扬声器的振幅声

扬声器的振幅声南京禄口无线电厂季春茂由于影视业的发展，对扬声器的音质要求越来越高，特别是２５英寸、２９英寸以上大屏幕彩电及家庭影院系统，要求扬声器频响宽，功率大，高保真。一只１０３ｍｍ口径的扬声器，频率响应要求低频从６０Ｈｚ开始，功率大到１０多瓦，由...     

电动扬声器生产中若干值得商榷的问题

介绍了电动扬声器生产中的一些问题,如在全纸振膜扬声器生产中,在进行纯音检测时,其低频段往往出现“吱吱”声;扬声器的音圈被烧掉的原因;扬声器中的磁体在材料相同的条件下,不同的烧结工艺所生产出来的磁体性能相差甚远.就其中一些问题提出了解决的办法,供大家借鉴.     

扬声器振膜的振幅

最近发现一本介绍音箱的书籍中提到有关振幅的问题，原文如下：“扬声器工作在自由场或工作在密闭箱中，其锥盆的振幅(我想应该指位移振幅)会随着频率的降低而增大。”我认为它的意思是其位移振幅的最大值并非在单体的．fo附近(或音箱的f∞附近)，而是在最低频(1Hz)处，这与我用肉眼观测的相符。南大电声系教材《扬声器及其系统》一书中指出，扬声器的fo指使锥盆发生速度共振时的频率，其位移共振频率(即位移振幅最大值时的频率)在其fo附近，与上述观点不同，请问扬声器工作在自由场或工作在密闭箱中，其锥盆的位移振幅最大时的频率是在1Hz处还是在fo附近?另有一问题：若一扬声器为长音圈设计，则“Bl”当中的“l”是指音圈漆包线的总长，还是指处在均匀磁隙当中音圈漆包线的总长?有空的时候请帮我解答上述疑惑，谢谢!你的问题提得很好。我写的即将出版的《实用扬声器工艺手册》书中有一节关于“扬声器的振幅”，正好与你的问题对应。刊登出来供参考。     

扬声器温升的预防与消除

1引言扬声器是音响系统的终端放音设备，音响系统的效果最终要靠它来表现。要使空气运动而发出声音，往往需要有某种振动膜。由于空气的稠密度过低，致使振膜的质量完全淹没了空气质量的作用。因此，大部分能量用于扬声器振膜的加速，而只占输人功率的很小一部分转换为声音，由于这个缘故，似乎扬声器总是低效率的。几年前，当放大器功率仍受到限制时，人们采用各种方法来提高扬声器的效率，但其中的许多方法与保真度毫无关系。而现在，除了以电池供电的设备之外，音频放大系统几乎与电源无关，所以，效率的问题就变得不那么重要了。在任何…     

扬声器引脚极性判别方法与技巧

扬声器有两根引脚,它们分别是音圈头和尾引出线,当两只以上扬声器同时运用时,要注意扬声器两根引脚的极性,当电路中只用一只扬声器时,它的两根引脚没有极性之分,另外,扬声器的引脚极性是相对的,不是绝对的,只要在同一电路中运用的各扬声器极性规定一致即可。     

汽车扬声器行业的发展前景分析

介绍中国内地、香港和台湾汽车扬声器行业的最新发展动态和发展前景,具体介绍了汽车扬声器的生产情况及销售情况.     

数字扬声器技术与未来发展

主要介绍了目前具有代表性的2种数字扬声器技术。对数字换能器阵列和多音圈扬声器的结构、声压场机理,及其它潜在的实现技术进行了对比评述。讨论了数字扬声器对2种驱动技术的要求。评估了6位数字样机系统的声学特性,同时对于扩展至16位系统的可行性,包括半导体大规模制造技术的使用,过采样和噪声整形技术的应用也进行了探讨。     

新型平板扬声器的设计

针对传统扬声器的缺点,提出了一种平板扬声器的设计。扬声器由软磁材料、音圈、平板发声盘、环形导电线圈、偏磁线圈组成,并将音圈固定在以软磁材料形成的半闭合磁路上,音圈形成的电流通过导电环产生互感磁通而迫使发声盘振动,从而带动扬声器的振膜振动而发声。实践表明该扬声器具有频响宽、功率大、失真小、结构简单等特点,既能满足高保真音响和家庭影院系统需求,又能应用于多媒体音响系统的小型化要求,具有较好的应用前景。     

基于ANSYS Workbench的微型扬声器磁路优化分析

针对方型扬声器的分析目前较少的问题。本文利用 Solid Works 对方型微型扬声器磁路部分进行建模,在ANSYS Workbench中对磁路进行电磁分析仿真,得到磁力线分布以及音圈的BL曲线（磁通密度与音圈绕线宽度关系图）,并分析方型音圈上不同位置的磁通密度变化,为扬声器的进一步优化设计提供依据。本文为扬声器的磁路分析提供了一种可选择的方法。     

