2π入射裂片径迹火花计数技术

火花计数器是一种自动计数的固体核径迹探测器。这种方法计数快,结构简单,操作方便,可以解脱繁重的目视测量。与垂直入射的裂片径迹相比,以2π立体角入射的裂片径迹火花计数技术有其自身特点。裂片以2π立体角射入薄膜,在一定蚀刻条件下,膜上蚀成的孔洞径迹,只是记录径迹的一部分。显然,膜越薄,灵敏度越高;蚀刻时间越长,孔洞径迹占的比例越大,火花计数也越多。我们取火花计数与膜上被蚀刻出的总径迹数之比为火花计数效率。同一片蚀刻过的膜,多次进行火花计数,其脉冲数不完全相同。若多     

10～25μm硝酸纤维膜的制备

用于火花计数的膜,要求厚度比较薄(10～25μm)而均匀,但国内外商业上出售的膜难以满足要求。为此我们参考了国内外有关膜的制备流程,制定出了一个采用丙酮为主要溶剂、毒性小、成本低、取材于国内的流程。膜的均匀度在面积5×5cm~2内为10～25±2μm,在3000计数/cm~2内火花计数对α计数的响应是线性的。     

用固体径迹火花自动计数器测量绝对裂变率

使用载有裂变碎片径迹的有机薄膜(下称信号膜),用火花计数方法测量绝对裂变率时,需要解决两个主要问题:一是在特定的蚀刻、清洁处理和计数条件下,较准确地知道火花计数裂变碎片的效率。本工作使用裂变室和信号膜相结合的方法,测出了在上述特定条件下,聚酯膜(厚为10μm)计数裂变碎片的效率ε为0.548±0.030。二是火花计数稳定性。单片信     

测氡火花计数器的研制

介绍了固体径迹火花计数器的研制,结合已有火花计数器的特点对火花计数器结构进行了优化,并设计实验对火花计数器的部分性能进行了研究分析,通过实验得出了影响火花计数器性能因素,找到了该火花计数器能够较准确计数的最佳工作条件。使得本火花计数器能够较准确地读出聚酯膜固体径迹探测器上的径迹信息,更好地应用于氡的测量。     

自锁火花计数器在农业测硼中的应用

适量的微量硼将对作物有增产作用。由于硼的热中子(n,α)反应截面很大,因此,利用核反应来测定土壤中和植株内的硼含量将是可行的。 用火花计数测量α径迹需要精确的蚀刻条件,因为被蚀刻膜的剩余厚度与火花计数有关,而蚀刻剂的浓度、温度都可以敏感地影响到被蚀刻膜的剩余厚度。对于聚碳酸酯膜,用NaOH     

硝酸纤维素薄膜的制备

硝酸纤维素薄膜是灵敏度较高的固体径迹探测器材料。采用简便的、精确的火花计数技术,能对较大面积的硝酸纤维素径迹探测器上的低、中径迹密度的α粒子进行迅速、正确的计数。本文重点对我们研究和使用的一种适合于火花计数的硝酸纤维素薄膜的制备作了介绍,此外,还介绍了薄膜的探测性能。 为了能制备一批数量较多的、性能均匀的薄膜,我们采用浸涂法在自制的半机械化连续涂膜装置上制膜(装置见图1)。     

固体径迹火花自动计数器效率刻度

介绍了固体径迹火花自动计数器原理,探索了最佳蚀刻条件,刻度了固体径迹火花自动计数器效率,测量了信号膜厚度和蚀刻厚度变化的修正因子.两种修正因子的测量和效率的刻度使得固体径迹火花自动计数器能够用于绝对裂变率的测量.     

用于非金属核素面源制备的阳极氧化工艺的建立

为研究铝氧化膜成膜工艺参数,验证氧化膜吸附放射性核素14 C性能,通过建立一套20％ 硫酸体系阳极氧化装置,研究在电解液温度14～20℃、电压10～22 V、成膜时间20～150 min范围内各参数与氧化膜厚度的关系.结果表明,该方法研制生产的氧化膜厚度在4～60μm之间.通过实验验证,采用研制的4～12μm的氧化膜,...     

