恒忆(NUMONYX)针对嵌入式应用市场推出全新系列高性能串行闪存解决方案

<正>恒忆(Numonyx)于2010年3月4日宣布推出业界首款65 nm多路输入输出串行闪存系列产品,从而进一步扩大了恒忆为满足嵌入式市场严格的代码和数据存储可靠性要求而设计的强大存储器产品阵容。新的Numonyx(?)Forte~(TM)N25Q系列串行闪存可为当今电脑、机顶盒和通信设备上的主流嵌入式应用提供最高的读写性能、设计灵活性和应用可靠性。     

Spansion推出面向工业嵌入式系统的e.MMC存储产品

正近年来,嵌入式市场对NAND产品的需求不断增大。作为嵌入式市场闪存解决方案的创新厂商,Spansion公司近日面向消费、通信和工业设备市场推出了工业级e.MMC NAND闪存系列。Spansion的e.MMC NAND闪存提供8GB和16GB存储容量,工作温度范围为-40~+85℃,可满足上述市场对可靠、更高密度存储日益增长的需求。最新推出的e.MMC闪存系列完善了Span-     

微控制器MPC56X和AMD闪存的接口技术

本文以摩托罗拉嵌入式Flash微控制器MPC56X为例，主要从俩种接口选择，同步模式触发，寄存器设置三方面介绍它和AMD16M闪存Am29BDD160GB的软硬件接口电路。     

Altera提供下一代非易失MAX 10 FPGA和评估套件

正近日,Altera公司开始提供非易失MAX 10FPGA,这是Altera第10代系列产品中的最新型号。基于TSMC的55nm嵌入式闪存工艺技术,MAX 10FPGA这一革命性的非易失FPGA,在小外形封装、低成本和瞬时接通可编程逻辑器件封装中,包含了双配置闪存、模拟和嵌入式处理功能。MAX 10FPGA关键特性MAX 10FPGA是高度集成的单芯片、非易失解决方案,提供高密度逻辑、大量的I/O、嵌入式处理功能以及集     

AMD闪存长到32MB

近日AMD公司发布了其使用5伏电压的32兆位闪存设备——Am29F032,此产品将应用于那些需要高容量数据和代码存储的领域。 AMD存储部副总裁,Walid Maghribi说:“对于要求极高可靠性的高密度存储应用领域,Am29F032是一个物美价廉的解决方案。AMD可提供最少1百万次的可靠读写和20年的数据保持。70ns的高速读写,也使得Am29F032可以满足高速应用的要求。Am29Fxxx系列产品将继续向设计人员提供基于5伏电压的闪存产品,容量从1兆位到32兆位不等,而且AMD还计划在明年推出一款64兆位的产品。” Am29F032可应用于     

Altera第10代FPGA首款产品的四大优势

<正>Altera公司日前宣布开始出售第10代产品的第一个系列——非易失MAX誖10 FPGA及其评估套件。该产品采用TSMC的55 nm嵌入式闪存工艺技术。MAX 10 FPGA仅有3 mm×3 mm,却集成了最高50 K逻辑单元、闪存模块(用户闪存和双配置闪存)、模数转换器、嵌入式存储器和DSP模块、DDR3外部存储器接口、软核Nios誖II处理器实现嵌入式处理功能、最多500个用户I/O、集成电源调节器。采用MAX10 FPGA,电路板面积减小50%,可显著减少材料总成本。     

微控制器MPC56X和AMD闪存的接口技术

本文以摩托罗拉嵌入式Flash微控制器MPC56X为例,主要从俩种接口选择,同步模式触发,寄存器设置三方面介绍它和AMD16M闪存Am29BDD160GB的软硬件接口电路。     

基于NAND型闪存的嵌入式文件系统设计

由于具有高密度和良好的存取速率等特点,NAND型闪存在嵌入式系统领域中被广泛应用,但其所固有的擦除－写入更新机制以及高坏块率等特性却又成为其在应用中的障碍。提出了一种基于NAND型闪存的日志结构嵌入式文件系统,用于充分利用NAND型闪存的优势并克服其缺陷。文件系统在嵌入式Linux操作系统中予以实现,并进行了性能测试。     

啄木鸟闪盘首推智能恢复王

光磁厂家大恒公司日前向国内市场推出其第一款闪存产品——啄木鸟智能恢复王,正式进军目前如火如荼的闪存市场。和其他闪存产品不同的是,此款啄木鸟智能恢复王不止具有大容量和杀毒的功能,更强调其独一无二的智能恢复功能,有     

