用X射线能谱仪测定长石类矿物中Na,K组分时存在的若干问题

长石是造岩矿物中的一大类。它不仅分布很广,而且其化学组成和结构状态涉及一系列岩石学基本问题。因此.用X射线能谱仪快速而准确地进行长石类矿物的定量分析,无疑对长石类矿物的进一步深入研究是一个推动。通常,用X射线能谱仪测定矿物中某一元素的含量时、为了尽可能消除由于统计涨落引起的误差,增加对特征X射线的采集时间,也就是增加特征X射线的总计数量。长石类矿物的主要组成为Na、K和Ca元素的铝硅酸盐。     

Naβ″—Al_2O_3中离子交换和迁移的EPMA研究

用JCXA—733电子探针的背射电子成份像和特征X射线像,成功地显示出Ce~(+++)和Eu~(++)离子与NaB″—Al_2O_3中Na~+离子交换的非均匀性,用注入电子束诱导离子迁移的实验表明,在Ce~(+++)或Eu~(++)离子交换后的β″—Al_2O_3晶格中的Na~+离子仍为主要载流子,而Ce~(+++)或Eu~(++)为不可迁移离子。     

沸石分子筛在电子束轰击下的损伤

本文以沸石分子筛在电子束轰击下出现的晶体崩裂现象为线索,讨论了电子束作用于样品可能出现的损伤,并以此为依据解释实验现象。结果表明,离子迁移是造成沸石分子筛晶体崩裂的主要原因。     

大同云岗砂岩长石蚀变的扫描电镜研究

作者应用KYKY—AMRAY1000B型扫描电镜和TN—5400型X射线能谱仪,着重研究了山西大同中上侏罗系云岗群长石砂岩在成岩后所发生的矿物转化现象,即微斜长石的分解、高岭石化和次生石英的形成等,并且分析了这些作用产生的地球化学条件,提出了在云岗石窟开凿前,云岗群长石砂岩就已经发生了高岭石化。     

不稳定样品的EPMA分析

研究了玻璃、矿物和快离子导体等不稳定样品在电子探针（ＥＰＭＡ）分析过程中，样品中Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ和Ａｇ等组份随分析时间变化的特性。认为样品中组份变化的原因，是由于电子束轰击样品时引起的离子迁移和蒸发过程造成的。组份的聚集和蒸发两个过程的平衡，决定了Ｘ射线计数的变化方向。当聚集量大于蒸发量时，易迁移组份的Ｘ射线计数随时间而增加，反之减小。实验结果很好地解释了不稳定样品在ＥＰＭＡ分析过程中组份变化的特性和离子迁移现象。     

沸石分子筛合成方法概述

本文主要论述了传统法与微波法合成沸石分子筛的特点,分析了两类方法合成的分子筛性能的差异,并对微波技术在沸石分子筛材料合成中的应用进行了探讨与展望。     

互组合线共振光激发NaXI离子的粒子数反转研究

利用高功率钕玻璃激光辐照表面涂铝的氯化钠复合平面靶形成高度电离的等离子体,观察到了由类氦AlⅫ离子互组合线共振光激发泵浦产生的类氢NaⅪ离子相应于软X射线波段(λ_(54)=33.4nm)的粒子数反转.g_4N_5/g_5N_4=7.5.     

用作集成电路密封胶的改性室温硫化硅橡胶

<正> 在所有有机和无机聚合物材料工业产品中,室温硫化硅橡胶是集成电路元件中防潮和防机械损伤最有效的密封胶。本文叙述了室温硫化硅橡胶的一般概念及其工业制备方法和固化机理。用掺入杂环聚醚作为杂质离子接受体,以固定杂质离子Na~+、K~+、Cl~-而改进室温硫化硅橡胶的电性能。看来,在电子工业中采用杂质离子接受体以防止杂质离子的迁移是有应用潜力的。     

钇-钼激光等离子体软X射线光谱

利用不同晶格常数的X光谱仪,对钇-钼系列的等离子体X射线光谱进行了拍摄和分析,发现线谱主要是由类氖离子发射,并具有极相似的结构。此外,本文对这些元素的类钠伴线结构也进行了分析和归类。     

