ECR等离子CVD技术

本文介绍国际上新开发出来的ECR等离子CVD技术。着重介绍该技术的优越性、成膜装置、成膜工艺及ECR等离子薄膜技术的应用。     

等离子体技术在微细加工中的应用

简要介绍了等离子体和微细加工技术。叙述了等离子体技术在微细加工技术的三个主要方面－－微车图形加工、离子注入、薄膜沉积－－中的应用。     

镀膜技术的最新发展—光学薄膜低压反应离子镀

光学薄膜低压反应离子镀技术是近年来镀膜技术领域中的最新进展,在原理上完全不同于以往曾广泛研究的离子辅助镀膜技术,更以其能制备出聚集密度更高、光机性能更稳定、更加坚硬牢固、无柱状结构的薄膜受到国际薄膜光学界的高度重视。本文简析了低压反应离子镀技术的成膜过程和低电压大电流等离子体源的工作机理,概述了该技术发展的历程以及已取得的主要成果,介绍了该技术现存的主要问题和我国已开展的研究项目。     

金刚石薄膜研究进展述评

本文综述了金刚石薄膜(DTF)研究的最新进展,着重分析了金刚石薄膜的制备方法、成膜机理和各种性能表征技术。最后将金刚石薄膜和类金刚石薄膜进行了简单比较。     

等离子体显示器的膜层

等离子体显示器被认为是实现大屏幕壁挂电视显示最有希望的方案，等离子体显示器件中所用膜种类繁多，膜层结构复杂，成膜质量要求极高，成膜技术与加工工艺要求苛刻，ＰＤＰ的性能，质量，生产效率，成品率，器件成本直接取决于所用膜材料和成膜质量及成膜技术水平，本文对ＰＤＰ中所用膜的种类材料及成膜技术的现状，进展及存在的问题论述。     

等离子体显示器中的膜层

等离子体显示器被认为是实现大屏幕壁挂电视显示最有希望的方案。等离子体显示器件中所用膜种类繁多，膜层结构复杂，成膜质量要求极高，成膜技术与加工工艺要求苛刻。ＰＤＰ的性能、质量、生产效率、成品率、器件成本直接取决于所用膜材料和成膜质量及成膜技术水平。本文对ＰＤＰ中所用膜的种类、材料及成膜技术的现状、进展以及存在的问题进行了论述。     

射频微波等离子体CVD法制备薄膜材料及其应用

低温沉积薄膜技术是发展微电子学器件和光电子学器件的关键工艺。射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PCVD)技术都是能在低温或常温下制备各类优质薄膜的最新镀膜工艺。本文叙述采用这些技术沉积几种绝缘薄膜材料的制法、性能及其在半导体器件中的应用。     

离子束淀积技术在非晶硅制备中的应用

本文介绍离子束溅射淀积非晶硅(a—Si)及氢化非晶硅(a—Si:H)的技术,讨论工艺条件对薄膜质量的影响并探索艺的优化。研究表明薄膜质量与加速电压、束电流的大小及聚焦,真空室气氛,靶、束和衬底的几何位置,衬底温度,成膜后的退火及氢化等因素有关。文中提供了在工艺条件改变下的薄膜特性曲线及工艺参数与薄膜特性的关系图。     

脉冲激光纳米薄膜制备技术

脉冲激光薄膜沉积（ＰＬＤ）是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了该技术的物理原理;探讨了脉冲激光沉积制膜的物理过程,激光作用的极端条件及等离子体羽辉形成的控制对薄膜成长的影响;评价了脉冲激光沉积技术在多种功能材料薄膜,特别是纳米薄膜及多层结构薄膜的制备方面的特点和优势,结合自行研制的设备,介绍了在ＰＬＤ基础上发展起来的兼具分子束外延（ＭＢＥ）技术特点的激光分子束外延技术（Ｌ－ＭＢＥ）,指出脉冲激光沉积技术在探讨激光与物理相互作用和薄膜成膜机理方面的作用,尤其是激光分子束外延技术在高质量的纳米薄膜和超晶格等人工设计薄膜的制备上显现出的巨大潜力。     

真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

介绍了产生等离子体的几种放电方式(如直流二极放电、射频放电、真空辉光放电、真空弧光放电等)、与等离子体相关的溅射沉积、离子镀沉积等常用的真空沉积技术及其在薄膜制备中的应用。参5     

离子溅射技术对增透膜性能的影响

在薄膜的制备方面,目前有三大技术比较流行:电子枪(真空蒸发的主要方法)、离子辅助(离子镀技术)和离子束溅射(溅射技术的方法之一).对于这三种技术的一般特性,各种文献中都有介绍和说明,但对于薄膜的具体性能的影响则报导很少.我们曾研究了离子辅助沉积技术对薄膜性能的影响,本文是对该研究的补充,着重研究离子束溅射技术对制备增透膜性能的影响,如薄膜的表面形貌、薄膜的折射率、薄膜的弱吸收等,并对比在这几种工艺条件下制备的薄膜性能的优缺点,指出离子束溅射技术的固有特点和在制备薄膜产品中的局限性.本文在对薄膜性能的分析中采用了新的分析手段,如原子力显微镜、表面热透镜技术、X射线衍射技术.(OH13)     