8阶高通扬声器系统的设计与SPICE计算机仿真

阐述了采用电路辅助的具有8阶切比雪夫高通滤波器响应的扬声应器系统的设计与实现。并运用通用电路分析软件SPICE对整个系统进行计算机辅助分析和优化，得出电路辅助的具有8阶切比雪夫高通响应的扬声器系统声压特性曲线。     

高功率脉冲电源超大电流检测技术研究

随着高功率脉冲电源(Pulse Power Supply)在电磁轨道炮、电磁弹射器及电磁推射装置中的广泛应用,对其产生的脉冲大电流的精确测量显得尤为重要,但目前电流测试领域常用的测试方法由于稳定性不足、量程有限、测量精度不高等缺陷,无法满足具有兆安级放电电流的高功率脉冲电源的测试需求。因此,提出了一种基于罗氏线圈和积分器的超大电流测试技术。首先通过COMSOL有限元分析软件的AC/DC磁场模块建立模型对该电磁环境进行仿真分析,以确定采集系统在该电磁环境中的安全测试距离,并对罗氏线圈和积分器的测试原理做了具体说明,最后搭建硬件平台在实际的试验中证明该方案能够实现对兆安级脉冲大电流的测试,论证了该测试方法的可行性。     

限制电动式锥盆扬声器承受功率的设计

就限制电动式锥盆扬声器最大承受功率及额定功率的主要因素－－机械损坏、热损坏及非线性失真进行了简要分析,并对相应的设计考虑作了扼要阐述。     

新颖的高平坦度高功率掺铒光纤光源

报道了在前向结构中光纤前端输出处加用3dB耦合器制作的光纤圈反射器形成双程后向输出结构,实现了一种高平坦化的高功率光源。通过调节抽运功率及光纤长度等参量,实现3dB带宽达35．28nm(基本完全覆盖C波段),功率为7．679mW(8．85dBm)和平均波长为1545．881nm的超荧光光纤光源(SS)。与常用技术相比,该技术更简单,实用,同时提高了光源效率,稳定性好,易于降低成本,设计方便。由于L波段的超荧光的本身平坦度较好,此方案可得到高平坦度的C L波段高功率宽带超荧光输山,尤其适用于需要高平坦度高功率超荧光的场合。     

SSPA高功率放大器的预失真设计与实现

仿真分析了由于高功率放大器(High Power Amplifier,HPA)的非线性失真对OFDM信号造成的影响,设计了基于清华大学DMB-T高清晰度数字电视标准的SSPA(Solid State Power Amplifier)3 W功放,利用了多项式拟合及FPGA技术,考虑到曲线拟合误差和HPA的特性,采用了分段拟合,硬件实现了SSPA的预失真,可将带外功率失真降低约10 dB左右,在很大程度上抑制了带外及带内失真.     

C波段大功率GaN HEMT内匹配器件

基于GaN微波功率器件工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗.采用二项式多节阻抗匹配变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,通过采用LC网络提升了管芯输入阻抗、输出阻抗,加入了稳定网络,实现了50 Ω阻抗匹配.采用高热导率金属陶瓷外壳,提高了器件散热能力.最终研制成功大功率GaN HEMT内匹配器件,器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为40 mm.测试结果表明,频率为4.5～4.8 GHz,脉宽300μs,占空比10％,工作电压VDSs为28 V,器件的输出功率大于120 W,功率附加效率大于50％,功率增益大于11 dB.     

高功率Nd:YAG激光电源的设计与实现

阐述应用现代半导体可控硅器件作整流源,实现了驱动高功率Nd:YAG固体激光器光源的运行目标.     

940 nm高功率半导体激光器研究

报道了一种采用大光学腔结构的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱高功率半导体激光器。在量子阱能级本征值方程的数值求解基础上 ,优化了InGaAs阱层材料的In组份含量 ;采用大光学腔结构以有效降低垂直于结平面方向的光束发散角及腔面的光功率密度 ,实现器件的高功率、低发散角光。设计的激光器外延结构采用分子束外延 (MBE)方法生长 ,成功获得具有较低激射阈值的 94 0nm波长激光器外延片。对 10 0 μm条形 ,10 0 0 μm腔长的制备器件测试表明 ,器件的最大连续输出功率达到 2W ,峰值波长为 939.4nm ,远场水平发散角为 10° ,垂直发散角为 30°。器件的阈值电流为 30 0mA。     

倒装芯片衬底粘接材料对大功率LED热特性的影响

针对倒装芯片(Flipchip)大功率发光二极管器件,描述了大功率LED器件的热阻特性,建立了Flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线,以三类典型粘接材料为例计算了不同厚度下的热阻,得出了Flipchip衬底粘接材料选择的不同对大功率LED的热阻存在较大影响的结论.     

一种高频E类功率放大器设计方法

E类功率放大器(PA)具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低.提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输出电容后的最佳负载阻抗,再结合谐波阻抗控制方法设计E类功率放大器.采用飞思卡尔的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)功率管MRF21010设计了一款工作在930～960 MHz的E类功率放大器.测试数据表明,该功率放大器的输出功率为36.8 dBm (4.79W),具有79.4％的功率附加效率.