高温超导红外探测器的电极工艺探讨

介绍了高温超导红外探测器电极材料的选择和制备。选用先蒸、后蒸金，再合金化的电极工艺。芯片装配成器件后，器件性能稳定，膜层牢固，接触电阻小。     

新型聚酰亚胺图形化工艺制备视网膜电极

介绍了一种新型的、基于Cu牺牲层的聚酰亚胺图形化方法制备视网膜电极的MEMS工艺,并对其电化学性能进行了表征。该工艺创新性地以Cu作为衬底聚酰亚胺图形化的牺牲层,以PDMS(聚二甲基硅氧烷)作为剥离层,以聚酰亚胺作为封装材料,以惰性金属作为电极保护层材料,通过电铸、牺牲层和抛光打磨工艺,制备出可以自释放的柔性视网膜电极;随后,对器件进行封装,并对器件的表面形貌和电学性能进行了表征。视网膜电极器件厚度50μm,电路线宽50μm,阻抗104～105Ω。通过该工艺制得的人造视网膜电极具有柔软无伤害、生物相容以及低成本的优点。     

石墨烯纳米间隙电极对的制备研究进展

石墨烯的高晶体质量、高电导率、单层结构以及与有机半导体的良好兼容性使其成为纳米器件和分子器件的理想电极材料,纳米间隙电极对是构筑纳米器件的基础,发展了两种制备石墨烯纳米间隙电极对的方法——纳米线和金丝交替掩膜法以及原子力针尖裁剪法,其过程简单,制备的石墨烯间隙为100～200 nm.石墨烯纳米间隙电极对是制备纳米器件、...     

低损伤碲镉汞长波红外焦平面探测器电极接触孔刻蚀技术研究

长波碲镉汞材料受结构、组分等因素影响。在制备器件过程中,刻蚀电极接触孔易发生材料损伤,影响芯片的成像性能。利用现有电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma, ICP)设备刻蚀长波碲镉汞芯片电极接触孔,采用分步刻蚀以避免损伤。该方法虽可提高芯片的成像质量,但效率低,难以应用于大规模生产。为了提高刻蚀效率和实现器件大规模制备,通过对ICP刻蚀机上下电极射频功率的协同优化,开发出长波碲镉汞芯片电极接触孔一次成型工艺。经中测验证,探测器(长波320×256,像元中心间距为30 μm)的盲元率仅为0.26%。该工艺能够实现低损伤电极孔刻蚀,可推广到大批量长波红外芯片制备。     

集成真空微电子器件的制备方法

发射极极尖的锥尖是典型场发射真空微电子器件最好的物理结构,一般不是由标准的集成电路制备工艺制备的。本文提出利用共形薄膜填充小孔时自然形成的尖端作为模型来制备较尖的发射极。形成这个锥尖的方法不仅容易与制备阴极、二极管、三极管和更多电极器件的标准半导体工艺相结合,而且也能与器件结构内部所有电极自对准。本文将描述用于制备微电子三极管器件的基本工艺过程,然后给出怎样改变工艺才能制备出不同数量电极和独立的阴极结构。描述了初步实验结果,分析讨论了工艺重复性的估算。     

硒化铅光导型红外探测器的电极选择

本文主要介绍硒化铅光导型多元红外探测器的电极材料选择和电极的制备工艺。     

一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融的处理装置

红外焦平面器件电极铟柱是器件芯片与读出电路互联的介质,器件的每个像元电极区都必需制备铟柱。由于器件集成度高,像元电极区的铟柱必须做得极小,并与电极接触良好。用目前工艺制备出的铟柱存在     

硒化铅光导型红外探测器的电极选择

本文主要介绍硒化铅光导型多元红外探测器的电极材料选择和电极的制备工艺。     

ZnO:Ga透明电极LED的制备及性能分析

基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO∶Ga(GZO)透明电极的LED芯片。实验研究了相同工艺条件制备的ITO透明电极LED芯片和GZO透明电极LED芯片,对比实验结果表明GZO薄膜沉积工艺简单,其器件性能与ITO电极LED相当。相同条件下制备的GZO薄膜可见光波段透过率约90%,而ITO仅为75%。实验室制备的LED器件均具有较高的阈值电压,一方面p-GaN与ZnO的禁带宽度相差4.13 eV,接触势垒大,另一方面器件制备过程中的等离子体损伤薄膜表面和器件性能。     

近室温3～5μm 碲镉汞光导探测器噪声频谱的测试

光导探测器的噪声包括:热噪声、产生复合噪声和1/f噪声。其中热噪声和产生复合噪声取决于制备器件所用材料本身的一些基本参数(如:φ_v,τ,n_o等)。而影响1/f噪声的因素较多,诸如制备探测器时的表面工艺,材料参数,以及电极的结构形式等等,在一定的频率范围内(低频),1/f噪声与频率的倒数成正比。因而在使用器件时,选择合适的工作频率,尽量避开1/f噪声的影响,使器件尽可能地工作在产生复合噪声范围,这样     

锗近红外光电探测器制备工艺研究进展

Ge材料由于在近红外波段具有较大的吸收系数、高的载流子迁移率、以及与Si工艺相兼容等优势而被视为制备近红外光电探测器最理想的材料之一。针对Ge光电探测器制备过程中面临的挑战,文中综述了近年来笔者所在的课题组在Ge探测器材料、器件及工艺方面的研究进展。首先介绍了Si基Ge材料的制备工艺,利用低温缓冲层生长技术、Ge/Si键合技术、Ge浓缩技术等分别制备得到高晶体质量的Si基Ge材料。研究了Ge材料n型掺杂工艺,利用离子注入结合两步退火处理（低温预退火和激光退火）以及利用固态磷旋涂工艺等分别实现Ge材料n型高掺浅结制备。最后探究了金属/Ge接触势垒高度的调制方法,结合金属中间层和透明导电电极ITO制备得到性能良好的Ge肖特基光电探测器。     