硝酸纤维素薄膜在骨骼的α辐射自显影术方面的应用

放射性样品中发出的α粒子,辐照硝酸纤维素薄膜(以下简称薄膜),经蚀刻后,可以显示出膜上α粒子的径迹分布,这种技术称为薄膜α辐射自显影术。它是一种简便和直接的方法,与核乳胶显影相比,薄膜显影术具有更多的优点。本文描述了一种用自制薄膜探测骨骼中α放射性核素分布的方法,并列出了骨锯片α辐射自显影的火花复制图像。     

超高分子量聚乙烯微孔膜在不同温度下辐射交联及其性能

超高分子量聚乙烯(UHMWPE)微孔膜贴于加热板上升温至126～127℃,利用电子束辐照至吸收剂量分别为0 kGy、25 kGy、50 kGy、75 kGy.研究在加热条件下,不同吸收剂量对UHMWPE微孔膜凝胶分数、拉伸强度、穿刺力、结晶度以及耐温性的影响.结果表明:当吸收剂量为75 kGy时,UHMWPE微孔膜凝胶...     

二次阳极氧化法制备多孔氧化铝膜

文章介绍采用二次阳极氧化法制备孔洞规则、有序的多孔氧化铝膜的工艺。多孔阳极氧化铝(AAO)膜孔径为20～100nm，孔道相互平行且垂直于表面，深度可达50μm。详细分析了第1次阳极氧化、去除氧化层、第2次阳极氧化、扩孔过程中孔结构发生的变化。研究了不同电解液、阳极氧化温度、外加电压等对多孔氧化铝结构的影响。分析了多孔氧化铝膜的表面及侧面形貌、表面微区成分。在草酸溶液中氧化所得的AAO膜孔径相对在硫酸溶液中的较大。在一定范围内，增加氧化温度及氧化电压能提高AAO膜孔径。     

真空高温氢化法制备Pd-Zr复合膜

为了获得低成本、高渗氢率、长寿命、高强度的选择渗氢膜,耐熔金属锆(Zr)被选作复合膜的基体。在真空 4.0×10-4 Pa、温度 650 ℃的反应条件下,锆表面氧化 膜 松动 、分解 ,氧化膜被去除 ;再在氢气氛中使其洁净表面上生成一层氢化锆 保 护 膜 ; 在真空度为 6.6×10-6 Pa 下,采用离子溅射镀膜法,在锆片(φ 50 mm×0.23 mm)的双表面上分别镀上了一层厚约 400 nm 的钯(Pd)薄膜,钯膜均 、细 腻 、光洁 , 膜厚易控制 ;再经过退火处理 ,制得了 Pd-Zr复合膜, 膜面致密 , 钯膜与基体锆结合力强 ,内应力消失 。采用 X 射线衍射(XRD)和 X 光电子能谱(XPS)对锆表面及复合膜表面进行了分析。制备的 Pd-Zr 选择渗氢复合膜对核燃料和聚变燃料的纯化及反应堆增殖剂中氚的提取将具有很大的应用前景。     

新型金刚石膜微条气体室X射线探测器

以金刚石膜／硅复合材料作为基板．运用微加工技术在金刚石膜／硅衬底上光刻铬／金微条电极．制成了流气式微条气体室探测器。在室温及101．0kPa下,使用微机多道能谱仪及辅助电子学设备在5．9keV^55FeX射线辐照下测量了微条气体室探测器在不同电压下的能谱响应和脉冲信号。结果表明微条气体室探测器具有较高的信噪比,计数率≥10^3Hz,当混合工作气体Ar：CH4=90：10、漂移电压-1000V、阴极电压-650V、阳极0V时,能量分辨率达12．3％。     

