4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流

研究分析了４０００系列ＣＭＯＳ器件电离辐射感生漏电流的产生机制、变化特性及其与加固水平的关系，探讨了辐射感生静态功耗电流，其中特别是场氧化层漏电流的加固抑制方法。     

在DⅢ—D上利用离轴电子回旋电流驱动改善电流分布

在DⅢ-D托卡马克上已测得因电子回旋波吸收而产生的局域非感应电流。从利用动态斯塔克效应光谱学测得的内磁场可看到非感应电流的清晰迹象。通过比较有和没有电子回旋波功率的情况下的总放电电流分布与欧姆放电电流分布，估算了非感应电流的大小和位置，在磁轴附近测得的电流与福克-普朗克计算是一致的，但是当电流驱动的位置移到1/2半径处时电流则超过了预计的值。     

电子回旋波Ohkawa机制电流驱动计算

从电子回旋波电流驱动的机制出发,理论推导出了Boozer-Fisch电流与Ohkawa电流的计算表达式,并给出了具体的计算方法。数值模拟结果表明:电子回旋波的波功率沉积在托卡马克高场侧的离轴位置时,Ohkawa电流较小,Boozer-Fisch电流能达到较大值;波功率沉积在低场侧的离轴位置时,通过调整波参数,有效抑制Boozer-Fisch电流,能充分利用Ohkawa电流的优势使离轴驱动电流同样能达到较大值。     

SOS—CMOS电路的电离辐照响应特性

本文通过对ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路４０８２进行不同偏置条件下的电离辐照实验，研究了电离辐照环境中引起ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路失效的几种重要漏电机制，。探讨了ＳＯＳ－ＣＭＯＳ电离辐射损伤的最劣辐照偏置条件。     

EAST-ICRF传输线驻波电流测量

为了测量托卡马克放电期间离子回旋加热系统的传输线电流值,利用电流探针搭建了传输线电流测量系统。对传输线电流测量原理进行简单介绍,并对电流探针的特性进行分析研究,确保电流探针的性能。将实验中用电流探针测得的传输线电流值与电压探针拟合计算得到的传输线电流值进行了对比,验证了传输线电流测量系统的可靠性。     

螺旋性注入环（HIT—Ⅱ）上的电流驱动实验

螺旋性注入环[HIT—Ⅱ：T．Jarboe et al.，Phys.Plasmas5，1807(1998)]是一个能够进行感应(欧姆)和同铀螺旋性注入(CHI)电流驱动的小环径比托卡马克。虽然HIT—Ⅱ装置的尺寸是中等的(大半径R＝0．3m，小半径a＝0．2m，轴上环向场达到0．5T)，但已证明分别采用CHI或感应都能达到200kA的环向等离子体电流。环电压、边界通量和等离子体平衡可通过实时通量反馈系统控制。在电流斜升和衰减期间HIT—Ⅱ欧姆等离子体呈现出重连事件，这些事件在保持磁螺旋性的同时可弛豫电流分布。已研究了一种采用双零偏滤器(DND)边界通量的新的CHI等离子体运行工况。DND CHI等离子体显示出良好的逐次放电再现性，低的杂质含量，吸收器区的最小的缩减电流以及与大闭合通量芯部区[EFIT:L.Lao et al.,Nucl.Fusion25，1611(1985)]一致的EFIT重建平衡。HIT—Ⅱ DND CHI放电在外中平面也显示出连续的n＝1模，实验上这种模与电流分布弛豫有关。已对螺旋性注入电流驱动的详细解释进行了研究，研究结果与HIT和HIT—Ⅱ放电的实验观察结果一致。按照此机理，n＝1模结构的非对称变形通过发电机作用在芯部等离子体产生电流驱动，从而弛豫CHI驱动的电流分布。     

触发真空开关的特性及其在毫秒级脉冲系统中的应用

叙述了触发真空开关的截断电流和截断电流变化率特性的实验结果，其截断电流约为１０Ａ，其截断电流变化率约为６×１０８Ａ／ｓ，并对这种开关在毫秒级脉冲系统中的应用进行了讨论。     

大自举电流托卡马克的物理问题

基于ＪＴ－６０Ｕ的实验，讨论了由大举电流产生的有空心电流分布的托卡马克等离子体的物理问题。正好在ＪＴ－６０Ｕ中零售的半径内，获得了离子和电子内部输运势垒。环向粒子模拟对环向离子温度梯度（ＩＴＧ）微观不稳定性的分析表明，弱的和负的剪切减弱环向耦合并抑制ＩＴＧ模。在ＪＴ－６０Ｕ的负剪切实验中观测到硬β极限。理想ＭＨＤ模分析表明，ｎ＝１压强驱动扭曲模是一个似乎合理的候选者，改善对扭曲模的β极限的方法之一     

Tore Supra上非感应电流分布的确定

产生稳态非感应放电是Tore Supra首要目标之一。在此托卡马克上，分别用快波电子加热（FWEH）和低混杂电流驱动以可重现方式实现了各种类型的放电。在第一种情形中，用5MW的FWEH功率获得了50%的自举电流。在第二种情形下，电流由3MW的LH功率产生并持续几乎两分钟。用取决于时间顺序平衡和平行传导率预测的实验方法确定这些情形下的非感应电流密度分布。用这种方法，自举电流预测是有效的。然后用射频和电流驱动加热确定改善的约束状态下的不同类型的非感应电流分布是可能的。     

pA微电流仪表的标定方法研究

为了对p A微电流测量仪表进行标定,根据微电流的测量原理,研制了一种采用高值电阻器的p A微电流源。分析了电阻器热噪声的影响,指出采用高值电阻器的必要性。分析了测量仪表的输入端口特性,指出端口电势是制约微电流源准确度的关键因素,从而确定了源电压和输出电阻器的设计参数。测试验证表明:所设计的±1~±200 p A微电流源准确度优于±3%,可满足p A微电流测量仪表的标定需要。     

