抗辐射加固与非加固工艺制备Si/SiO_2电离辐照的XPS深度剖析

采用氩离子刻蚀XPS分析方法对抗辐射加固与非加固工艺制备的Si/SiO_2系统进行电离辐照深度剖析。实验结果表明:在辐照剂量及偏置电场相同条件下辐照,非加固样品的界面区比加固样品界面区宽;同一工艺生长的SiO_2,衬底杂质浓度低的样品其界面区窄于衬底杂质浓度高的样品;辐照样品的Si过渡态密度最高位滞后于未辐照样品的;同时,加固样品Si过渡态及剩余氧的密度最高位出现慢于非加固样品的;衬底杂质浓度高的样品其Si过渡态及剩余氧的密度最高位的出现快于衬底杂质浓度低的样品的;此外含剩余氧的过渡层要比含Si过渡态的过渡层薄。最后根据实验结果,对Si/SiO_2三层模型进行了修正。     

对卫星抗辐射加固保证大纲的探讨

大纲提出我国卫星工程抗辐射加固设计技术要求及考核内容。对极轨卫星的空间辐射环境提出了极轨卫星抗辐射加固设计根据。对总体抗辐射加固设计、单机抗辐射加固要求及考核、线路抗辐射加固设计要求（包括软、硬件要求）、元器件选择和考核以及抗充放电设计要求和考核作了初步规定，为卫星工程近期抗辐射加固提出具体的框架。     

混凝土柱加固的讨论

由于建筑施工中的差错或灾害性事件，对原结构要进行加固，这种情况在新建工程和已投入使用的工程中都可能遇到。本文通过分析混凝土柱的破坏特征和原因，并依据加固原则，着重讨论了当承载力不满足要求时的各种加固方法的优缺点及应用。     

MOS器件加固技术的理论研究

对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟 ,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状 3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响。分析得出 ,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄生泄漏电流 ,提高抗辐射能力。     

CMOS器件的单粒子效应及其加固

概要综述了ＣＭＯＳ器件的单粒子效应，着重描述了ＣＭＯＳ器件的单粒子效应损伤机理，并介绍了抗单粒子效应的加固技术。     

PDSOI SRAM单元的单粒子加固方法

通过MEDICI的二维器件模拟,提出不仅在正栅下的体区受到单粒子入射后释放电荷,漏极也可以在受到单粒子入射后释放干扰电荷。对SOI SRAM单元中器件的漏极掺杂浓度进行优化,可以减小漏极受到单粒子入射所释放的电荷。改进了SOI SRAM的单元结构,可以提高SRAM抗单粒子翻转（SEU）的能力。     

AP1000核电机组稳压器支撑加固的工程实践

AP1000核电机组稳压器通过底部4根垂直支撑进行支撑固定,三门核电l号机组稳压器垂直安装完成后,AP1000设计方美国西屋公司发布了设计变更,对稳压器支撑进行加固.文章主要介绍了三门核电1号机组稳压器垂直支撑设计变更的原因、设计变更现场实施的主要工序、现场施工的主要难点以及应对措施.     

X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固

本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出了组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数，从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。     

CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法

电离辐射环境中使用的CMOS 有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对单粒子瞬态(SET)最敏感的节点存在于反相器的输入端,反相器的输入阈值电压和输入节点电容决定了其抗SEU的能力。提出了用施密特触发器代替反相器的加固方案,因施密特触发器的电压传输特性存在一滞回区间,所以有更高的翻转阈值,从而可获得更好的抗SEU能力。仿真结果表明,采用施密特触发器的移位寄存器结构较原电路结构的抗SEU能力提高了约10倍。     

加固的MOS／SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果

本文介绍了三个MOS/SOS集成电路,即SC4082,SC4066和SC1416的抗γ瞬态辐照的最新实验结果。其中SC4082和SC4066是类似相应体硅4000系列的CMOS/SOS电路,而SC1416是类似MC1416的高压NMOS/SOS电流驱动器。这些电路在我们早先的文章中有过介绍,但这次实验的样品,在加固上作了一些新的考虑,特别是输入保护电路作了较大的改进。     

离子束分析技术在抗核加固研究中的应用

本文介绍了核辐射使电子元器件失效的机制以及离子束分析技术在抗核加固研究中的若干应用。     

一种辐射加固优化的核探测机器人控制系统设计

研究了一种核探测机器人控制系统设计方案。该方案在辐射加固方面进行了优化,重点描述了电路的耐辐射设计。     

反熔丝FPGA的电离总剂量效应与加固技术

简要叙述了商用FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固总是，对Actel公司反熔丝FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析，包括制造了工艺，偏置条件，电泵对总剂量效应的影响，并特别指出，电泵的退化可能会对系统造成较为严重的后果，因此，必须重视加电后的瞬态变化，提出了可以采取的加固措施。     

CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效。本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展。简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展。分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考。     

抗辐射加固高压NMOS器件的单粒子烧毁效应研究

由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应（SEGR）和单粒子烧毁效应（SEB）。本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应。基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射加固,提高器件的抗单粒子烧毁能力,并根据电路中器件的电特性规范,设计和选择关键器件参数。通过仿真和实验结果研究了单粒子烧毁效应。实验结果表明,抗辐射加固器件在单粒子辐照情况下,实现了24 V的高漏极工作电压,线性能量传输（LET）阈值为835 MeV·cm2/mg。     

CMOS APS数字模组辐射环境中的屏蔽加固

对互补金属氧化物半导体（CMOS）有源像素传感器（APS）数字模组的辐射耐受性进行了研究,设计并制造了屏蔽加固结构。利用蒙特卡罗模拟软件对屏蔽结构的材料、挡板尺寸以及前挡板开孔孔径进行了设计和计算,并对所设计屏蔽结构的屏蔽性能,加固前后传感器模组的工作寿命以及辐射损伤模式进行了实验研究。实验结果表明:所设计屏蔽结构能够使APS的工作寿命提高约1倍;屏蔽后,主板的受照剂量率约为无屏蔽时的1/3,但其工作寿命仅提高约1倍,这可能是由于模组上各器件的耐辐射性能以及受照剂量存在差异导致的;当辐照总剂量小于50?Gy时暗电流几乎无变化,当总剂量大于150?Gy后APS各像素的暗电流逐渐增大。      

微处理机核辐射效应及加固

本文研究了微处理机各种辐射效应及失效模式,评述了各类微处理机目前的抗辐射水平。还讨论了其抗辐射加固途径和辐射损伤的退火。     

CCD电离辐射加固工艺研究

本文以简单的MOS电容为手段,研究CCD工艺,以提高器件的抗电离辐射能力。研究发现,栅氧化温度、SiO_2栅介质厚度和CCD工艺中栅氧化以后的高温过程对辐照性能的影响最大;并提出减薄SiO_2栅介质厚度、在1000℃干氧栅氧化、表面栅和埋栅下SiO_2介质在相同条件下生长以及栅氧化后工艺流程中的高温步骤的温度不能超过栅氧化温度和尽量减少栅氧化后的高温步骤等改进的工艺措施。     

单粒子效应模拟实验研究

单粒子效应是卫星抗辐射加固研究的主要对象之一。文章重点介绍了所建立的模拟实验测量系统、装置和研究方法，提出了二次翻转问题及其修正公式，以及器件的高能质子和１４ＭｅＶ中子单粒子效应的规律相似性，指出今后需重点研究的问题是高能质子及其与１４ＭｅＶ中子等效研究，及对单粒子效应的评估。