CMP浆料SiO_2水溶胶纯化稳定性技术的研究

介绍了CMP浆料SiO2水溶胶的Na+含量过高对集成电路可靠性的影响,讨论了硅溶胶纯化制备过程中容易凝胶的不稳定现象。中试实验中,采用阳离子交换的方法,去除Na+等金属离子。改变SiO2水溶胶pH值,测量其Zeta电位,得到最稳定SiO2水溶胶pH值在10左右。分析一次阳离子交换和两次阳离子交换过程,得到Na+浓度、pH值和Zeta电位变化规律。加入有机碱调节pH值,并起到螯合金属离子的作用。最后得到Na+浓度为1×10-6～2×10-6 mol/L、pH值在10～10.5、Zeta电位在-40～-45 mV的稳定碱性硅溶胶。为碱性CMP浆料SiO2水溶胶工业化纯化制备生产提供了理论依据。     

电子显微方法研究BaX沸石的形态和结构

一、前言: Bax型沸石分子筛作为功能材料已用于从混合Cs芳烃中吸附分离对二甲苯。由于吸附剂的性能主要取决于沸石的本征特性和成型特性,故电子显微方法已在这一领域得到了广泛的应用。本文用SEM、TEM、HEED、EDS四种电子显微方法研究了两种BaX沸石的晶体形貌、结晶规整度、阳离子分布及其对吸附性能的影响,取得了肯定的结果。二、实验部分: 1.试样ADS—7型BaX沸石,美国UOP公司制,CBX—5型BaX沸石,我院研制。     

用激光脉冲列开发小型软X射线激光

1．前言X射线显微镜、X射线光刻等各种实际应用所期待的X射线激光的开发研究正在世界范围内进行。特别是利用固体靶在1kJ以下的照射能量，证实了能产生强的放大自发辐射（ASE），各国集中力量开展用电子碰撞激发机制的类氖Ge离子X射线研究。以确认增益饱和为目的的各种实验成果已有报道。日本理化研究所提出的用激光脉冲列激发X射线激光的方案，已由劳伦斯·里弗莫尔实验室和大皈大学所验证，确认了等离子体逐次有效的加热作用，公认为是一种有效的激发手段。但是，用这种方法产生类氖Ge离子X射线激光（波长19．6nm，23．6nm）也需要几…     

在微波激发的O_2+N_2混合等离子体中实现Al/Si的氧化

蒸发在 Si 上的 Al 薄膜,在微波激发的 O_2+H_2混合等离子体和 O_2+N_2混合等离子体中实现了氧化。添加的 H_2或 N_2在其中起催化作用。在 Ar 离子溅射的情况下,用离子微分析(IMA)和 X 射线光电子分光(XPS)方法,分析了各元素随深度的组成变化和膜的化学结构。在 O_2+N_2混合等离子体中,观测到界面上有明显界面氧化层,但在 O_2+H_2混合等离子体中,没有发现内部 SiO_2层。为了解释这些实验现象,提出了一种氧化过程的假定方式,这种方式考虑了电负性。     

类锂硅离子6f-3d与6d-3p软X射线激光

类锂离子复合泵浦是实现X射线激光的主要技术途径之一。迄今已有实验成功演示的类锂复合软X射线激光仅限于5f-3d、5d-3p及4f-3d等跃迁,例如Mg~9+5f-3d(12.79nm);Al~(10+)5f-3d(10.57nm)及5d-3p(10.38nm)、4f-3d(15.47nm);Si~(11+)4f-3d(12.9nm)等。另外,我们也曾在中国科学院上海光机所LF12~#激光装置上,首次成功地演示了复合泵浦类锂Si~(11+)离子的5f-3d(8.89nm)和5d-3p(8.73nm)跃迁的软入射线激光(参见:中国激光,16(10),1989,616)。本文报道最近我们首次从实验上发现类锂硅离子的6f-3d(7.58nm)和6d-3p(7.46nm)跃迁的软X射线激光的结果。 复合泵浦类锂硅离子软X射线激光的系统实验是1989年10～11月期间在LF12~3激光装置上完成的。1.05p,m单束激光到达靶面上的能量为30～130J,激光脉宽约900ps,相应的靶面激光强度为(1.0～5.0)× 类锂离子复合泵浦是实现X射线激光的主要技术途径之一。迄今已有实验成功演示的类锂复合软X射线激光仅限于5f-3d、5d-3p及4f-3d等跃迁,例如Mg~(9+)5f-3d(12.79nm);Al~(10+)5f-3d(10.57nm)及5d-3p(10.38nm)、4f-3d(15.47nm);Si~(11+)4f-3d(12.9nm)等。另外,我们也曾在中国科学院上海光机所LF12~#激光装置上,首次成功地演示了复合泵浦类锂Si~(11+)离子的5f-3d(8.89nm)和5d-3     

ULSI/GLSI低Na CMP浆料的纯化效率

采用离子交换法去除ULSI/GLSI CMP浆料SiO2水溶胶中的Na+.介绍了微电子专用CMP SiO2水溶胶纯化的研究现状.实验分析了SiO2水溶胶中Na+与阳离子树脂的交换机理,硅溶胶中Na+去除分为硅溶胶溶液中Na+的去除和被硅溶胶胶团吸附Na+的去除.在交换动态平衡时,动态交换1h较静态交换24 h生产效率提...     

