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相似文献
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1.
首先进行了方案论证与比较,分析各种方案的优点缺点,最后选择亚德诺半导体公司生产的低噪声增益可控集成运算放大器AD603和电流反馈型宽带运算放大器AD811等器件设计宽带直流放大器。输入级采用两级AD603级联,输出级设计通频带0~10MHz的带宽,通过单片机可以对放大器增益进行控制。该放大器具有频带宽、功率高、增益可调、带宽可选择等特点。此外,对提高直流放大器的各种性能指标提出了多种具体措施,在要求较高的系统中具有较强的实用性。  相似文献   

2.
低噪声放大器是接收机系统的重要模块。介绍了应用于P波段的低温低噪放大器的设计和调试方法,通过使用PHEMT晶体管,按照最小噪声系数设计,采用两级级联,并引入源级负反馈和电阻并联负反馈来提高系统稳定性。在77 K温度下,实测放大器增益大于30 dB,噪声系数低于0.5 dB,输入输出反射系数小于—15 dB。  相似文献   

3.
GPS低噪声放大器的设计与制作   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用仿真软件ADS,设计仿真了一个GPS的1575MHz频段的低噪声放大器,选用ATF-34143FET作为两级级联结构电路的放大器件,用微带线作为传输线,应用于GPS的天线接收系统中。首先设计稳定电路解决场效应管的稳定问题,然后重点进行匹配电路的设计,最后包括电源电路在内构成一个完整的低噪声放大器电路。制作实物,并进行调试,最后测试结果:增益30.5dB,噪声系数0.7dB,输入输出驻波比优于1.4,增益平坦度带内每5MHz小于0.2dB,1dB压缩点11dBm。  相似文献   

4.
介绍了一种对微弱肌电信号(EMG)进行检测的前置放大器的设计方法,放大器的输入级由低噪声JFET输入的运算放大构成,采用两级差分级联,浮地等措施以提高输入阻抗及共模抑比,同时解决了用线电极和针电极检测肌电信号所带来的接触电位问题,该放大器具有主同输入阻抗,高共模抑制比,低噪声,适用于各种检测电极等特点,经在微机化肌电图系统中使用,其性能良好。  相似文献   

5.
基于GaAs pHEMT工艺设计了一款2.3~2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片.该接收前端芯片包含一个单刀双掷(SPDT)收发开关及一个带旁路功能的低噪声放大器.一方面,采用带源级电感负反馈的共源共栅结构实现了放大器模式,将SPDT开关作为放大器输入匹配网络的一部分,一体化优化设计获得最少元件及较高Q值...  相似文献   

6.
为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大器.选用5级分布式拓扑,每级使用共源共栅结构并添加去耦电容,提高放大器增益,改善增益平坦度,拓展放大器工作带宽.仿真结果表明:所设计的放大器在0.9~30 GHz内,增益为15±1 ...  相似文献   

7.
研究低噪声放大器和优化问题,射频识别系统读卡器的读卡性能,决定了放大器化效果.为提高系统性能,采用参数方程和ADS(Advanced Design System)内部函数相结合的方法,通过对恒增益圆、恒噪声系数圆来设计低噪声放大器.方法将"波"的概念引入放大器的设计过程中,将放大器的稳定性、增益、噪声和阻抗匹配等性能参数用波的概念来表述.仿真结果表明,设计完全满足性能指标要求,使基于S参数的小信号放大器的分析与设计变得非常方便.证明方法为实际低噪声放大器优化设计提供参考.  相似文献   

8.
低噪声放大器是微波通讯系统中非常重要的功能器件.本文研究了使用在高温超导滤波器后级的低温低噪声放大器的设计和调试方法.总结了综合功率匹配,驻波匹配和噪声匹配的设计思路.同时针时低温下(70K)由于晶体管S参数的变化导致放大器性能和常温相比有很大改变的情况.利用Smith圆图和可调微带电容帮助调试.并研制了频带为1.9GHz-2GHz的低温低噪声放大器.其增益大于18dB,输入输出反射损耗小于-20dB,噪声低于0.5dB.  相似文献   

9.
通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器.采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声.输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性,并使用CAD软件对电路进行设计优化.电路仿真结果表明,在中心频率12 GHz下实现了增...  相似文献   

