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WO3-SnO2薄膜的溶胶-凝胶制备及其气敏特性研究 总被引:4,自引:1,他引:4
以无机盐SnCl2.2H2O为主体原料、H2WO4为掺杂剂、无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶工艺制备了nw:nsn=1:1000的WO3-SnO2薄膜,并对共气敏性能进行了研究,实验表明,掺杂量为1%的WO3-SnO2薄膜在常温下对H2S,NOx气体具有较好的气敏性能,对H2S气体的敏感温度为100℃,对NOx气体的最佳敏感温度为70℃。 相似文献
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通过热分解法,可制备出平均晶粒尺寸<100nm的WO3材料,在此材料中掺入适量的用溶胶-凝胶法制备的SiO2可制得对NH3有较好灵敏度的气敏元件,该元件选择性好,响应时间短,可作为理想的氨敏元件。 相似文献
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用纳米WO3制作NOx气敏元件 总被引:15,自引:0,他引:15
在主体材料WO3中掺入适量的SiO2可制得平均粒径为37nm的敏感材料,用该材料制作的气敏元件对NOx具有较高的灵敏度和较好的选择性,响应/恢复时间较快。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜气敏特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以SnCl4·5H2O为原料、用Sol-gel法制备出了SnO2薄膜,并对该薄膜的气敏特性进行了测试.结果表明,SnO2薄膜低温下对乙醇气体有较高的灵敏度和较快的响应恢复时间,且长期稳定性较好. 相似文献
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贵金属催化剂对氧化镍气敏特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用均匀沉淀法合成了氧化镍(NiO)气敏微粉,利用浸渍法对氧化镍材料进行了掺杂,用X射线衍射、电子衍射和透射电镜对材料的陶瓷微结构进行了研究.实验结果表明:合成材料为颗粒状非晶体,颗粒尺寸<1μm;该材料为P型半导体材料,对C2H5OH具有较高灵敏度,Ag的掺杂能提高NiO的气体灵敏度,Pd,Pt,Au,Ru,Rh的掺杂不能有效地提高其气体灵敏度,但可改善NiO的气敏选择性. 相似文献
7.
SnO2薄膜制备及其应用日益受到人们的重视。本文阐述了用低温等离子体化学气相沉积法制备SnO2薄膜的工艺,并研究了所制得的纯净及掺杂Ag,Pd的SnO2薄膜的气敏特性。此法制得的元件对还原性气体,尤其是低浓度H2S,C2H5OH具有很高的灵敏度及快速的响应. 相似文献
8.
采用溶液-凝胶浸渍涂布工艺在Al_2O_3陶瓷管上制备了掺杂SnO_2气敏薄膜;利用高温热解法在SnO_2薄膜表面覆盖SiO_2气体分离膜后制得双层薄膜气敏元件。分别测试并比较单层和双层薄膜元件的气敏特性,结果表明:单层薄膜元件对可燃性气体无选择性、响应和恢复时间短;而双层薄膜元件对氢气表现出极高的灵敏度和优越的选择性,其响应和恢复时间都比单层薄膜元件有所延长,结合实验结果,从理论上阐述了双层薄膜元件对氢气的敏感机理。 相似文献
9.
平面薄膜型气敏传感器刘文利,李建明,吕红浪,裘南畹(山东工业大学济南250014)关键词薄膜;氧化锡;酒敏元件中图分类号TP212.21介绍用粉末浅射研制的SnO2/GeO2酒敏薄膜的性能与膜厚、掺杂量、温度等的关系.发现其最佳厚度在10-1~2×1... 相似文献
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普通的α-Fe_2O_3,由于其所具有的高稳定性,对气体是不够敏感的。加入硫酸根或四价金属离子后,α-Fe_2O_3得到了微细化,从而使α-Fe_2O_3,的灵敏度显著提高,达到了实用化要求。研究发现采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法,合成出颗粒尺寸在nm级的超细α-Fe_2O_3。用这种材料制成的气敏元件具有低的工作温度(250℃)、较好的气敏选择性(C_2H_5OH)和良好的气敏稳定性。若将超微粒α-Fe_2O_3的热处理 相似文献
