国外显示技术专利文摘——用于阴极射线管的改进的偏转磁轭

一种用于阴极射线管的偏转磁轭提高装配和生产率，并且能够在装置处理期间有效地控制磁场校正。该偏转磁轭包括：水平偏转线圈，位于靠近所述玻锥的外周的位置，用于产生水平偏转磁场；垂直偏转线圈，安装在所述玻锥的外周，用于产生垂直偏转磁场。所述垂直偏转线圈与所述水平偏转线圈绝缘。铁氧体磁芯，位于邻近所述垂直偏转线圈的位置，用于减少所述垂直偏转线圈和水平偏转线圈产生的磁力的损失；     

彩色摄像技术(连载五) 第五章 摄像器件(下)

§5—1 聚焦与偏转本节着重介绍M-M型摄像管的磁聚焦与磁偏转线圈工作原理。磁聚焦线圈一般多采用长线圈(长度大于直径),在线圈中通以直流电流,这样在线圈内部产生轴向的均匀磁场。电子束在该磁场中运动的情况,见图8所示。     

电镜用偏转线圈空间磁场分布的计算

本文根据毕奥－萨伐尔定律，给出了分段集中绕制的矩形，环形线圈空间磁场分布的解析表达式，能方便地用于电镜偏转系统的设计。     

电镜扫描偏转系统的计算机辅助设计

实验表明，磁芯对空芯扫描偏转线圈空间磁场分布的影响在两者几何尺寸偏离不大时可以忽略。可以用空芯偏转线圈的磁场分布来计算电子在扫描偏转系统中的轨迹，并根据其光栅的畸变情况来调整和确定匝数分布，从而使工程设计更为简便和准确。     

偏转磁芯竖裂问题的研究

运用偏转磁芯的断裂机理、流体力学的原理、偏转磁芯的温升与排胶理论，对偏转磁芯烧鲒用推板窑内的气流状况进行了分析，对偏转磁芯烧结温度曲线进行了定量讨论，对常见烧鲒竖裂产生的原因进行了分析，并提出了由于窑炉烧结产生的竖裂的解决办法。     

电流密度高的超导线圈

日立电缆公司和日立公司合作,应用铌-钛三锡多芯细线绕制成的超导线圈,在4.3K温度下产生的磁感应强度高达17.2T. 此磁场线圈的内直径为42mm,外直径为114mm,高为150mm.线圈缠在不锈钢框架上,能承受铌-钛三锡放出的热量.将线圈放在15.1T偏转磁场线圈里,在4.2K温度下,通过155A电流产生的最大     

偏转线圈场参数的测量与分析

本文介绍了双线圈法测量偏转磁场的方法,并用此方法进行了磁场测试,将测试结果进行数据处理和计算后,得出了各种场参数。同时分析了象差系数与光栅之间的关系。     

新颖SSC型偏转线圈设计分析

1引言当今,偏转线圈（DY）将由鞍一鞍（SS）型替代常规的鞍一环（ST）型。因为SS型水平偏转功率较ST型低25％以上,降低偏转线圈与磁芯的干扰,也就减少了显示器间的干扰[1]。该新型偏转线圈用于高分辨率彩色CRT显示器和高清晰度电视出DTV）彩色显像管。其独特的磁场设计清除了会聚中各向异性像散和高次失会聚。所用的会聚校正电路较为简单,可将其装在自身的偏转线圈上,故此种偏转系统可用于大多数同类型的自会聚偏转线圈。将这种均匀偏转磁场用于20英寸90“的彩色CRT,已达到了减少拐角来斑30％以上的效果。其具有低损耗开槽磁…     

热释电靶面摄象管

法国Thamson电子管公司提供了一种TH9868型热释电靶面摄象管,它采用静电聚焦的方式,设计得适用于小型便携式热电视摄象机。这种摄象管外壳绕着一种印刷电路板线圈,它产生一个偏转磁场。这种摄象管的光谱范围是8—14μm,在环境温度中的     

偏转线圈行包结构参数的计算方法

用偏转磁场校正光栅的几何失真已有详细的研究。实际计算中大多采用改变线圈绕组分布及偏转磁场的分布。在改变绕组分布前,必须进行结构参数计算。当显象管型号决定后,实际上就是改变如图1中的A(x_0y_0)、B(x_1y_1)两点的坐标及D的大小,以实现绕组分布的改变。     

采用填充线圈的高偏转灵敏度CRT

CRT的薄型化趋势要求DY改善偏转灵敏度。我们介绍一种能提高偏转灵敏度15-25％的新方法，即采用软磁材料填充铁氧体磁芯与偏转绕组间的空隙。用简单的二维模型分析其效应，该模型计算通过三维模拟和菲利浦74cm(29″)RF CRT实验得到验证。     

槽绕型偏转线圈的设计方法

文章介绍了槽绕偏转线圈的设计方法，由于环形绕组及鞍形组是绕在线圈架的引导槽内，故可得到准确的绕组位置及高偏转效率，此外，线圈绕组分布可以任意改变，所以，易于得到预定的偏转场。     