10.
本文设计制作一个5 V单电源供电的宽带低噪声放大器,输出为50Ω阻性负载.设计中采用高速运算放大器 OPA820ID 作为第一级放大电路,THS3091D 作为末级放大电路,利用 DC-DC 变换器 TPS61087DRC 为末级放大电路供电.在最大增益下,放大器的输入频率范围低至20Hz,高达5MHz.本设计放大器电压增益不小于40db,放大器最大不失真输出电压峰峰值大于等于10V,输出电压(峰峰值)测量范围为0.5~10V,测量相对误差小于5%.  相似文献   

11.
高性能的放大器对设计一个好的射频通信系统具有重要意义。本文分析了低噪声放大器设计的基本理论,并完成了一个中心频率为2.4GHz的低噪声放大器的设计。该设计选用了P-HEMT ATF54143器件.Agilent Advanced Design System(ADS)仿真结果表明该放大器的增益达到15 dB,噪声系数小于0.7 dB,输入输出驻波比均小于1.5,满足放大器预定的设计目标。  相似文献   

12.
为改善磁流体动力学(MHD)角速度传感器的噪声性能,研究预处理电路的低噪声设计方法.采用3个并联的SSM-2220双极型晶体管对作为输入级,级联低噪声集成运放构成差分放大电路,作为前置放大器,后级加入低通滤波、交流耦合和单端转差分电路.建立了预处理电路的噪声模型,并进行了噪声测量实验,电路的输入噪声电压谱密度约为0.6 nV/Hz(1 kHz).提出的低噪声预处理电路将MHD角速度传感器等效输入噪声水平降低至nV/Hz量级.  相似文献   

13.
超宽带信号低噪放大电路的设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文设计了一个应用于超宽带穿墙探测雷达系统中的低噪声放大电路.放大器选用BFP420晶体管,采用两级级联反馈式的设计原理,工作频段为100MHz~1.8GHz,增益约为23.6dB,噪声系数小于1.5dB,对脉冲信号的放大效果良好.  相似文献   

14.
通过分析低噪声放大器的性能指标要求,设计工具应用NEC公司的开发平台ADS Design Kit for NEC Electronics,设计单级及两级级联的低噪放大器,并对其进行优化。经模拟仿真,发现两者都能满足设计要求,而两级级联的低噪声放大器性能更优,其在2.1G到2.4G的频段上,增益达到了20dB,噪声系数小于0.5dB,稳定系数为4.399,输入输出驻波比小于-10dB。  相似文献   

15.
基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于TSMC 0.18μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB~19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB~2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。  相似文献   

16.
唐德民 《自动化应用》2012,(9):42-43,52
从放大器电路、放大器芯片的S参数扫描、阻抗匹配特性,分析低噪声放大器的外围器件参数设计原理,采用ADS仿真软件实例研究基于MAX2640的低噪声放大器电路设计过程,提出综合考虑增益、噪声系数和阻抗匹配的方法。  相似文献   

17.
针对1.9GHzPHS和DECT无线接入系统的应用,提出了一种可工作于0.9V低电压的CMOS射频低噪声放大器,并对其电路结构、噪声及线性度等主要性能进行分析。该电路基于传统的折叠结构低噪声放大器,利用晶体管线性补偿技术,实现了低压低功耗下的高线性度。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺模型设计与验证。  相似文献   

18.
对于晶体管(场效应管)的低噪声设计,目前采用的方法是根据器件内部参数来计算最佳源电阻,最佳工作电流及信号工作频率。这种方法很难用于集成运算放大器的低噪声设计。因为对于集成运算放大器,不仅无法准确提取器件内部参数及噪声參数,而且噪声电路的计算也极为复杂。因此,其噪声系数图(NF图)及最佳工作参数的设计只能依据对E_n(f)及I_n(f)的测试来解决。本文提出了用FFT分析仪及计算机组成的噪声测试系统,来测量E_n(f)及I_n(f)。并编制了相应的应用软件,实现了对低噪声运算放大器的NF图计算,从而得到了器件工作在最佳噪声性能时的源电阻及信号工作频率。本文给出了对LFC3集成运算放大器的低噪声设计结果。  相似文献   

19.
一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法   总被引:1,自引:1,他引:0  
为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法。分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构。对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真。仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径。  相似文献   

20.
低功耗低噪声CMOS放大器设计与优化   总被引:3,自引:0,他引:3  
分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术:实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足,提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。  相似文献   

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