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用直流磁控溅射法分别在涤纶机织布、针织布、纺粘非织造布表面制备铜薄膜,并用频谱分析仪与专用波导管测试所得样品在100 MHz~1.5 GHz之间的电磁屏蔽效能,用扫描电镜观察溅射样品的表面形貌,用显微镜观察基底布孔隙,并对结果进行比较分析。发现基底布表面结构形貌与孔隙对屏蔽效能均产生影响,前者更为显著。根据导电网络的连续性、几何结构的立体性及紧密程度、孔隙及未沉积的涤纶空白表面的几何结构对表面电阻、表面吸收损耗及反射损耗的影响,分析非织造布正反面屏蔽效能曲线的差异。非织造布正表面由于纤维粘连紧密,沉积铜后形成较连续的导电网络,屏蔽效能好;机织、针织布反之,屏蔽效能较差。除表面密实及平坦程度外,缝隙的尺寸及分布也影响屏蔽效能与频率曲线的形状。 相似文献
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磁控溅射PET非织造基银膜的微结构及性能 总被引:2,自引:0,他引:2
为研究PET非织造基银膜的结构及性能,在室温条件下,用磁控溅射法在PET非织造布基材上制备了25、50、75、100 nm4种不同厚度的Ag薄膜,由X射线衍射对薄膜微结构测试分析得知:制备的Ag薄膜均呈多晶态,晶体结构均呈面心立方;随着膜厚的增加,薄膜的平均晶粒尺寸逐渐增大。薄膜的光谱和导电性能测试表明:PET基银膜存在临界膜厚,在临界膜厚范围内,随着膜厚的增加,薄膜的反射率急剧增强,透射率快速下降,但达临界膜厚后,反射率和透射率随膜厚的变化趋于平缓;随着膜厚的增加,薄膜的导电性能明显提高。 相似文献
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在室温条件下采用直流磁控溅射方法,在醋酸纤维素(CA)纳米纤维表面沉积纳米银(Ag)薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对不同溅射功率的纳米银膜的形貌和微结构进行表征;利用X射线衍射分析了纳米银膜的结晶状态;同时研究了在不同溅射功率条件下制备的沉积纳米Ag膜复合纳米纤维的光学透射性能。实验结果表明:纳米结构银薄膜由极其微小的均匀性较好的粒子组成,随着溅射功率的增加,组成纳米Ag薄膜的Ag粒子尺寸增大,薄膜的致密性和均匀性增加;制备的Ag薄膜均呈面心立方的多晶结构,并且结晶性能随着溅射功率的增加而逐渐增加,抗紫外线透射能力明显增强。 相似文献
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为研究磁控溅射对纺织材料性能的影响,利用JPGF-450I型磁控溅射镀膜机,以锦纶织物为基材,制备纳米铝膜。通过改变溅射功率、工作压强等工艺参数,获得在不同工艺条件下的镀铝膜锦纶织物,测试镀膜后锦纶织物中纱线的断裂强度、断裂功等拉伸性能,研究溅射功率与工作压强对镀膜织物中纱线拉伸性能的影响。结果表明:在室温下,镀膜纱线与原纱相比断裂强度有所提高,断裂强度不匀率降低,断裂功受断裂伸长率影响明显;随溅射功率的增加,镀膜纱线的断裂功和断裂伸长率都呈减小的趋势;工作压强在0.8~0.9Pa时,镀膜纱线的断裂功和断裂伸长率达到最大值。并通过AFM原子力显微镜观察了镀膜锦纶织物的表面形态发现,锦纶丝的表面形成了较完整均匀的纳米铝膜。 相似文献
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磁控溅射制备参数对ZnO薄膜结构和光学性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用RF磁控溅射法,在硅(100)衬底上生长出高质量(002)晶面取向的ZnO薄膜.通过XRD和透射光谱研究了射频功率和氧气比例对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态和光学性能的影响.研究结果显示,射频功率在100W下制备的ZnO薄膜,当氧气比例为60%时,能获得单一c轴择优取向和最小半高宽,压应力最小的薄膜,即结晶性较好的薄膜. 相似文献
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在室温条件下,以射频磁控溅射法在碳纤维布(CFFs)上沉积纳米结构Cu薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的组成成分和结晶状态,用扫描电子显微镜(SEM)分析不同功率下镀铜碳纤维布表面形貌的变化,同时研究了溅射功率对薄膜沉积速率、织物增重率、导电性能和结合牢度的影响.结果表明:在碳纤维布上沉积薄膜的主要成分是Cu元素,且薄膜结晶良好,结晶度为40.85%;随着溅射功率的增大,碳纤维布上的铜粒增多,铜粒增大,沉积速率增大,织物增重率增大,导电性能增强;经过5个周期的冷热循环实验后,在溅射功率180 w下制得的薄膜有脱落现象,且其方块电阻明显增加,说明薄膜结合牢度变差,因此,合理的溅射功率控制在60-140 w之间. 相似文献