固体电解质CO_2传感器的研究与进展

采用溶胶-凝胶法制备NASICON粉体材料,并利用XRD和IR对制得的材料进行表征。以NASICON粉体材料为基体,Li2CO3-BaCO3复合盐为敏感电极制作管式CO2气体传感器,并对其灵敏度、选择性和耐水性进行测量。在敏感电极中掺入质量分数为10%的SiO2,不仅明显改善器件的耐水性,而且使器件的初始稳定时间从30min减小到5min。     

半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应

设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图,用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区,在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAs MESFETs器件。研究了这二种不同工艺制备的MESFETs器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小。结果表明,采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小,背栅效应的大小与距离近似成反比,采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大。     

固体电解质CO2传感器的研究与进展

采用溶胶-凝胶法制备NASICON粉体材料,并利用XRD和IR对制得的材料进行表征.以NASICON粉体材料为基体,Li2CO3-BaCO3复合盐为敏感电极制作管式CO2气体传感器,并对其灵敏度、选择性和耐水性进行测量.在敏感电极中掺入质量分数为10%的SiO2,不仅明显改善器件的耐水性,而且使器件的初始稳定时间从30 min减小到5 min.     

固体电解质CO2传感器的研究与进展

采用溶胶-凝胶法制备NASICON粉体材料，并利用XRD和IR对制得的材料进行表征。以NASICON粉体材料为基体，Li2CO3-BaCO3复合盐为敏感电极制作管式CO2气体传感器，并对其灵敏度、选择性和耐水性进行测量。在敏感电极中掺入质量分数为10%的SiO2，不仅明显改善器件的耐水性，而且使器件的初始稳定时间从30min减小到5min。     

昆明物理研究所分子束外延MCT薄膜技术进展

本文对比分析了碲镉汞p-on-n器件四种制备方式的优劣,其中,VLPE（Vertical Liquid Phase Epitaxy）技术具有原位As掺杂与高激活率的技术优势,是制备高性能p-on-n双层异质结器件的重要方式。针对该技术,从材料生长、器件工艺和器件性能方面回顾了国内外研究进展,讨论了国内外差距,明确了制约该技术发展的关键问题和技术难点,并提出了解决思路。最后,展望了VLPE技术p-on-n异质结器件的发展趋势。     

喷墨打印像素化蓝光OLED器件

喷墨打印作为一种工序简单、低成本、无掩模、非接触、承印基板和墨水材料选择广的数字化制备工艺,广泛应用于多种领域.利用喷墨打印技术,以PEDOT∶PSS为空穴注入层,PF-SO为发光层,并蒸镀Ba和Al电极,实现像素化蓝光OLED器件的制备.通过精确调控打印喷头驱动参数调整墨滴喷射特性,并调控墨水张力、粘度等参数,获得平...     

柔性ZnS∶Cu电致发光器件制备和性能研究

采用喷墨印制工艺在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜表面制备纳米银线(AgNWs)柔性透明导电膜。以纳米银线柔性透明导电膜分别作为顶电极和底电极，ZnS∶Cu为发光层，聚二甲基硅氧烷(PDMS)为介质层和包装层，采用旋涂工艺制备AgNWs/ZnS∶Cu&PDMS/AgNWs结构的柔性电致发光器件，并研究了电极的光电性能、介质层性能以及施加电压对器件性能的影响。研究表明，良好光电性的电极和高介电常数的介质层有利于提升器件发光强度。当以方阻20Ω/和透光度(550 nm)63.9%的薄膜作为电极，BaTiO₃和PDMS混合作为介质层时，施加200 V电压时器件的发光强度可达2.61 cd·m^-2,施加300 V电压时器件的发光强度可达6.41 cd·m^-2。器件弯曲180°后仍具有良好的电致发光特性。采用喷墨印制工艺制备4 cm×4 cm花朵图案的纳米银线柔性透明导电膜分别作为顶电极和底电极，ZnS∶Cu为发光层，BaTiO₃和PDMS作为介质层和包装层，制备电致发光器件，在200 V(50 Hz...     

低噪声GaAs FET器件特性与材料质量的关系

要制备噪声性能具有目前水平的GaAsFET,就要求高质量的GaAs外延层。本文叙述了三种器件评定技术,它能够确定材料质量,特别是有源n型层与缓冲层,或与半绝缘衬底之间界面的质量。本文的主要目的是积累工作器件结构中充足的数量和质量的材料数据,从而能设计出材料的评定技术,以避免目前为检验原材料的质量而要制备一种器件的工序。向材料部门提供的数据资料,使材料生长工艺得到了改善,生产的器件在8GHz下噪声系数为1.4dB。     

ZnO薄膜器件欧姆电极的高掺杂接触法制备

利用脉冲激光沉积方法在Al/Si衬底上生长出了高质量的n型ZnO单晶薄膜。研究并总结了以金属Al材料制备ZnO薄膜器件欧姆电极的方法。选择功函数合适的金属作为电极材料,比如In、Ti和Al等,可以在n型ZnO薄膜上制作良好的欧姆电极。研究发现,在金属Al和n型ZnO膜之间生长一层高掺杂的AZO层,可得到比Al与n型ZnO直接接触更优良的欧姆性能。并且,通过高温退火可以有效提高金属Al电极的结晶质量和电导率,降低电极与n型ZnO界面处的接触势垒,从而实现优良的欧姆接触性能。