反应离子刻蚀引起的SiO_2电特性辐射损伤评估

反应离子刻蚀引起的ＳｉＯ＿２电特性辐射损伤评估＝Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎｏｆｒａｄｉａｔｉｏｎｄａｍａｇｅｏｎｅｌｅｃ－ｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＯ＿２ｄｕｅｔｏｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｔｓｕａｋａｍｏｔｏ...     

热氮化对SiO_2／Si界面辐照加固强度的影响

热氮化对ＳｉＯ＿２／Ｓｉ界面辐照加固强度的影响＝Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎｏｎｔｈｅｒａｄｉａ－ｔｉｏｎｈａｒｄｎｅｓｓｏｆｔｈｅＳｉＯ＿２／Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅ［刊．英］／ｄｅ－ｃａｓｔｒｏ，Ａ．Ｊ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．...     

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光SiO_2／p－Si结构中硅衬底的电特性

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光ＳｉＯ＿２／ｐ－Ｓｉ结构中硅衬底的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒ－ａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｎｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙｅｎ－ｈａｎｃｅｄｏｒｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｒｆａｃｔｉｖｅ...     

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀SiO_2的干法光刻

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀ＳｉＯ＿２的干法光刻ＤｒｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＯ＿２［刊，英］／Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ，Ｋ．Ｄ．…　∥Ａｐｐ...     

新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

带液相淀积SiO_2栅绝缘体的低温处理多晶硅薄膜晶体管的性能和关态电流机理

带液相淀积ＳｉＯ＿２栅绝缘体的低温处理多晶硅薄膜晶体管的性能和关态电流机理＝ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅａｎｄＯｆｆ－ｓｔａｔｅｃｕｒｒｅｎｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｏｆｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａ－ｔｕｒｅｐｒｏｃｅｓｓｅｄｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ...     

等离子过程引起的Si－SiO_2结构损伤评估

本文利用Ｃ－Ｖ测试的方法，研究了ＭＯＳ工艺中等离子过程对不同栅材料的Ｓｉ－ＳｉＯ＿２结构的影响，探讨了等离子损伤的形成机理，并就不同的退火条件进行评估。     

Fe~＋和H~＋注入引起的Si／SiO_2界面重构现象

针对Ｓｉ－ＳｉＯ２过渡区对于离子注入较为敏感的特点，用１．２ＭｅＶ，剂量１×１０１０ｃｍ－２的Ｆｅ＋和Ｈ＋先后注入ＳｉＯ２－Ｓｉ样品，并用ＸＰＳ技术重点分析了Ｓｉ－ＳｉＯ２界面附近硅的化学结构、组分的变化。结果表明，在界面附近，除了Ｓｉ４＋，Ｓｉ０价态，还存在明显的Ｓｉ２＋价态。这和注入Ｈ＋产生的高温退火以及Ｓｉ—Ｓｉ键或Ｓｉ—Ｈ键的形成有关。     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

CHF_3／O_2接触腐蚀过程中的氢渗透

ＣＨＦ＿３／Ｏ＿２接触腐蚀过程中的氢渗透＝Ｓｉ缺陷形成及其相互影响＝Ｈｙｄｒｏｇｅｎｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ，Ｓｉｄｅｆｅｃｔｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ，ａｎｄｔｈｅｉｒｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｄｕｒｉｎｇＣＨＦ＿３／Ｏ＿２ｃｏｎｔａｃｔｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］...     

NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征

本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．     

SiO2膜针孔的分析与检测

本文分析了ＳｉＯ＿２膜的针孔模型及漏电机理，讨论了针孔密度的概念，并用ＥＰＷ（乙二胺－邻苯二酚水溶液）法和漏电流法分析了针孔与漏电流的关系，给出了ＳｉＯ＿２膜无明显针孔的判据。     

A Study on The Optical Properties of InAs Microcrystallites Embedded in SiO_2 Glass Matrix

ＡＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＩｎＡｓＭｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｉｔｅｓＥｍｂｅｄｄｅｄｉｎＳｉＯ２ＧｌａｓＭａｔｒｉｘＪ．Ｚ．ＳｈｉＬ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，Ａｃａｄｅ...     

注Si~＋热氧化SiO_2薄膜的蓝光发射及其退火特性

对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２e１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００～６００℃时达到最大值，此后逐渐减小．这种蓝光发射是由于注入的过剩Ｓｉ引起氧空位缺陷而产生的．     

真空紫外光直接光CVD SiO_2膜的偏压温度处理

对真空紫外光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后的高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０１１ｃｍ－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同，其等效极化电荷数为２～５×１０１１ｃｍ－２。     

双基极Si／Si_（1－x）Ge_x／Si异质结双极晶体管的电特性

双基极Ｓｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉ异质结双极晶体管的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｄｏｕｂｌｅ－ｂａｓｅＳｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓ－ｔｏｒｓ［刊...     

采用BF_2注入基区加快速热处理工艺的30GHzf_T亚微米双层多晶硅双极技术的工艺和器件特性表征

采用ＢＦ＿２注入基区加快速热处理工艺的３０ＧＨｚｆ＿Ｔ亚微米双层多晶硅双极技术的工艺和器件特性表征＝ｐｒｏｃｅｓｓａｎｄｄｅｖｉｃｅｃｈａｒａｃｔｅｒｌｚａｔｉｏｎｆｏｒａ３０－ＧＨｚｆ＿Ｔｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒｄｏｕｂｌｅｐｏｌｙ－Ｓｉｂｉｐｏ...     

多孔SiO_2厚膜湿度传感器的制造及其湿敏特性

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备了三种ＳｉＯ２凝胶，并以此制造了多孔ＳｉＯ２厚膜湿度传感器。其电容量－湿度关系呈开关特性，转变点约在８５％ＲＨ。