直接接触式膜蒸馏技术处理模拟放射性废液

采用聚丙烯中空纤维膜开展直接接触式膜蒸馏（DCMD）过程处理模拟放射性废液的研究,主要考察了料液温度、冷却水温度、料液流速以及冷却水流速的变化对膜通量和目标元素（Sr(Ⅱ)、Co(Ⅱ)和Cs(Ⅰ)）截留效果的影响,并探讨了DCMD过程的传质传热机理。考察的四个运行参数中,料液温度的变化对膜通量的影响最大,料液温度由40 ℃增加至80 ℃,膜通量由2.7 L/(m²•h)增加至29.2 L/(m2•h)。此DCMD过程中,水蒸气在膜孔内的传质机理以努森-分子扩散为主,传质阻力主要来自于膜本身。在考察的料液温度（40～80 ℃）、冷却水温度（10～30 ℃）、料液流速（425～1450 mL/min）和冷却水流速（75～600 mL/min）范围内,DCMD过程对Sr(Ⅱ)、Co(Ⅱ)和Cs(Ⅰ)的去污因子（DF）均保持在10⁵以上。结果表明：DCMD过程对模拟放射性废液具有良好的处理效果,可作为一种新的放射性废液处理技术。     

“天光Ⅱ—A”强流脉冲加速器的电路模拟

“天光Ⅱ-A”强流脉冲加速器的组成及主要参数如下：Marx发生器由24台美国Maxwell公司生产的100kV／0．1灯低电感脉冲电容器、12个火花隙开关组成,Marx发生器输出电压1．8MV,储能6．75kJ;     

ESD对双极型硅器件的损伤机理研究

通过理论分析,建立了双极型硅器件的ESD损伤模型,表明ESD对该类器件的损伤主要是过热失效模式.ESD电压较高时,静电放电电流引起局部过热导致PN结峰值温度达到硅的熔融温度(1 413℃)而使器件击穿烧毁;ESD电压较低时,电触点的峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度(577℃),使器件参数退化从而发生潜在性失效.将实验结果...     

裂变径迹个人中子剂量计

本文叙述了~(285)U-涤纶和~(282)Th-涤纶两种裂变径迹中子剂量计,配用一台火花计数器,实现了径迹的自动计数。计算了利用不同的(n,f)反应探测中子注量和剂量的灵敏度,以及~(282)Th探测器的拉德响应系数。火花计数的线性区域可达到(0.3～1.5)×10~3火花/厘米~2,相应的可测剂量范围约为20毫雷姆—60雷姆。     

静电式准液膜法提取Eu~(3+)的研究

用静电式准液膜这一新型分离方法,研究了P5709-加氢煤油提取Eu~(3+)的过程。通过实验,确定了萃取剂浓度、料液初始pH值等工艺条件以及用于相分散的电场电压、料液流量等操作条件。实验结果表明,静电式准液膜适用于P 5709提取Eu~(3+)的体系。含Eu~(3+)780 ppm的料液经准液膜反应槽萃取4秒钟左右,萃取率可达95%以上,同时在反萃侧可使Eu~(3+)浓缩50倍。     

U-2.5%Nb合金在空气中的氧化行为

采用厚度法和增重法研究了U-2.5%(质量分数,下同)Nb合金在60～300 ℃的氧化行为,利用扫描电镜对氧化膜的形貌进行了分析,并探索了氧化膜破裂的机制.研究结果表明,在实验范围内,U-2.5%Nb合金在60~80 ℃的氧化遵循抛物线规律;在100～150 ℃之间,氧化规律由抛物线-线性规律组成;在200～300 ℃,氧化遵循直线规律.在抛物线阶段,反应的活化能为74.70 kJ/mol;而在线性氧化阶段,活化能降低至31.48 kJ/mol.表面形貌分析表明,抛物线氧化阶段,α相和γ2相氧化速率明显不同,从而造成表面出现"浮凸"现象,但氧化膜是致密的.直线氧化阶段,氧化膜疏松,在氧化膜中首先出现纵向开裂现象,然后是氧化膜的剥落.     

钽在硫酸-甲醇体系中的电抛光工艺研究

为制备出高温高压状态方程（EOS）研究中所需的高质量钽膜,采用硫酸 甲醇体系电解液对钽片进行电解抛光实验,测定了钽的阳极极化曲线,表征了钽样品抛光前后的表面形貌,分别研究了电解液配比、抛光电压、搅拌速率和电解液温度等因素对抛光效果的影响。抛光后钽表面均方根粗糙度和形貌测试结果表明,硫酸 甲醇体系适用于钽的电解抛光,并初步确定了钽的电解抛光工艺参数,即硫酸与甲醇体积比为1∶7,电解电压为15～20 V,温度为-10～0℃,搅拌速率大于8m/s。