氧化钪掺杂钨基扩散阴极的结构、表面与发射特性的研究

以钪盐的水溶液与氧化钨液-固掺杂法制备了氧化钪掺杂钨基扩散阴极，利用扫描电镜、能谱分析仪和原位俄歇电子谱仪等现代分析技术研究了烧结体的形貌、Sc的分布及阴极的表面特性。用自行研制的微机控制全自动电子发射测量装置检测了阴极发射性能。研究表明，与Sc2O3与W机械混合制备的混合基含Sc阴极相比，采用液固掺杂法制备的阴极，Sc2O3分布均匀，阴极耐高温和抗离子轰击能力强，发射性能优异。     

掺氧化钇钡钨阴极的表面特性研究

以掺氧化钇的钡钨阴极作为研究对象,利用现代表面分析技术,包括发射式电子显徽镜、扫描电子显微镜、俄歇电子谱仪和高分辨率x射线光电子谱仪等,进行了综合研究,获得了阴极发射性能、表面形貌和表面化学等实验结果,并对实验结果进行了讨论。     

待定系数法计算场致发射体阴极表面场强和发射电流密度

在计算场致发射体阴极发射电流时 ,影响发射电流的主要因素是阴极表面的电场强度。由于发射电流密度的大小和阴极表面场强呈指数关系 ,阴极表面场强很小的变化将引起发射电流的剧烈变化 ,所以提高阴极表面场强的计算精度是至关重要的。本文提出了一种计算阴极表面场强的新方法——待定系数法 ,并用该方法计算了一个二极管场致发射体的阴极表面电场强度和电流密度。     

钪酸盐阴极发射物质相的研究

用多晶X射线衍射方法,研究钪酸盐阴极发射材料在烧结过程中物理化学变化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3组成的发射材料中,在10001300℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系与CaO的混合物;在13001500℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系互溶生成热力学上的亚稳定态的Ba-Al-Sc-O固溶体。先形成组成约为5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,属正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成组成约为4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,属四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游离状态。     

强流电子束轰击下浸渍钪酸盐钡钨阴极的次级发射特性

本文对浸渍钪酸盐钡钨阴极在强流脉冲电子束(电子能量为2300eV,电流密度为12A/cm2)轰击下的次级发射特性作了一些初步研究。     

金属合金二次发射“冷”阴极

本文概述磁控管超高频放大器用钡一钯金属合金阴极的性质。在这一类器件中只采用阴极的二次一电子发射。。为了摆脱器件激励，热电子发射应被除掉，所以阴极工作在所谓的“冷”状态。     

浸渍镱酸盐阴极

本文介绍了一种新型钡钨阴极镱酸盐阴极,这种阴极是以多孔钨海绵为基体,浸渍镱酸盐发射材料而制成。该阴极具有大的次级电子发射系数,在室温下,为4.1;较大的热发射,在1000℃,可支取6A/cm2的电流密度,而且阴极表面发射比较均匀;有较强的抗氧中毒能力;是一种较好的实用阴极。     

测量热阴极次级电子发射的新方法及其应用

本文利用相关检测技术,并对测试管结构作了改进,很好地抑制了热电子本底及空间电荷效应,构成一种测量热阴极在工作温度下次级电子发射性能的新方法。以浸渍钪酸盐阴极为样品,测得在低的轰击电子能量和电子流情况下次级电子发射系数占随温度指数上升;轰击电子能量或轰击电子流较大时,温度对没有很大的影响。研究表明高温下钪酸盐阴极存在电子轰击热发射增大效应,对此本文提出内建场模型加以解释。     

EMISSION AND SURFACE CHARACTERISTICS OF A DISPENSER CATHODE COATED WITH RHENIUM

The emission and surface characteristics of a dispenser cathode coated with Re arestudied.It is found that the dispenser cathode coated with Re has both higher current densityand more uniform distribution of emission than the S-type cathode.The Auger images of Bashow that the Ba distribution on the surface of the cathode coated with Re is more uniform thanthat on the surface of the S-type cathode.The analytical results by XPS and low energy AESshow that the Ba on the surface of the cathode coated with Re has stronger metallic propertythan that on the surface of the S type cathode.     

硅薄膜场发射阴极的制造和性能

本文评述了薄膜场发射阴极的一般制造方法后,介绍了我们的制造技术。我们用硅材料为基体,用各向同性的湿法化学腐蚀工艺制出尖端,用氧化增尖和自对准栅极工艺制成TFFEC—薄膜场发射阴极。外加阳极就构成了三极管。本文给出了TFFEC和三极管的测试性能。     

浸渍钪酸盐钡钨阴极的次级发射特性的研究

本文利用扫描电子束探针法,研究了渍制钪酸盐钡钨阴极在室温下的次级发射特性,观察了激活程度对该阴极的次级发射特性、次级发射图象和次级发射面分布的影响。激活最佳时,可获m=3.56(Epm=700V)。在温度高于1100℃下激活,对的影响较大。该阴极表面的分布是不均匀的。面分布曲线的峰值半高宽度为0.4。本文结合国内外对该阴极表面分析研究的结果,对实验现象进行了讨论。从理论上推导出的二项式面分布曲线能与实验结果较好地符合。     

热阴极发射特性的微机化测量和分析

本文介绍了一套微机化热阴极发射特性测量系统。用它能快速自动地获取伏安特性数据,精度为0.05％(满标量程),一条曲线所需时间少于5s,用它还能获取Schottky外延零场发射、拐点发射、转折点发射、平均有效逸出功、Richardson逸出功、工作温度下阴极表面的逸出功分布等反映阴极特性的重要信息。 对四种阴极的研究结果表明,本系统特别适合于用来研究阴极激活、老炼、中毒和寿命过程中活性的变化。通过对一种栅控行波管的测量,证明本系统可用来监测整管中阴极的活性。     

场发射锥尖的制备及特性研究

研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备工艺,采用了两种封装结构测试了场发射硅尖阵列的发射特性,并分析比较了这两种结构的特点及用于制备高频微波器件的可能性。