长时间电流积分数字仪的设计

本文介绍的长时间电流积分数字仪,是用电流-频率(I-F)转换电路将微弱电流转换成脉冲信号,结合后级脉冲计数器及处理控制电路,实现对10pA-10μA量级输入电流的长时间测量。该仪器可用于电离室、法拉第筒等输出电流或电荷的测量,测量时间范围1s-192h。该电路的设计实现,为长时间测量电流或电荷,并进行束流监测提供了一种可行、通用、高性价比的好方法。     

把并联功率MOSFET元件应用于大电流直流电源

具有单匝环向场线圈的低环径比球形环装置(ST)需要非常大的直流电流(比如20MA)向线圈供电。鉴于上述非常大的电流和非常低的电压额定值，功率MOSFET元件用作供电系统交流／直流变换器的开关装置。功率MOSFET元件的优点之一是具有低的通路电阻，它适合大电流和低电压运行。近来，功率MOSFET元件的容量已增大，且其通路电阻已减小，因此用并联功率MOSFET元件建造大电流、低电压的交流／直流变换器的可能性在增大。为了用功率MOSFET研制大电流直流电源，对功率MOSFET元件并联运行的基本特性已作了实验研究。而且，提出了使用并联功率MOSFET元件的同步整流器型和双向自动转换型交流／直流变换器。     

弱电流测试仪的研制

介绍了最近研制的弱电流测试仪，它的原理和设计要点。该仪器是一 便携式弱电流测试仪，可以测量10^-10-10^-4A范围的弱小电流。该仪器具有测量精度高、工作稳定、结构简单、便携等优点。     

JT—60U全非感应电流驱动系统下具有大自举电流份额的准稳态高约束反剪切等离子体

在JT－60U托卡马克上首次获得了具有大自举电流份额（约80％）的准稳态反剪切等离子体。反剪切区的收缩受到内输运垒（ITB）层峰化的自举电流的抑制，并且ITBs在大半径处得以维持，它们与H模边缘坪顶结合，结果导致了高约束或2.2或H模定标持续了6倍能量约束时间或2.7s。另外，实现了自举电流和束驱动电流的全非感应电流驱动。     

用电子回旋加热和电流驱动长脉冲改善TCV托卡马克的中心电子约束

通过用电子回旋加热（ECH）和电流驱动（ECCD）调整电流分布来改善TCV托卡马克的中心电子能量约束。单靠轴上反向ECCD仅以瞬变方式可实现上述目标。用致稳磁流体动力学模的离轴ECH两步步骤和产生平的或反转的电流分布的轴上反向ECCD来获得稳定工况。这种中心温度高达9keV(归一化βN-0.6时）的高约束状态已持续了整个加热脉冲持续时间，或200倍于电子能量约束时间和5倍于电流再分布时间。     

RF加热放电中的高自举电流

为了使外部电场驱动系统的功率最小，托卡马克反应堆中，纯非感应稳态放电需要一个大的自举电流Ｉｂｓ。在目前的托卡马克中，已在不同的放电条件下产生了高自举电流放电。     

DⅢ—D托卡马克的初步振荡通量电流驱动实验

在ＤⅢ－Ｄ托卡马克上作了振荡通量螺旋性注入的初步实验。环向通量受编程等离子体拉长的调制。不直接编程表面电压，而是用在一定相移下的周期调制将等离子体电流编程。从螺旋性注入的角度讨论了，并且也通过调制等离子体横越场的运动引入了这种调制的理论原理。由于初级绕组与等离子体电流充分耦合，所以拉长的幅度和相位受等离子体电流变化的影响，其行为与编程的不一样。由于这个原因，螺旋性注入感应的电压较低，故本实验没有试     

离子回旋频率范围的加热和电流驱动状态

在离子回旋频率范围（ＩＣＲＦ）发射的快声波是托卡马克等离子体的主要加热方案之一，这个加热和电流驱动方案可能有很大的灵活性，既可利用各种波－粒子相互作用机制，也可利用快波能经受到的模转换，如设计适当，ＩＣＲＦ系统能用于离子或电子加热的电流驱动，而且还有定域沉积分布的优点，几乎的有现在的托卡马克现都使用ＩＣＲＦ加热和电流驱动，而且正在为ＩＴＥＲ研究ＩＣＲＦ系统。     

ICRF物理的最新进展

本文考查并概述了ＩＣＲＦ物理方面的最新进展，给出了对简化的理论预计的简要概述，给出了ＩＣＲＦ加热和快速电流驱动方面的实验结果的说明性例子，发现在现代托马克中．ＩＣＲＦ加热在将等离子体加热到高温方面非常有效，在几个实验中证实了快速电流驱动，而且结果与理论良好一致，模转换加热和电流驱动应对分布控制有效，但实验结果仍是初步的。     

EASTICRF天线电流带电磁分析

为了实现EAST托卡马克1000s以上的稳态先进模式运行的最终物理目标,两电流带双环共振(RDL)离子回旋共振（ICRF）天线被选择用来加热,电流带是ICRF天线关键部件,它通过近场区的耦合把能量传输到等离子体中。本文通过有限元方法对电流带在等离子体破裂和等离子体垂直位移事件两种工况下进行了电磁计算,给出了电流带感应电流密度大小分布情况、磁感应强度大小分布情况以及电流带所受的电磁力。利用电流带所受的电磁力作为载荷对电流带进行了结构分析,分析结果为验证电流带结构的可行性提供理论依据,分析方法对未来更高功率的ICRF天线电流带进行电磁分析具有一定的借鉴价值。