基于ALD技术的高性能光电探测器研究进展

采用原子层沉积(ALD)技术制备的薄膜具有致密性高、保形性高、平滑性好、缺陷密度低、厚度可精准调控等优势,被广泛应用于各类光电器件中.利用ALD技术制备的功能薄膜可以明显改善光电探测器的暗电流、探测率和线性动态范围等性能.以基于ALD技术的高性能光电探测器为主题,首先详细介绍了热ALD生长薄膜的基本原理,同时简要介绍了等离子体增强ALD技术生长薄膜的基本原理.然后依据光电探测器中薄膜的功能不同,依次总结了基于ALD技术制作的活性层、钝化层、界面层、电荷传输层等实现高性能光电探测器的研究进展.最后对ALD技术在光电探测器领域的发展趋势和挑战进行了展望.     

利用Lorentz-Lorenz关系监测PECVD和MPCVD氮化硅膜的Si/N比值

本文主要介绍利用电子极化的Lorentz(劳伦茨)-Lorenz(劳伦兹)关系监测和研究等离子体增强型化学汽相淀积(PECVD)和微波等离子体化学汽相淀积(MPCVD)氮化硅薄膜的Si/N比值,以及如何应用该关系进行工艺实验和工艺监测。     

微波ECR等离子体溅射法沉积ZnO薄膜

低温沉积薄膜技术在制作先进的微电子学器件和集成多功能传感器方面非常重要。最近,应用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法沉积成高性能、高沉积速率和低基片温度的ZnO薄膜。本文叙述应用微波ECR等离子体溅射法沉积ZnO膜的制法及其性能。     

等离子体辅助镀膜

本文介绍了等离子体辅助镀膜技术以及相应的高真空等离子体源.这种新型等离子体源属于空心冷阴极结构,工作气压在1×10-3pa～10-1pa,它的最大优点在于能够直接电离氧化性气体而不烧毁阴极.采用探针法测定了氩等离子体中辅助离子的能量范围在50～80Ve之间,并在氩气、氧气的等离子体中分别沉积了单层ZnS薄膜和SiO2薄膜.实验结果表明,生成的薄膜具有良好的光学和机械性能.     

基板支撑梢对TFT栅界面SiN_x和a-Si成膜特性的影响

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢;对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。     

基于溶胶-凝胶技术的PZT厚膜快速成膜研究

摘要：采用快速成膜技术在Pt(111)／Ti／SiO2／Si(100)衬底上成功制备了总厚度为2．56μm，结构致密且无裂纹的Pb(Zr0．53，Ti0.47)O3铁电厚膜。研究了快速成膜技术中热分解温度对薄膜结晶取向的影响，分析了在相同退火条件下，分别采用不同热分解温度制备得到的薄膜的结晶状况。X射线衍射分析表明，采用350℃热分解温度得到的薄膜为单一钙钛矿相结构，且沿(100)晶向强烈取向；薄膜断面的扫描电子显微镜照片表明，该薄膜结构致密，晶粒呈现明显的柱状生长；薄膜的电学性能测试结果显示，薄膜的相对介电常数高达819，剩余极化为15μC／cm^2，矫顽场强为39kV／cm。     

自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜的发光特性

采用螺旋波等离子体辅助溅射技术制备了自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜,对两种不同类型掺杂薄膜的低温光致发光(PL)特性进行了研究。实验结果表明,二者均呈现出了较强的与受主能级相关的发光特征,自然掺杂薄膜的光致发光谱在404.0 nm处出现了由于锌空位产生的近带边发光,N-Al共掺杂薄膜的光致发光谱在383.0 nm处出现了N作为受主的施主-受主对(DAP)跃迁发光。两种薄膜的发光特性比较分析表明,N-Al共掺杂技术能够有效提高N的固溶度,N受主能级密度增加使薄膜表现出较强的施主-受主对跃迁发光,表明该技术为实现p型ZnO薄膜制备的有效方法。     

线形同轴耦合微波等离子体系统仿真研究

微波等离子体增强化学气相沉积(MW-PECVD)法产生的等离子体密度高,成膜质量好,是制备高效太阳能电池背面钝化膜的重要方法.基于自主研制的平板式PECVD设备,对其核心部分——线形同轴微波等离子体系统进行了仿真分析,获得了该系统等离子体源的空间分布规律,为设备设计的进一步优化提供技术指导.     

有机聚合物薄膜的光学双稳研究

有机聚合物薄膜的光学双稳研究叶佩弦（中国科学院物理研究所，北京，１０００８０）近年来由于光子学和光于技术的发展，光学双稳研究有转向薄膜和波导材料的趋势。有机聚合物由于具有大而快的光学非线性响应；且易于成膜而引起人们很大的注意。本文系统地介绍了近年来我...