SI—GaAs中的EL2和EL6缺陷团簇相关性研究

用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ０亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度     

TiN／n—GaAs体系界面的研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＴｉＮ／ｎ－ＧａＡｓ体系。ＳＩＭＳ结果表明，退火后Ｔｉ的浓度剖面向胂化镓衬底略有移动，Ｎ则基本救济为；ＤＬＴＳ观察到的Ｅｃ＝０．２１ｅＶ处的Ｔｉ＾３＋＊３ｄ）／Ｔｉ＾３＋（３ｄ＾２）单受主中心，但其浓度较ＥＬ２要小得多。根据实验结果，探讨了退火后难熔金属氮化物／ｎ－ＧｓＡｓ体系电学特性改善的原因。     

La_(0.9)Sr_(0.1)Ga_(0.8)Mg_(0.2)O_(3-α)的柠檬酸盐法制备和表征

采用柠檬酸盐法制备了　Ｌａ０．９Ｓｒ０．１Ｇａ０．８Ｍｇ０．２Ｏ３－α（ＬＳＧＭ）粉体材料．ＴＧ和　ＤＴＡ分析表明,凝胶在２６５～３０９℃下分解为相应的氧化物．ＸＲＤ测试表明,凝胶在１３００℃以上煅烧时,转变为简单立方钙钛矿结构的纯相产物．１４５０℃下烧结体的相对密度为８８％,其复阻抗特性表明产物中没有明显的晶界过程,且在８００℃下的电导率为 ２.１×１０－２Ｓｃｍ－１,活化能为０．９８ｅＶ．     

单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究

利用多重散射团簇方法计算了单晶硅的Ｋ边ＮＥＸＡＦＳ谱，研究显示ＮＥＸＡＦＳ谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟ｃ－Ｓｉ的团簇引入一定数量的空位，构造了纳米晶硅的模型，ＭＳＣ计算证实吸收边位置上升约０．５ｅＶ，说明纳米晶硅的禁带比ｃ－Ｓｉ的展宽了。     

文摘（2）

文摘（２）ｌ高能量废弃爆炸物的回收处理（英文）Ｃ９４２９３１５２ＴＯＲＭＡＳＣ（ＯｌｉｎＯｒｄｎａｎｃｅ，ＦＬ），ＲＩＳＥＲＢ（ＮａｔｉｏｎａｌＯｒｄｎａｎｃｅａｎｄＭｕｍ－ｂ。ｕｓＥｎ川ｒ。＂ｍｅｎ比ＩＴｅｓｔｃｅｎ忱ｒ，ＡＲ），ＴＯＲＭＡＡＥ（Ｅ...     

稀土含氮黄长石固溶体R2Si3-xAlxO3+xN4-x的X射线衍射研究

用热压和无压烧结工艺，在１７００～１８００℃制备了含氮稀土黄长石固溶体Ｒ２Ｓｉ３－ｘＡｌｘＯ３＋ｘＮ４－ｘ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，ｘ＝０，０．３，０．６，１．０，１．２；Ｒ＝Ｄｙ，Ｙ，Ｘ＝０，０．３，０．６，１．０；Ｒ＝Ｙｂ，Ｘ＝０，０．３）利用Ｇｕｉｎｉｅｒ－Ｈａｅｇｇ照相法，光密度计在ＬＳ－１８和相应的程序系统（ＳＣＡＮ，ＳＣＡＮＰＩ和ＰＩＲＵＭ）给出了稀土黄长石的Ｘ射线衍射图谱，精密测定了具有不同     

RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究

采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（ｌｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ＾１）＝３９８．０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ＾２）＝２８４．６￣２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ＾１）＝３９８。０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ＾２）＝４００．０￣４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ＾３杂化轨道成键和ｓｐ＾２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄     

Sm8Fe83Si2C5Cu0.5Nb1.5非晶合金的晶化动力学

用差热分析（ＤＴＡ）,结合Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了Ｓｍ８Ｆｅ８３Ｓｉ２Ｃ５Ｃｕ０．５Ｎｂ１．５非晶合金的晶化动力学。结果表明：温度在０￣１０００℃范围内,该合金的晶化相为α－Ｆｅ和Ｓｍ２（ＦｅＳｉ）１７Ｃｘ,α－Ｆｅ相的晶化表观激活能力３４９．５３ｋＪ／ｍｏｌ,Ｓｍ２（ＦｅＳｉ）１７Ｃｘ的晶化表观激活能力３１６．１９ｋＪ／ｍｏｌ,两相在晶化初期激活能量小,随晶化量（ｘｃ）的增加激活能增大,当α－     

