测试电压和湿度对气敏特性的影响

对影响金属氧化物薄膜气敏元件测量可靠性的因素——测试电压ＶＴ和湿度［Ｈ２Ｏ］进行了实验研究：给出了灵敏度Ｓｎ随测试电压ＶＴ变化的曲线,得出了存在一个Ｓｎ稳定的测试电压区间;给出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化曲线的形式,得出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化的相对起伏是大的结果;研究了相对灵敏度Ｓｎ′≡Ｓｎ（Ｃ０）／Ｓｎ（Ｃｓ）,得出了Ｓｎ′基本不随湿度变化的结果．     

基于矢量变换的锁相环控制研究

为提高三相电网电压不对称工况下传统锁相环性能,提出一种基于矢量变换的新型锁相环控制技术.在解析同步坐标系下传统锁相环工作原理的基础上,分析了电网电压不对称对锁相环同步输出相位的影响,采用矢量变换方法检测电网电压正、负序分量的幅值和相位,并根据锁相环控制系统频率响应特性曲线,给出了锁相环控制器参数选择的理论依据.仿真及实验结果证实,基于矢量变换的新型锁相环性能不受三相电网电压不对称影响,相关参数变化规律与理论分析一致.     

偏铝酸盐溶液纯铝阳极微弧氧化膜的影响因素

利用阳极微弧氧化技术在纯铝表面制备了陶瓷膜,研究了偏铝酸盐体系下,影响氧化陶瓷层生长的因素,并分析了电解液浓度、氧化电压、电流密度及氧化时间对阳极微弧氧化陶瓷层生长的影响.得到了电解液浓度、电压、电流密度及氧化时间对氧化膜成膜的关系曲线.利用SEM分析了铝合金阳极微弧氧化陶瓷层的表面微观形貌.实验结果表明:陶瓷层表面宏观粗糙度及膜层表面微观形貌受电参数和氧化时间的影响较大.最佳的工艺参数为:电解液浓度为30g/L、电压350V、电流密度1.5A/cm2、氧化时间控制在25min以内.     

交联聚乙烯电树枝老化实验研究

介绍了交联聚乙烯电枝枝老化的试验研究,给出了ＸＬＰＥ绝缘在交流电压作用下的电树老化曲线以及在交流叠加冲击电压作用下,ＸＬＰＥ绝缘中电树的起始特性,并对实验结果进行了分析。     

多通孔阳极氧化铝膜的制备

通过两步阳极氧化法由铝片制得高度有序的多孔氧化铝膜（PAA）,采用高电压瞬时脉冲法分离出完整而独立的多通孔氧化铝模板.用SEM对其表面进行分析,结果表明用瞬时电压脉冲法可以很好地分离出完整的通孔膜,且膜质量很高.孔直径为40～50 nm,孔间距为90～ 105 nm,膜厚度为25μm左右,孔密度高达1.34×10^10个/cm2.通过4次阳极氧化的时间电流密度曲线对比,表明两步阳极氧化可以制得高度有序的PAA膜.     

交联聚乙烯电树枝老化实验研究

介绍了交联聚乙烯（ＸＬＰＥ）电树枝老化的试验研究．给出了ＸＬＰＥ绝缘在交流电压作用下的电树老化曲线以及在交流叠加冲击电压作用下,ＸＬＰＥ绝缘中电树的起始特性,并对实验结果进行了分析     

84#膜在自动激活一次锌银电池中的应用研究

本文主要研究了84#膜作为自动激活一次锌银电池的电池主隔膜,对电池性能的影响.通过比对84#膜与89#膜的外观、厚度、外形尺寸、抗拉强度、醋酸结合量、铁含量、面积电阻和膨胀率等基本性能,以及对比两种不同型号隔膜制备单体在常温激活1min、常温激活4h以及高温激活1min三种状态下以同样负载曲线放电的电压、余容量等,经过对结果综合分析,完成了84#膜在自动激活一次锌银电池中的应用研究,为自动激活一次锌银电池的隔膜选择提供了技术贮备.     

