钠乙烷准分子产生钠D_2线荧光寿命的实验研究

准分子宽带抽运钠金属激光器具有实现钠信标光源的潜质,该激光器在运转过程中需要借助准分子将钠原子由基态转换为激发态,因此有必要对由准分子解离产生的钠原子激发态荧光寿命开展实验研究。采用不同波长的蓝翼抽运光对不同温度的钠乙烷准分子体系进行激发,分别测量钠D_1线和钠D_2线的荧光寿命。结果表明,3~2P_(3/2)与3~2P_(1/2)能级的荧光寿命明显长于其自然寿命,且激发波长越长,荧光寿命延长得越明显。辐射捕获效应是导致荧光寿命延长的另一个因素。随着泵浦单光子能量下降,钠乙烷准分子被激发到A~2Π_(3/2)态的概率变大,能够长时间产生激发态钠原子,这也会使荧光寿命延长。与钠D_1线相比,钠乙烷准分子体系钠D_2线的放大自发辐射信号的可放大性更好。更好的可放大性以及较长的荧光寿命使得钠D_2线激光更易于实现。     

~4F_(3/2)→~4I_(11/2)和~4F_(3/2)→~4I_(13/2)跃迁的掺Nd~(3 )铍酸镧晶体的生长、光谱和激光性能

在77K和300K下对a、b、c三个结晶取向La_2Be_2O_5晶体中Nd~(3 )的~4F_(3/2)→~4I_(11/2)主跃迁和~4F_(3/2)→~4I_(13/2)次跃迁多重态间荧光强度各向异性进行了详细研究。对~4F_(3/2)→~4I_(11/2,13/2)频道测定了主光谱特性的取向值,包括斯塔克荧光分支比β_(ij)~(or),跃迁峰值和有效截面(σ_(e、ij)~(or)和σ_e~(off))以及在此跃迁波长下激发的受激发射。在77～300K温度范围内,对~4F_(3/2)→~4I_(11/2)跃迁频道研究了(F‖C) La_2Be_2O_5:Nd~(3 )晶体激光谱线的温度特性。在液氮温度范围内观察到了1.0694和1.0785微米激光谱线的再转换。根据光谱研究解释了这种效应。重新找到La_2Be_2O_5晶体中Nd~(3 )离子的斯塔克能级的能量并核对了所有激发激光谱线。对La_2Be_2O_5中Pr~(3 )离子的光谱性能进行了初步分析,并确定了多重态晶场分裂图,其能级间的跃迁符合La_2Be_2O_5晶体的光学透明带。     

基态和亚稳态Ba原子与Cl_2、_2分子束反应化学发光研究

我们利用交叉分子束实验装置,在单次碰撞条件下研究了产生电子态化学发光的Ba+Cl_2、I_2反应。在基态Ba原子反应情况下,我们得到了BaCl_2电子激发态波长在4000—6000范围的连续辐射谱,以及BaCl电子激发态A~2Π,B~2∑、C~2Π→X~2∑~+的辐射谱。实验发现,亚稳态Ba原子与基态Ba原子不同,它和Cl_2反应不产生BaCl_2电子激发态的连续辐射,却增加BaCl电子激发态的辐射,特别是BaCl(C~2Π)态的辐射。用电子跳跃模型计算得到:亚稳态Ba原子产生BaCl(C~2Π)态的光子产率较基态Ba原子大近三个数量级。实验还得到Ba(~3D)+I_2反应产生的Bal(C~2Π_(3/2)-X~2∑~+)△v=0辐射带高分辨光谱,从中计算得到BaI(C~2Π_(3/2))态具有非热振动布居,近似有双模振动布居,使人设想这个反应具有比一个更多的反应机理。     

POCl_3-Z Cl_4-Nd(CF_3COO)_3和POCl_3-SnCl_4-Nd~(3 )激光液体的光谱参数

用光谱法求得POCl_3-ZrCl_4-Nd(CF_3COO)_3和POCl-SnCl_4-Nd~(3 )两种激光液体的Judd-Ofelt强度参数愿Ω_2、Ω_4、Ω_6分别为1.71、4.09、6.37和1.90、5.14、6.86(×10~(-20)厘米~2),从而计算了Nd~(3 )离子的~4F_(3/2)→~4I_J的辐射跃迁几率、荧光分支比、辐射寿命、辐射量子效率和~4F_3/2→~4I_(11/2)的诱导发射截面σ_p(分别为5.15×10~(-20)和5.69×10~(-20)厘米~2)。计算值与实验值符合较好。     