无Co混合导电型陶瓷透氧膜的制备和性质研究

首次合成了Ｓｒ１０－ｎ／２ＢｉｎＦｅ２０Ｏｍ（ｎ＝２，４，６，８，１０等）系列氧化物透氧膜，它们具有较高的透氧能力，其中，样品ｎ＝１０在１１００Ｋ时的透氧率为０．９０ｍｌ（ＳＴＤ）／（ｃｍ２·ｍｉｎ），比Ｓｒ１－ｘＢｉｘＦｅＯ３高约两倍．Ｓｒ１－ｘＢｉｘＦｅＯ３（ｘ＝０．１，０．３，０．５）系列的透氧率随Ｂｉ含量增加而增大．通过两个系列氧化物的ＸＲＤ和化学组成的对比，发现Ｂｉ离子含量和晶格空位浓度对透氧能力大小起决定性作用．     

聚酰亚胺LB膜MIS结构C—V特性

本文报道了Ａｌ／ＬＢ聚酰亚胺膜／Ｐ－Ｓｉ（１００）ＭＩＳ结构的Ｃ－Ｖ特性研究结果。６７层ＬＢ膜样品Ｃ－Ｖ特性近乎理想，具有负的固定电荷密度约１０＾１＾１ｃｍ＾－＾２量级，平带时滞后小于０．３Ｖ，对于ＭＩＳ隧道结，除了在－０．５－１．５Ｖ间具有反型层箝位产生的电容峰外，在－１．５－４Ｖ间还出现了另一电容峰值，假设在强电场下隧穿能力剧增，从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区，可以解释这一峰值的出现     

无机粉末电致发光材料的研究进展

无机粉末电致发光材料包括硫化物系和金属氧化物系。主要从引入杂质缺陷和结构缺陷的角度阐述了国内外无机粉末电致发光材料在制备、性能及应用的最新研究进展情况，介绍了电致发光材料与超材料和纳米激光领域的结合进展。结合当前纳米材料科学的发展状况，展望了无机粉末电致发光材料的应用前景和发展趋势。     

不同空穴注入电极对有机薄膜电致发光性能的影响

成功地制备了用铝掺杂的氧化锌（ＡＺＯ）透明导电膜作阳极的有机薄膜电致发光器件，并对单层和双层结构的ＡＺＯ器件以及以两种不同ＩＴＯ作阳极器件的电致发光光谱，电流电压特性，亮度电压特性以及电致发光量子效率进行了详细的比较分析和讨论。     

EL红外缺陷测试仪关键参量校准方法研究

基于空间频率响应测试方法,搭建了EL红外缺陷测试仪关键参量的校准装置。分析了对焦以及位置摆放对分辨率校准结果的影响;给出了便携式和固定式EL红外缺陷测试仪相应的测试方法及操作流程。提出了一种针对便携式的测试方法,可以实现无参考背景情况下的校准工作。基于该校准装置可对各类EL测试仪的分辨率参数进行校准,测量结果重复性较好。     

用曙光EL1565制作胆机功放

介绍罕见的曙光腰部除气型功放管EL156,以及用EL156自制的胆机功放,音效空前的棒,愈是用于较大的房间放音音效愈好。     

聚合物电致发光材料及器件

聚合物电致发光器件由于其卓越的性能,在近年来取得了飞速发展,成为科研领域的又一热点。阐述了聚合物ＥＬＤ的工作原理,器件结构、聚合物材料的种类及分子结构,综述了影响器件发光效率和寿命的因素和解决办法,介绍了聚合物电致发光材料及器件的发展现状和目前存在的问题,并对其今后的发展趋势和应用前景进行了展望。     

EL ULTIMO GRITO

Roberto和Rosario展现出的不仅是设计一件产品的过程，而且还包括了开始实践它的过程。     

有机金属螯合物电致发光材料的研究

有机电致发光平板显示被誉为“２１世纪平板显示技术”,是当今平板显示研究的重点和热点。有机金属螯合物因其优良的电致发光性能,被首选为有机电致发光平板显示器的发光材料。针对近１０年来有机金属螯合物电致发光材料及其器件的研究状况,对其分子种类、分子结构与发光性能的关系、分子设计准则、电致发光机制及其最新研究进展,进行了综述,展望了其发展趋势。     

聚芴类电致发光材料研究进展

聚芴及其衍生物是一类重要的聚合物蓝色电致发光材料.主要从均聚芴、共聚芴、以及C-9位引入螺环结构的聚芴等方面,介绍了聚芴类电致发光材料的研究进展.     

DRAGON ROUGE集团

屡获设计大奖的法国Dragon Rouge集团坚信所有客户的品牌形象都有更佳的成长空间，同时，他们亦深信能为客户提供最优质的服务。迄今为止，在成立后的二十五年奋斗历程中，Dragon Rouge集团以极富创造力的思维完成每一份项目，协助客户实现其对每一个业务发展的期望目标，与每一位客户携手步入成功的殿堂。