensity noise and critique of K factor predictions of modulation response

The maximum possible intrinsic modulation bandwidth in semiconductor lasers is conventionally written in terms of the K factor. Although this is often sufficient in bulk lasers, it is usually not true in quantum well lasers where carrier transport can significantly affect the high speed properties. Analytical expressions are presented, which include the effects of carrier transport, for the modulation response and the relative intensity noise in quantum well lasers. It is shown that in the presence of significant transport effects, the K factor is not an accurate measure of the maximum possible intrinsic modulation bandwidth.<>     

半导体可饱和吸收镜实现高频脉冲激光研究进展

介绍了作为固体激光器、半导体激光器和光纤激光器被动锁模吸收体的半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本原理和制作方法。详细阐述了利用半导体可饱和吸收镜对同体激光器和光泵垂直外腔面发射半导体激光器进行被动锁模，获得重复率为几吉赫到几百吉赫的超短脉冲激光的方法。     

有机半导体激光器研究的新进展

近年来,有机半导体激光器已经成为一个新的研究热点。叙述了光泵浦有机半导体激光器的最新研究进展,对实现电泵浦（ 电注入） 有机半导体激光器也进行了评述。     

Limits in integrated optics

A review is given of the characteristics and limits of integrated optics devices and circuits, with emphasis on size, speed, and power consumption. Performance limits and trade offs are discussed for semiconductor lasers, filters, switches and modulators, and bistable devices.     

半导体激光器光束质量评价方法探讨

针对半导体激光器的结构和光束特点,分析了M2因子的概念与半导体激光器激光本质之间的关系,研究了其局限性,探讨了激光光束质量的影响因素,提出利用准直代价作为半导体激光器光束质量评价因子,该因子由激光器的结构参数和光束参数有机组合而成,此值越小光束质量越好,越容易准直.新的评价因子即完善了"光参数积"的普适性,又具有针对性...     

GaN基半导体材料研究进展

简单回顾半导体短波长激光器的发展过程，总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。     

Multielectrode Semiconductor Lasers

ＭｕｌｔｉｅｌｅｃｔｒｏｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬａｓｅｒｓ①②ＬＵＨｏｎｇｃｈａｎｇ，ＳＵＮＨｏｎｇｘｉａ，ＬＵＯＢｉｎ，ＣＨＥＮＪｉａｎｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００３１，ＣＨＮ）Ａｂ...     

Multielectrode Semiconductor Lasers^①②

Multielectrode semiconductor lasers are studied via the ray method.The expression of the output photon number of N-electrode semiconductor lasers has been derived for the first time.When N=1 or 2,the expression of the output photon number fits in that of one-electrode(general)or two-electrode semiconductor lasers perfectly.