MOS集成电路电过应力损伤的模式和机理

电过应力是造成MOS集成电路损坏的主要原因.本文结合静电放电的三种模型,详细分析了MOS集成电路电过应力损伤的模式和机理.     

MOS集成电路ESD保护技术研究

重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路。     

集成电路失效分析新技术

通过实例综述了目前国内集成电路失效分析技术的现状和发展方向。包括：无损失效分析技术、信号寻迹技术、二次效应技术、样品制备技术和背面失效定位技术,为进一步开展这方面的工作提供参考。     

高压浮置MOS栅驱动集成电路

引言 如图1所示,将功率MOSFET或者IGBT用于全增强型的高压侧开关,其栅的驱动要求,即各端子的最低电压可归纳如下: 1、栅压应比漏电压高出10～15V。高压侧开关管的栅电位通常比系统中的最高电位──固定电平要高。 2、栅电位一般是对地而言的,必须逻辑可控。因此,控制信号应抬高到高压侧功率器件的源电位,在大多数应用中,此源电位在两固定电平间摆动。 3、栅驱动电路所消耗的功率对整体效率不能有明显的影响。 由于以上的限制,目前已采用好几种工艺可用来完成功能,原理见表Ⅰ,每一种基本电路均可用多种结构来实现。 国际整流器公司的IR2110栅驱动器集成了驱动高压侧与低压侧功率MOSFET或IGBT所需的大部分功能,兼有小体积与高性能的封装。附加少许元件。IR2110便能提供很高的开关速度(见表Ⅱ)以及低耗     

军用集成电路失效分析

随着科学技术的发展,集成电路在我国军用武器装备上的应用越来越广泛,其可靠性成为制约我国武器装备质量的一项重要因素,失效分析是集成电路可靠性及质量保证的重要环节,本文从失效分析的流程、方法、技术及发展入手,对军用集成电路的失效模式及失效机理进行了详细的讲解,随着元器件设计与制造技术的不断提高及失效分析技术和工具的逐步完善,失效分析工作将在集成电路质量控制方面发挥更大的作用.     

智能型MOS开关电源功率集成电路

智能化功率集成电路是当令国际上正在迅速发展的一个微电子技术和电力电子技术相结合的重要技术领域,由于微电子技术和功率MOS器件的迅速发展为智能型功率集成电路提供了可能性.集成电路的电隔离技术允许在同一芯片上集成功率DMOS和低压控制的双极型     

混合集成电路应用中的失效分析

通过对两种混合集成电路即温控电路及隔离放大器BB3656BG的失效分析，表明以下观点：（1）对混合集成电路的分析，应通过电路内部测试，测量电路工作状态下各个关键部位的参数乃至动态波形；（2）深入的分析过程有利于对电路透彻的了解及促进同类型电路分析的深度，有利于使分析结论更趋准确。     

MOS智能型开关电源功率集成电路

本文介绍了一种集成双极型、CMOS和VDMOS于同一芯片上的智能功率集成电路.以开关电源为目标,介绍了各电路功能块的原理,对电路,版图和工艺进行了正向设计.该电路含有分源结构的VDMOS管、CMOS运算放大器,电压比较器,锯齿波发生器,基准电压和内部工作电源的获取等脉宽控制电路,栅驱动、轧启动电路以及过流,过热保护电路.并给出研制结果,实践证明能够组成性能极好的智能开关电源.     

MOS集成电路生产过程中防静电的讨论

本文介绍了ＭＯＳ集成电路的静电击穿机理，提出了在ＭＯＳ集成电路生产过程中的一些防静电措施。     

试论集成电路失效分析中电测试的应用

电测试是对集成电路进行失效分析的重要内容之一,在集成电路失效分析测试中具有十分重要的作用,采用合理的电测试方式,可以简化集成电路的失效分析过程,提高失效分析的测试效率.通过对集成电路失效分析的基本方法进行分析,探究了集成电路失效分析中仪器设备的具体应用,并分析了集成电路的印刷电路的失效性能.     

数字集成电路的失效分析与技术研究

随着社会的不断发展,集成电路应运而生,并在人们的生产和生活中扮演着重要的角色,其集成度也从最初的小规模向中、大规模演进。在集成电路生产中,硅是主要的材料,过去很长一段时间里,以硅为基础生产的集成电路占集成电路总数的90%以上。以硅为生产材料不仅可以提高集成电路的成品率,还可以缩小光刻线宽,而且单晶硅在质量和尺寸上的工艺提升,还促进了集成电路在监控技术、测量技术、制造工艺、设计技术等方面的应用发展。     

协同分析在集成电路失效定位中的应用探讨

随着集成电路规模和制造工艺的发展,对失效电路进行失效点定位的难度也越来越大,单独依靠一种分析方法很难实现失效点定位。利用先进分析仪器设备,采用多种方法协同分析,成为针对大规模集成电路失效定位分析的必然选择。从有效实现失效定位为出发点,根据失效分析的标准和流程,将定位分析过程和设备仪器划分成三个层次,结合在各分析阶段发现的失效案例,说明多种分析方式协同使用可以实现大规模集成电路失效点的快速、准确定位,分析过程中获取的信息可以为后续的失效机理和失效原因分析提供可靠依据。     

国产二次集成电路的主要失效模式

本文全面总结了国产二次集成电路的主要失效模式，并在此基础上，从二次集成电路生产中的外购原材料，设计，工艺及使用等各方面，分析了其产生的原因。最后，针对反映的生产和使用中问题提出了切实可行的建议。     

智能功率和高压集成电路及相关MOS技术

本文阐述了MOS高压和功率集成电路的现状。在前言部分叙述了这些集成结构的发展,回顾了与分立器件相比的一些主要优点,提出了一些关于集成方法的问题。对于用MOS技术制作并用作集成电路功率开关的各种器件结构进行了评述。考虑了最近开发的两大电路系列:(1)智能功率技术,它包括与控制电路和保护电路集成在一起的单个或多个纵向(共漏)功率开关;(2)高压集成电路,其功率器件是横向的,电流能力较低,其控制电路(CMOS或双极)具有较高的集成密度。提出了设计智能功率开关的一些主要功能问题。对于主要的晶体管单元结构,特别是限热电路和稳偏网络,作了详细介绍。可以看出,在电气波动和与工艺有关的参数变化方面及非稳定因素方面,所涉及的模拟电路都可做到非常稳定。