基于闭合磁路的框式薄膜电感的研究

通过磁控溅射工艺制备出三种框式薄膜电感,其中特殊磁芯电感、全磁膜电感为设计制作的具有闭合磁性回路的特殊薄膜电感,而三文治结构电感是目前流行的薄膜电感,这些电感均由下层磁芯层、下层绝缘层(聚偏二氯乙烯,厚度约为40μm)、线圈和线圈中心的磁膜、上层绝缘层和上层磁芯层组成,其差别在于磁芯结构不同。在1~3 MHz频率范围内,比较了三种电感的等效电感、寄生电容和损耗因子。结果表明:与三文治结构电感和全磁膜电感相比,特殊磁芯电感有较高的等效电感量和较小的寄生电容,但损耗较后两者高。     

一种先“浸”后“灌”的环氧灌封工艺

环氧树脂真空灌封工艺技术,是电子器件和组件干式密封绝缘的重要工艺技术。但在实际使用中经灌封的磁芯线圈类电子器件,由于其结构的特殊性,灌封料不能完全浸透线圈匝间内,在环境试验时,磁芯线圈电感量指标变化大,不满足技术指标。本文通过生产过程中一起电感线圈合格率低问题,开展了工艺实验,结合环氧树脂灌封和浸渍相关理论,对电感线圈灌封工艺方法进行了改进,采取对磁芯线圈先浸绝缘漆再灌封的混合工艺方法,较好的解决此问题。     

头盔式动态可变多通道经颅磁刺激线圈的设计

为了实现真正意义上的动态可变多通道经颅磁刺激(TMS),首次提出了头盔式网状线圈的设计理念。基于该理念设计的TMS 线圈系统,可以在全头范围内实现多通道经颅磁刺激,而且在线圈定位、分辨率等方面得到极大改善,同时还可以实现刺激部位、面积、方式和强度的实时动态可变性。建立了人体头颅电磁模型来模拟TMS 线圈产生的诱导电流分布,同时还对线圈产生的诱导磁场分布进行了实际测量,模拟与实测结果均与理论值相符,证明了该设计的有效性与可行性。     

微推力测量中电磁力装置的性能优化与研究

微推力测量系统对微推进器性能评估具有重要指导意义,而弱力补偿及标定作为微推力测量中的关键性环节,其稳定性、适用性、补偿精度等都直接影响最终的测量结果。针对现有电磁力标定装置输出不稳定,校准困难等问题,本文基于电磁力法,利用通电双线圈与永磁铁之间的相互作用力,设计了一款可封装为一体的弱力补偿装置。介绍了该电磁力装置的结构设计及优化;建立数学模型理论计算通电双线圈形成的磁场对磁芯的作用力;Comsol仿真双线圈间的磁场分布,计算不同激励电流下磁芯的电磁力大小,并对仿真数据进行拟合分析得到电磁力的线性特性;应用精密电子天平搭建标定实验,标定数据通过最小二乘法进行线性拟合,得到决定系数为0.999,具有很好的线性特性,与仿真结果相比,效果理想,为后续微推力测量奠定了基础。     

NiZn铁氧体对叠层型薄膜变压器传输特性的改善

展示了一种新型的基于硅IC工艺的叠层型螺旋薄膜变压器,通过分析铁氧体的特性和磁谱,设计了薄膜变压器结构和制造工艺。采用光刻技术制备形状相同且完全叠合的初级与次级线圈,提高线圈耦合效率。空心变压器两层线圈之间采用SiO2作为绝缘层;磁芯变压器的两层线圈之间采用射频磁控溅射NiZn铁氧体薄膜作为绝缘层。在10MHz～20GHz的频率范围内分别对空心和磁芯叠层型螺旋薄膜变压器进行了测试,测试结果表明:磁芯薄膜变压器的带宽和传输效率都大于空心薄膜变压器;铁氧体薄膜能大幅度提高薄膜变压器的传输效率;匝数比为10∶10的磁芯薄膜变压器传输效率在频率9.85GHz时达到78.0%的最大传输效率。     

基于均匀磁场的WPT系统抗偏移方法仿真与优化

多个设备在同一无线充电平台上充电,其效率因摆放位置不同而差异明显,为了解决这一问题,本文设计了一种锥形线圈与平面线圈相结合的新型发射线圈。该方法通过计算单匝线圈在空间一点的磁通密度,推导出磁场均匀性与传输距离及线圈各个参数之间的关系,计算得出在设计参数下锥形线圈的最佳角度,再利用平面线圈对磁场进行补偿,使设计的发射线圈在充电区域尽可能产生均匀磁场。仿真计算表明接收线圈在所设计的充电平台上偏移25 mm范围内,效率波动不超过10%。相比于传统的平面发射线圈,混合发射线圈大大提高了无线充电系统的抗偏移能力。     

一种显象管的光栅对准的新方法

介绍一种显像管内磁偏转线圈在屏上形成的矩形光栅与矩形屏对准的新方法。该方法主要特点是利用管内磁偏转线圈产生的磁场进行水平扫描作为基本标准。根据此标准在磁偏转线圈组件上作出标志,然后利用模具将该标志与电子枪中三个电子束排列方向进行对准。制成电子枪偏转组件为一体的装置。在封口前利用管颈二侧的屏的平分线的标志线使该装置与屏对准。该方法简单可行。     

雷电流监测装置的响应特性

分析雷电流监测装置的同轴分流器的电压电流方法、线圈的互感器方法和积分方法、雷电流参数的响应特性。通过磁芯线圈测量雷电流必须防止磁饱和,体积较大。小体积的磁芯线圈容易饱和,不适宜测量雷电流,空芯线圈性能受安装环境影响大。