先进的MEMS封装技术

从特殊的信号界面、立体结构、外壳、钝化和可靠性五个方面总结了MEMS封装的特殊性。介绍了几种当前先进的MEMS封装技术：倒装焊MEMS、多芯片(MCP)和模块式封装(MOMEMS)。最后强调，必须加强MEMS封装的研究。     

ZXMS6004FF：自保护式MOSFET

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列,推出小体积完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm×6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。     

可节省85％占板空间的新型自保护式MOSFET

Diodes公司日前又扩展了其IntelliFET产品系列．推出其体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3mm×6．7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。     

意法半导体在多芯片封装内组装8枚裸片

存储器和微控制器多芯片封装技术应用的领导者意法半导体(ST)日前宣布该公司已开发出能够叠装多达8枚存储器芯片、高度仅为1．6mm的焊球阵列封装(BGA)技术，这项封装技术还可以将两个存储器芯片组装在一个厚度仅为0．8mm的超薄细节距BGA封装(UFBGA)内，采用这项制造技术生产的器件可以满足手机、数码相机和PDA等体积较小的设备的存储需求。     

Atmel公司发布2mm见方的小型MCU

近日,美国爱特梅尔（Atmel）公司发布了配备该公司8位RISC内核的微控制器“AVR”系列中封装最小的MCU。Atmel公司ATtiny4、ATtiny5、ATtiny9和ATtiny10AVR微控制器采用超小型8－padUDFN封装,大小仅为2mm×2mm×0．6mm,重量不到8mg,其尺寸只有目前市面上最小封装的55％。     

450mm晶圆厂将出现在2011—2015年

Diodes公司最近发布了DFN封装平台和一系列新的分立器件。这种封装平台采用先进的无铅方形扁平无引线(QFN)技术，可超越SOD和SOT封装，达到最高的封装密度。这种封装的功率密度接近325mW／mm2，高度为0．53mm。并且，这种封装的PCB占位面积仅0．77mm2。     

微系统与中规模器件的封装技术设计

文章主要论述了微机电系统(MEMS)和微系统诸如微传感器、驱动器和微流体元件的电机封装技术、封装等级和封装技术相关的问题.首先陈述并讨论了典型的MEMS产品诸如微压传感器、加速度计和微泵;微电子封装和微系统封装技术,重点阐述芯片级封装技术和器件级封装技术问题.芯片级封装技术主要涉及芯片钝化、芯片隔离和芯片压焊;器件级封...     

更小的芯片封装有望提供更高的可靠性

与现行的US8封装相比,由位于美国缅因州南波特兰的FairchildSemiconductor公司开发的TinyLogicMicroPak8八端子芯片规模无引线封装系统有望节省60%的占用空间,并可维持0.5mm的触点密度。这种一开始在该公司的UHS低压逻辑器件系列(包括1位、2位和3位低压及低功率逻辑器件)中得到大量应用的封装使得设计人员能够在采用现有的元件安装工艺的情况下改进产品的性能并实现新型设计。该封装的占位面积为1.6mm×1.6mm,并在其外围采用了0.2mm×0.3mm的LGA接触衬垫(contactpad),这些衬垫采用了一种“衬底上芯片”(chip-on-substrate)的连接方式,…     

凌力尔特公司推出新款微型模块稳压器LTM8027

凌力尔特公司推出4A系统级封装DCIDC微型模块稳压器LTM8027．焊盘网格阵列LGA封装尺寸为15mm×15mm×4．32mm．封装中包括了电感器,电源开关、开关稳压器等元件。     

锂离子／锂聚合物电池充电器

MCP73837及MCP73838（MCP73837／8）备有自动USB或交流适配器电源选择,可从交流电源充入高达1A的电流,也可从USB端口充入器件具备多种片上安全功能,3mm DFN封装。100mA或500mA的电流。新采用10引脚MSOP及3mm×3mm DFN封装。     

爱特梅尔推出全球最小的快闪微控制器封装产品

爱特梅尔公司（Atmel）宣布．全球最小的快闪AVR微控制器封装产品开始投入生产。爱特梅尔的ATtiny4、ATtiny5、ATtiny9和ATtiny10AVFI微控制器（MCU）采用超小型8一padUDFN封装．大小仅为2mm×2mm×0．6mm．重量不到8mg．其尺寸只有目前市面上最小封装的55％。     

