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随着高可靠电子技术的发展,要求硅双极器件的电流增益HFE具有很低的正温度系数,发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是常规硅双极晶体管HFE具有较高正温度系数的主要原因。为了减小这一正温度系数,结合发射区轻掺杂技术,我们采用了新颖的多晶硅部分发射区、多晶硅发射区和非晶硅发射区等结构,获得了电性能优异的HFE超低温度系数的硅双极器件,HFE的125℃高温上升率和-55℃低温下降率小于20%,有些甚至小于10 相似文献
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热电子晶体管的截止频率 总被引:1,自引:1,他引:0
续竞存 《固体电子学研究与进展》1992,12(1):13-16
本文分析了热电子晶体管的截止频率,指出通过合理选择参数,f_T可达到600GHz,是一种有希望的固体亚毫米波源。 相似文献
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随着微波半导体技术的发展,近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展,包括AlGaAs/GaAs,InP/InGaAs,GeSi等开发现状和性能参数达到的水平。 相似文献
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文章介绍了一种晶体管β值在线测试电路的工作原理及结构。本电路原理简单,结构不复杂,容易制作,使用方便。 相似文献
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最高振荡频率为46 GHz的GaInP/GaAs异质结双极晶体管 总被引:2,自引:2,他引:0
最高振荡频率为46 GHz的GaInP/GaAs异质结双极晶体管钱峰,陈新宇,肖秀红,姚晓峨,周天舒,潘菁,陈效建(南京电子器件研究所,210016)齐鸣,李爱珍(中科院上海冶金所,200050)Af_(max)=46GHzGaInP/GaAsHBT... 相似文献
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本文根据晶体管非工作期可靠性统计数据建立了我国晶体管非工作期失效率预计模型,经验证,预计失效率与现场失效率相吻合.通过预计模型可预计晶体管在各类环境下的非工作期失效率,尤其给出了我国晶体管普通库房贮存失效率和贮存有效期. 相似文献
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本文对微波小功率GaAs场效应晶体管的静电失效机理进行了分析。文中对两种静电失效模式(电压型强电场失效和功率型大电流失效)分别进行了分析和阐述。针对GaAs场效应晶体管的失效机理提出了改进措施。 相似文献
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力电子技术中的关键器件。本文介绍了IGBT国内外发展简况,较详细地说明了IGBT的重要特性及其应用基础技术,列出了在家用电器、电焊机、电动机等方面应用的一些基本电路。 相似文献
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本文简述了工艺筛选用试验项目及作用机理,并就一般元器件的失效规律结合工厂的实际情况作了一般性的探讨;同时对工作中遇到的一些问题做了详细的定性分析,表明工艺筛选是整个生产过程中的一个重要环节。 相似文献
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晶体管非工作状态可靠性预计 总被引:1,自引:0,他引:1
杨家铿 《电子产品可靠性与环境试验》1997,(2):15-20
本文根据晶体管非工作期可靠性统计数据建立了我国晶体管非工作状态失效率预计模型,经验证,预计失效率与现场失效率相吻合,通过预计模型可预计晶体管在各类环境下的非工作状态失效率,尤其给出了我国晶体管普遍库房贮存失效率和贮存有效期。 相似文献
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作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IGBT的发展现状进行了分析。 相似文献
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较详细地叙述了3DG135在可靠性研究过程中,技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施,并给出三个检验批次认证的实验结果。 相似文献
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