水窗波段软X射线激光的类Na离子能级和辐射跃迁几率

近年来,激光等离子体软X射线激光的研究取得了迅猛的进展。但是,其中研究得最多的以电子碰撞激发为泵浦机制的类Ne离子方案,要达到水窗波段(2.33nm—4.37nm)的激光所需要的驱动激光功率密度是现有的高功率激光装置所无法提供的。最近,上海光机所徐至展等以低于上述实验二个数量级的功率密度(2.5×10~(12)W/cm~2)、利用复合泵浦机制实现了类锂硅离子和类钠铜离子的软X射线波段的谱线放大。这一实验方案对于实     

Eu3+,Li+共掺杂ZnO薄膜结构与发光性质的研究

为了研究Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜结构与发光性质,采用脉冲激光沉积方法在P型单晶Si（111）衬底上制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜,其中,Eu3+作为发光中心,而Li+作为低价电荷的补偿离子和发光敏化剂。分别对样品进行了X射线衍射谱测试和光致发光谱分析。得出的数据中X射线衍射谱显示,Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向,X射线衍射谱中除ZnO晶向以外没有出现其它结晶峰;Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜的光致发光谱与ZnO纯晶体薄膜的发射光谱基本相似,但是掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰却出现红移现象,峰值位于382nm处,且发光峰也不尖锐。当以395nm的激发光照射样品时,在光致发光光谱中观察到了稀土Eu3+在594nm,613nm附近的特征发光峰。结果表明,掺杂元素Eu3+,Li+均已进入到ZnO晶格中,形成了以Eu3+为发光中心的ZnO纤锌矿结构。     

温度对碲锌镉光子计数探测器计数性能的影响及机理研究

基于线阵光子计数探测器模块，实现了碲锌镉探测器的光子计数应用。研究了大剂量X射线下碲锌镉探测器的计数性能，发现碲锌镉光子计数探测器根据其典型计数性能可分为两类:C1，C2。分析了这两类典型的光子计数探测器的计数性能与X射线能谱响应特性、前放脉冲信号上升时间以及碲锌镉探测器缺陷水平的内在联系，在此基础上研究了温度对C2类碲锌镉光子计数探测器计数性能的影响规律，升高温度可以抑制探测器的极化失效，提高计数率，且当温度升高至33℃时，探测器计数性能可得到显著改善。最后利用线阵光子计数探测器模块，获得了不同温度下C2类碲锌镉光子计数探测器的多能区成像结果，升高温度可以显著增加其图像衬度，提高成像质量。该研究为通过控制外部条件提高碲锌镉光子计数探测器性能提供了有效手段。     

激光产生MgIX等离子体软X射线谱的识别

用掠入射光栅光谱仪拍摄了4～12nm波段范围内镁的激光等离子体软X射线发射光谱。利用等电子数序列离子光谱的规律性,对镁的类铍电离级离子跃迁的软X光谱线进行了识别。     

Yb∶YAG激光晶体的高温退火和高浓度掺杂效应

测定了提拉法生长的不同掺杂浓度的Yb∶YAG晶体从紫外到近红外区的吸收光谱 ,发现高温氧化气氛退火后原先可见光区色心宽带吸收消失的同时 ,在紫外区出现新的吸收带 ,并通过色心的转化对这一现象进行了解释。在紫外区和近红外区吸收光谱中 ,发现随掺杂浓度的升高 2 2 0nm和 94 0nm附近的吸收带的位置略有移动 ,提出是由于Yb3+ 离子掺杂引起的晶格结构畸变导致了Yb∶YAG晶体光谱性质的改变。通过X射线衍射对不同掺杂浓度Yb∶YAG晶体晶胞参数的测定 ,证实高的掺杂浓度导致Yb∶YAG晶体发生较大的晶格畸变。在不同掺杂浓度Yb∶YAG晶体的激光实验中 ,观察到Yb3+ 离子掺杂浓度影响晶体的激光性能