富士通开发成功封装新技术,可在2mm的厚度中层叠任意8枚芯片

<正> 富士通日前成功地开发出了可以层叠多枚任意尺寸芯片的新型SIP(System-in-a-Package)封装技术。在2mm的厚度中可内置8个芯片。而该公司此前的封装层叠芯片技术,只能在1.4mm～1.6mm的厚度中嵌入4枚芯片。而且,很难内置相同面积的芯片。因为为了进行引线焊接(Wire Bonding),需要暴露     

应用于MEMS气密性封装测试的微型湿度传感器的设计与制作

MEMS器件的封装一直是MEMS技术的难点之一 ,在封装设计中 ,如何测试封装的有效性就显得尤为重要。本文叙述了一种基于MEMS技术的微型湿度传感器的原理、设计以及工艺流程。在其上进行气密性封装 ,则可通过对封装内的湿度测量来判断该封装的气密性能。在设计中 ,充分考虑了尺寸、工艺以及灵敏度等各方面要求。制作采用的是传统的光刻、刻蚀工艺。该湿度传感器结构简单 ,易于制作 ,其性能能够满足气密性封装测试的要求     

半导体前工序和后工序领域存在商机

法国元件调查公司Yole Developpement公司MEMS及半导体封装领域的分析师Jerome Baron指出：在处于半导体前工序和后工序中问位置的“中端”领域,具有代表性的技术包括晶圆级封装（WLP）及采用TSV（硅通孔）的硅转接板等,潜藏着新的商机。     

应用于MEMS气密性封装测试的微型湿度传感器的设计与制作

MEMS器件的封装一直是MEMS技术的难点之一,在封装设计中,如何测试封装的有效性就显得尤为重要.本文叙述了一种基于MEMS技术的微型湿度传感器的原理、设计以及工艺流程.在其上进行气密性封装,则可通过对封装内的湿度测量来判断该封装的气密性能.在设计中,充分考虑了尺寸、工艺以及灵敏度等各方面要求.制作采用的是传统的光刻、刻蚀工艺.该湿度传感器结构简单,易于制作,其性能能够满足气密性封装测试的要求.     

一种用于胎压传感器的新型系统级封装技术

TPMS IC是TPMS系统模块的关键核心器件,需要采用系统级封装(SiP)技术。对TPMS IC的一种新型SiP封装技术作了研究分析。在引线框架上引入电路板中介层,改善了芯片间电气互连与分布,增大了引入薄膜电阻电容元件的设计弹性。采用预成型模制部分芯片的封装技术,满足了IC与MEMS芯片不同的封装要求,还增强了SiP产品的可测试性和故障可分析性。采用敞口模封、灌装低应力弹性凝胶和传感器校准测试相结合的方法有效避免封装应力对MEMS压力传感器的影响。     

超薄无铅封装获得重大突破

近日,两种面向逻辑、RF应用及分立功率器件的封装在超薄无铅封装方面取得重大突破,这两种封装是由Philips Semiconductors公司推出的。其中,MicroPakII是世界上最小的无铅逻辑封装,仅1．0mm^2,焊垫间距为0．35mm。而面向分立功率器件和RF应用的Philips SOD882T封装则更小,仅为0．6mm^2,高仅0．4mm。     

新型高分辨率低功耗△-∑模数转换器MCP3422

Mierochip Technology Ine．（美国微芯科技公司）日前宣布推出全新的低功耗、高分辨率△-∑模数转换器（ADC）系列。MCP3422、MCP3423及MCP3424 （MCP3422／3,4）ADC可提供18位分辨率,进行3V连续转换只消耗135mA电流。新款多通道器件均在片上集成了电压参考、可编程增益放大器（PGA）及振荡器,并采用小至2mm×3mm DFN封装,适用于工业、医疗、消费及汽车等市场的便携式测量应用。     

MEMS器件的封装材料与封装工艺

随着各种MEMS新产品的不断问世,先进的MEMS器件的封装技术正在研发之中.本研究综述了MEMS的封装材料,包括陶瓷、塑料、金属材料和金属基复合材料等.阐述了MEMS的主要封装工艺和技术,包括圆片级封装、单芯片封装、多芯片组件和3D堆叠式封装等.并展望了MEMS器件封装的应用和发展前景.     

Diodes自我保护式MOSFET节省85％的电路板空间

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球最小的完全自我保护式低端M0SFET。该ZXMS6004FF组件采用2．3mm×2．8mm的扁平式SOT23F封装，比其他采用7．3mm×6．7mmSOT223封装的大型组件节省85％的电路板空间。