AMD三芯齐闪——16MB零功耗闪存系列瞄准存储器市场

9月15日,AMD公司宣布了三种新的16Mb高密度闪存芯片——AMD零功耗闪存系列的三个最新成员。目前,AMD这一产品系列已从2Mb扩展到32Mb,但用户仍可选用2Mb到16Mb的产品,因为AMD的所有闪存设备均可100％地向上兼容。 AMD此次推出的这些新产品都是基于该公司符合工业标准的“仅需2.7伏的零功耗”体系结构,同时也是可支持公共闪存接口(CFI)规范的第一批闪存部件。CFI是一     

基于闪存的文件系统的实现

作为嵌入式领域应用最为广泛的存储设备,闪存具有高密度和良好的存取速度等优点。但同时它也存在着缺陷:一是闪存在重写之前必须先进行块擦除;二是各擦除块的擦除次数有限。所以基于闪存的文件系统必须在充分发挥闪存的性能的同时克服它的缺陷。文章在分析了闪存的这些存储特性的基础上,阐述了一个基于闪存的文件系统JFFS的设计与实现。     

Microchip推出有效倍增低电压设计性能PIC单片机

美国微芯科技公司(Microchip)近日推出全新系列引脚数多、高密度存储器的PIC18F87J10闪存单片机的前十款产品。新款单片机在3V低电压应用时可达10MIPS，性能翻了一倍。     

Atmel提供基于Cortex-M4的高密度嵌入式闪存微控制器

爱特梅尔公司(Atmel Corporation)宣布提供基于Cortex-M4处理器的2 MB嵌入式闪存微控制器(MCU)产品SAM4SD32的样品,进一步扩大基于ARM Cortex-     

英特尔首个65纳米NOR闪存芯片

据《电子产品世界》2006年第5期报道,2006年4月4日英特尔公司在美国宣布,称为第一家供应NOR多级单元闪存芯片的公司,这种芯片密度为1G,是基于65纳米处理技术的产品。NOR多级单元闪存芯片用于手机等设备上的关键操作及个人信息数据的管理,并可以存储照片、音乐和影片。英特尔将于今年第二季度末开始向客户供货。英特尔于2005年下半年开始65纳米微处理器的生产,目前应用于手机、台式机、服务器和嵌入式处理器的芯片。编辑部摘录英特尔首个65纳米NOR闪存芯片     

莱迪思全功能PLD——MachX02

<正>莱迪思半导体公司近日宣布推出其新的MachXO2~(TM)PLD系列,为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中的低成本,低功耗和高系统集成。嵌入式闪存技术采用了低功耗65nm工艺,与MachXO~(TM)PLD系列相比,MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式     

汽车电子

恒忆发布汽车应用存储器产品 恒忆（Numonyx）面向高速发展的车载信息应用推出全新产品eMMC＊。eMMC＊包括了高级电气和温度筛选，可在-40℃～＋85℃的温度范围内实现优异的性能、良好的品质和高可靠性，并符合汽车等级和AEC—Q100标准的关键要求。     

SanDisk闪迪为平板电脑和智能手机生产大容量高速存储器

6月5日,SanDisk闪迪公司宣布,SanDisk闪迪正采用全球最先进的半导体制造工艺生产SanDisk闪迪最高性能的嵌入式存储产品。iNAND Extreme目前采用19nm工艺技术制造,满足大容量、高性能的嵌入式NAND闪存产品需要,特别适用于高端平板电脑和智能手机。运行安卓操作系统以及即将     

金士顿重磅推出最新Data Traveler Ⅱ Plus-Migo版USB闪存盘

金士顿科技公司近日宣布，推出结合PowerHouse Technology＇s（OTCBB：PWHT）M igo软件的金士顿Data Traveler Ⅱ Plus产品。这是金士顿最先推出USB闪存盘中带有Migo软件的Data Traveler Ⅱ Plus产品家族。     

AMD闪存同步读写

5月11日,AMD宣布推出4Mbit同步读写闪存(flash memory)—Am29DL400,该系列闪存产品可以同时执行读写任务。在此之前,其第一代产品—Am29DL800的问世已为闪存产品的广泛应用创立了新的技术标准。 AMD推出的Am29DLxxx系列闪存产品的应用包括了数字蜂窝电话、寻呼机、网络浏览器、顶置盒及全球定位系统产品等方面。这一系列的产品在实行技术升级方面尤其具有优势。现在推出     

嵌入式系统中MLC闪存驱动研究

MLC闪存高密度、低成本的特点,适于做海量存储器.文中以在WinCE6.0平台下实现高性能的MLC闪存驱动为目的,介绍了ARM嵌入式系统中NAND FLASH控制器的工作原理;讨论了WinCE下闪存驱动可采用的两种架构,并在新的MDD、PDD闪存驱动架构下实现了该驱动;介绍并实现了双片操作命令操作;介绍了DMA的工作原理,并实现了DMA编程.测试表明,较之前传统架构及传统操作命令,写入速度提高1.8倍.读出速度提高1.3倍,可靠性也大幅提高.该设计方案可放应用于需要大容量存储的嵌入式系统中.