网络函数的SPICE2子电路模型

研究了应用ＳＰＩＣＥ２程序模拟网络函数的一种方法。建立了由电感微分器结合多项式电压源构成的电压系数可编程的一阶、二阶网络函数子电路模型。模拟结果给出的各阶网络函数的频率响应曲线和相应电压数值与实际电路的分析结果完全一致。将网络函数的子电路模型与ＳＰＩＣＥ２的其他子电路模型结合，能够构造更复杂的线性、非线性系统电路模型。     

网络函数的SPICE2子电路模型

研究了应用ＳＰＩＣＥ２程序模拟网络函数的一种方法。建立了由电感微分器结合多项式电压源构成的电压系数可编程的一阶、二阶网络函数子电路模型。模拟结果给出了各阶网络函数的频率响应曲线和相应电压数值与实际电路的分析结果完全一致。将网络函数的子电路模型与ＳＰＩＣＥ２的其他子电路模型结合，能够构造更复杂的线性、非线性系统电路模型。     

质子交换膜燃料电池催化层气液两相流的建模及仿真

质子交换膜燃料电池中液态水含量的多少对电池性能具有十分重要的影响。考虑了质子交换膜燃料电池催化层中气液态水的影响,在假设电池内部保持等温、稳态的基础上建立了电池阴极一维气液两相流模型。运用MATLAB软件对电池内部不同的液态水饱和度、温度以及不同阴极进气压力对单电池输出电压的影响进行了仿真,得出不同条件下的电流密度和电压之间的关系曲线,将仿真结果与实验数据相比较,该结果与实验数据符合较好,可为车用燃料电池的优化与控制提供依据。     

薄膜样品X射线能量色散谱仪测试方法研究

利用能量色散谱仪(EDS)对铜基材镍磷薄膜样品进行成分分析,研究扫描电镜(SEM)不同加速电压和能谱采集率对薄膜样品所含元素定量结果的影响。结果表明:加速电压影响薄膜样品中各元素绝对定量结果,并对膜层中P、Ni元素的质量比产生一定的影响;但在相同的加速电压条件下,能谱采集率的高低对样品中各元素绝对定量结果以及膜层中P、Ni元素的质量比影响较小。     

MCP分幅管空间分辨特性的Monte Carlo模拟

采用Monte Carlo方法对微通道板(microchannel plate,MCP)分幅管的空间分辨特性进行理论模拟.研究MCP斜切角、偏置电压与荧光屏参数对空间分辨特性的影响.结果表明,MCP分幅管的动态空间分辨力和静态空间分辨力近似相等.在其他参数不变的情况下,其空间分辨力近似与MCP到荧光屏的近贴距离成正比,与荧光屏上电压的平方根成反比.     

大批量定制生产的概念框架模型研究

在未来持续发展和不可预测的市场环境中,敏捷制造成为保持企业竞争地位与生存发展的一个重要战略,敏捷制造的最终目的是实现大批量定制生产（Mass Customization Production,简称MCP）。在制造领域中,MCP是一个较新的概念。在综述文献的基础上描述了MCP的内涵和概念,同时提出了实现MCP的概念框架模型。从策略、技术、支撑系统和人员四方面较为祥尽地分析了MCP的实施基础及关键因素。     

空间矢量PWM逆变器死区效应分析与补偿方法

针对电压源型空间矢量脉宽调制逆变器的死区效应，提出了一种根据电流矢量判断电流极性的死区补偿方法．分析了因死区时间、功率器件导通关断时间引起的误差电压矢量，在不同的电压矢量扇区内根据电流极性的不同，通过矢量合成的方法得出了误差电压矢量的幅值，给出了该矢量和三相电流极性的对应关系，并在静止参考轴系内完成了补偿算法.结果表明，死区效应引起了逆变器输出电压波形畸变，引起了电机电流波形畸变和转矩脉动.该补偿方法能有效改善电机导流波形，提高了逆变器的输出性能．     

船舶电站同步发电机调压系统的数学模型

船舶电站电压的稳定性主要取决于同步发电机调压系统的动态特性．为了对同步发电机调压系统的过渡过程进行分析,分别建立可控相复励装置、无刷励磁同步发电机和船舶电站同步发电机调压系统的数学模型,并在此基础上分析调压系统的动态特性和同步发电机电压的变化规律．对一个实际的船舶电站同步发电机调压系统进行了计算机仿真研究,分别给出了系统在突加、突减静负荷以及起动大功率异步电动机时的动态特性曲线．计算机仿真结果表明,提出的数学模型是合理的、可行的,反映了船舶电站电压的变化规律．     

