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长波长量子阱LD的实用化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
长波长量子阱LD的实用化研究李同宁,刘涛,金锦炎,丁国庆,郭建委,胡常炎,吴桐,李明娟,赵俊英,魏泽民(武汉电信器件公司)近十年来,MBE、MOCVD、CBE工艺研究在半导体超薄层材料制备行业中非常活跃。国际上长波长多量子阱激光器件多采用MOCVD工... 相似文献
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Si基异质结构发光的研究现状 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了Si 基异质结构发光研究的现状。介绍了Si 材料本身的本征发光、激子发光、杂质发光等特性,描述了掺Er- Si 的发光、Si 基量子结构( 量子阱、量子点) 的光发射,重点研究SiGe/Si 异质结构的发光性质。同时还对多孔Si 发光、Si 基发光二极管(LED) 与Si 双极晶体管(BJT) 集成、Si 基上垂直腔面发射激光器(VCSEL) 与微透镜的混合集成作了简要的介绍。 相似文献
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本文建立了半导体微腔的缀饰激子模型,在VCSEL器件量子阱中的激子首先通过内电磁场与腔耦合,形成缀饰态。而后作为多粒子过程,缀饰激子与腔内真空场耦合产生辐射。通过QED方法,我们得到偶极子辐射密度方程和系统能量衰 变方程。从方程解的讨论中,我们得到超辐射和偶极子微腔方向 效应的结果,同时预言民当内场耦合足够强时,缀 激子可以直接辐射到一个很的激光模中。 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si应变超晶格样品中深能级中心的性质.在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心.在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品中深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为EC-0.22eV.并且在正向注入下随着E2峰的消失观测到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV.在Ge/Si应变超晶格中,深中心H1的能级位置为EV+0.44eV,深中心H2的能级位置为EV+0.24eV 相似文献
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从征 《激光与光电子学进展》1999,(11)
为了光电子器件和互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的进一步集成,贝尔实验室-朗讯技术公司的研究人员已演示他们称为能实现每激光器每秒千兆比特性能的第一个倒装晶片粘合CMOS/垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵。研究人员把他们以前的砷化镓多量子阱调制列阵的倒装晶片粘合到CMOS电路上。实验器件是在970nm波长工作的2×10底部垂直腔面发射激光列阵,970nm波长可透过Ⅲ-Ⅴ族衬底。试验证明,室温时激光器的阈值电压为1.4~1.5V,阈值电流为0.9~1.0mA,两者都在商品化CMOS器件的驱动… 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为Ec-0.22eV,并且在正向注入下随着E2峰的消失到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV,在Ge/ 相似文献
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一个简单的量子阱激光器等效电路模型 总被引:1,自引:1,他引:0
给出一个新的量子阱激光器等效电路模型,由量子阱激光器单模速率方程推导得到并在电路模拟程序SPICE中完成。该模型考虑了热辐射效应和分离限制区域(SCH)内的载流子工作情况,给出了新的光增益表达式。并利用该模型对单量子阱激光器的小信号特性和瞬态大信号特性进行了预测,模拟结果表明和速率方程的直接求解结果吻合很好。 相似文献
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颜严 《激光与光电子学进展》2000,(5)
德国乌尔姆大学、麻省理工学院、耶鲁大学和意大利Palermo大学的研究人员制作了谐振腔增强(RCE)光探测器。它以普通的外延生长结构与单膜垂直腔面发射激光器(VCSEL)邻接。该结构用固体源分子光束外延生长。内腔厚λ/2,包含3个8nm厚的砷化镓量子阱。刻蚀掉外延结构内155个反射镜对中的8个,制作了施加-15V反向偏压时峰值量子效率73%、谱线半高全宽(FWHM)约17nm的谐振腔增强探测器。无偏压器件产生69%的峰值量子效率和18nm的谱线半高全宽。刻蚀去11个反射镜对,形成45个顶部反射镜对的谐振腔增强器件,则在有偏压和无… 相似文献
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《大气与环境光学学报》1999,(6)
日本东京大学及德国维尔茨堡大学的研究人员报道了在室温下一个二维的光泵浦的垂直腔面发射激光器(VCSEL)获得了蓝色激光(390urn)。这种器件的阵列可以显著缩短在高密度光学存储器中的读取时间。阵列中的每一个InGaNVCSEL直径为18Pm,器件以22Pm的间隔划分。在367urn处由一个重复频率3H。的NZ激光泵浦的染料激光器来对VCSEL进行泵浦。VCSEL的发射门值是在10mJ/Cm’的泵浦能量或2~4x10‘’cm’载流子密度下产生。该器件是在以蓝宝石衬底的多层结构上做出的。在分布着反… 相似文献
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Analysis Expression of Rate Equation for Vertical Cavity Lasers 总被引:1,自引:0,他引:1
An analysis solution of rate equation is derived for vertical cavity surface-emitting lasers.Based on the enhanced spontaneous emission caused by VCSELs and influence of nonradiative recombination, the relation between output properties and structural parametersof multi-quantum wells(MQWs) is obtanined.It was found that the characteristic curve of a “thresholdless“ laser is strongly nonradiative depopulation-dependent.When the nonradiative depopulation is no zero,the light-current characteristic is not linearly even for an ideal closed microcavity.The light output is increased by the enhanced well number and by the reduced width.In particular, a lower threshold current density for MQWs structure in the short cavity is realized by us, meanwhile the sharpness of the variation depends on spontaneous emission factor. 相似文献
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自发辐射因子对外光反馈下VCSELs非线性行为的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
利用构建在SIMULLNK平台下垂直腔面发射激光器(VCSELs)动态仿真模型,研究了自发辐射因子对多次外光反馈下VCSEs非线性行为的影响。结果表明,随外腔长(外腔反射率)增加,VCSELs顺次(逆次)经历混沌、多周期、倍周期和单周期区域:进一步得出,增大自发辐射因子可抑制系统的非线性行为,提高器件稳定性。 相似文献
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采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。 相似文献
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根据多模速率方程,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器(VCSELs)和边发射激光器(EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明,与单模情况相比,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短,而VCSELs动态特性变化不大。与此同时,在得出VCSELs的单模工作、高速调制以及提高偏置电流或自发辐射因子可改善两类器件动态特性等结论外还看到,VCSELs边模抑制比(SMSR)随偏置电流变化率高于EELs;自发辐射因子增大时,边模强度同比例增大、主模强度减小,利用微腔效应有效控制自发辐射因子可以优化VCSELs的单模特性。 相似文献
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