自适应死区时间控制的数字控制ACF变换器

为了提高有源箝位反激(ACF)变换器的转换效率,提出基于自适应死区时间控制(ADTC)的数字控制ACF变换器设计技术. 通过副边采样检测2个原边功率管的零电压开关(ZVS)信息,实现对死区时间的自适应控制和功率管的ZVS,副边采样使采样器件的耐压要求降低. 基于CoolMOS功率管,开发ACF变换器的45 W (20 V/2.25 A)样机验证系统设计,用现场可编程门阵列(FPGA)实现数字控制. 测试结果表明,变换器在300 kHz开关频率下正常工作,在155 V直流电压输入和不同负载条件下自适应控制死区时间,实现原边功率管的ZVS,系统最高和最低效率分别为97.48%和92.86%.     

异步电机瞬态激励无传感器磁场定向控制研究

在分析异步电动机瞬态激励数学模型的基础上,提出电流瞬态响应二次测量结果相叠加获得转子位置信息的技术.该技术利用电压源逆变器产生的驱动信号作为激励信号,通过检测PWM逆变器馈电时电机绕组电流瞬态变化来辨识静止状态到较高速时的电机转子信息.采用仿真手段分析逆变器死区时间及电子元件压降的影响,并给出了相应的补偿方式,边界条件为:电机理想对称,逆变器为理想状态.仿真研究表明:由于死区时间t0的影响,电流瞬态响应发生变化,导致工作点漂移.针对3kW/380V/50Hz异步电机进行了实验,实测结果验证了该方法实现无传感器磁场定向控制转子位置检测的可行性和优越性.     

Analysis and simulation of lateral PIN photodiode gated by transparent electrode fabricated on fully-depleted SOI film

A novel device,lateral PIN photodiode gated by transparent electrode (LPIN PD-GTE) fabricated on fully-depleted SOI film was proposed.ITO film was adopted in the device as gate electrode to reduce the light absorption.Thin Si film was fully depleted under gate voltage to achieve low dark current and high photo-to-dark current ratio.The model of gate voltage was obtained and the numerical simulations were presented by ATLAS.Current?voltage characteristics of LPIN PD-GTE obtained in dark (dark current) and un...     

Surface characteristics and structure of oxide films containing Ca and P on Ti substrate

The oxide films were obtained in an electrolyte of calcium glyeerphosphate (Ca-GP) and calcium acetate (CA) by mieroare oxidation (MAO). The oxide films displayed a porous and rough structure on the film surface, and the roughness tended to increase with inereasing voltage of mieroare oxidation. The oxide film exhibited a uniform coating and tends to be well boned to the substrate. The thiekness of oxide films depended on the final voltage at a eonstant concentration of eleetrolyte solution. Ca and P were also incorporated into the oxide film during the mieroarc oxidation process, It was found that the electrolyte of ealeium glyeerphosphate ( Ca-GP) and ealeium acetate (CA) was suitable for microarc oxidation to form oxide film eontaining Ca and P on Ti substrate. The eoneentration of Ca and P were 11.6 at% and 6. 4 at% , respectively, when microare oxidation was performed in the electrolyte of 0. 06 M Ca-GP and 0. 25 M CA at current density 50 A/m^2 and final voltage 350 V. The composition of the Ca, P and Ti changed during depth profiling. The crystalline phases were only anatase when final voltage was below 300 V and rutile was presented when voltage was up to 350V. The microstructure, phase structure and phase composition were investigated by scanning electron microscopy (SEM) , atomic foree microscope (AFM) , energy dispersive X-ray mieroanalyser (EDX) , and X-ray diffraction (XRD),     

Ti基体上形成微弧氧化膜组成和结构的研究

在甘油磷酸钙和醋酸钙电解液中采用直流电源对纯Ti进行了微弧氧化。采用微弧氧化方法所制备的氧化膜具有粗糙多孔的结构,且微孔直径随着电压的增加而增大。AES分析表明在基体与氧化膜界面发生了扩散,从基体钛到氧化膜的表面氧的浓度逐渐增大,钛的浓度逐渐减小。XPS分析表明氧化膜的组成随着所施加的微弧氧化电压而改变,微弧氧化电压为200V时TiO2、Ti2O3和TiO占Ti的原子百分比分别为72．61％、22．08％和5.31％;当微弧氧化电压为350V时氧化膜表面Ti元素只由TiO2、Ti2O3组成,且占Ti的原子百分比分别为85．48％、14．52％。