Nd:YVO_4晶体π和σ偏振激光的实现及性能研究

利用偏振分束器(PBS)选择性地实现a轴切割Nd:YVO_4晶体π和σ偏振的激光输出的实验研究。四方晶系Nd:YVO_4晶体偏振荧光光谱的差异,导致了输出π和σ偏振激光的性能差别。实验中利用PBS的反射光束主动选偏,结合激光晶体沿通光方向旋转,分别对a轴切割Nd:YVO_4晶体的~4F_(3/2)～~4I_(11/2)和~4F_(3/2)～~4I_(13/2)能级跃迁的偏振激光性能进行测试。在11 W的入射抽运功率下,基于~4F_(3/2)～~4I_(11/2)能级跃迁分别获得了5.5 W的π偏振1064.3nm激光输出和4.4 W的σ偏振1066.7nm激光输出;基于~4F_(3/2)～~4I_(13/2)能级跃迁分别获得了2.9 W的π偏振激光输出和1.6 W的σ偏振激光输出,但波长均为1341.8nm。实验结果表明:a轴切割Nd:YVO_4晶体的π偏振激光输出有更高的转换效率,而σ偏振激光输出则有更长的激光谱线。     

用Judd-Ofelt理论计算Nd~(3+)离子在LaMgAl_(11)0_(10)单晶中的光谱参数

本文根据Judd-Ofelt理论,利用LaMgAl_(11)O_(19)单晶中Nd~(3+)离子的7个收光谱支项和~4F_(3/2)→~4I_(9/2,11/2,13/2)的三个荧光带计算了谱线强度,振强度,强度参量Ω_(2,4,6),电偶极子跃迁几率及荧光分支比等光谱参数。     

~(127)I_2饱和吸收稳定612nm He-Ne激光器调制频移的实验测量与分析

本文测量了~(127)I_2饱和吸收稳定612nm He-Ne激光器的调制频移,给出了612nmHe-Ne/I_2激光器稳定在~(127)I_2X~1∑_9~+→B~3∏_(ou)~+、R(47)9-2的r、q、p、o、n各条超精细饱和吸收谱线时的调制频移。实验结果表明,对三次谐波稳定的612nm He-Ne/I_2激光器稳定在r、q、p、o、n各线上时的调制频移(大小和方向)是不同的;分析表明各超精细~(127)I_2吸收线处于Lamb凹陷不同背景位置时,调制频移的方向是不同的,但是Lamb凹陷引起的调制频移方向     

JSM—T_(300)扫描电镜物镜电路分析

扫描电镜的物焦镜距与加速电压和物镜电流有关。扫描电镜要求物镜电流具有较大的变化范围。T_300扫描电镜物镜电路如图所示。IC8为D/A转换器。波段开关S_3、二极管矩阵电路(D_10～D_27)、R_52～R_60、R_B_(23)组成了二进制码编码电路,为D/A转换器提供八位二进制码。D_8、R_(50)、IC9_1组成的电路为D/A转换器提供参考模拟电压V_REF。D_8(IS2192)的稳压值为8.2V,即A点的电压为8.2V。电压跟随器IC9_1输出的电压V_B=V_REF=V_A=8.2V。D/A转换器的输出电压Vout=-(V_REF/R_49)·R_51(A_8/2~1+A_7/2~2+A_6/2~3+A_5/2~4+A_4/2~5+A_3/2~6+A_2/2~7+A_1/2~8)。若当S_3的刀与第一掷相接时,D_10导通,D_11～D_27均不导通,D/A转换器的数字输入端A_8=0,A_7～A_1,均为1。因此D/A转换器的输出电压Vout=4V。D/A转换器的输入状态和输出电压与S_3对应关系如表1所示。从中可看到D/A转换器的输出电压范围为-4～-8.1V。D/A转换     

Er:YAG ~4I_(11/2)-~4I_(13/2)激光跃迁的动力学过程研究

Er:YAG中Er~(3+)离子的~41_(11/2)—~4I_(13/2)跃迁产生的受激辐射振荡能发射2.938μm激光,它能被生物细胞组织中的水有效地吸收,因而这种激光可发展成很理想的医用激光器。对Er~(3+)的~4I_(111/2)—~4I_(3/2)跃迁形成的激光振荡过程的动力学问题进行研究,将有助于提高Er:YAG晶体的生长技术和质量,改善Er:YAG激光器的性能。     

碲镉汞的复合机理

一、引言理论上证明,在任何温度下,红外量子探测器的最大D_λ~*由下式给出:D_(λ(最大))~=ηλ/2hc(A/gth)~(1/2)(1)这里D_λ~*——光谱探测度 A——吸收电子流的探测器面积     

金属簇合物cis-Cp*2MO2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2

应用脉宽为4.5 ns,波长为532 nm的激光脉冲,用Z-扫描方法研究了金属簇合物cis-Cp*2Mo2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2溶液的非线性特性.研究结果表明非线性折射主要来源于三阶光学非线性折射和非线性吸收引起的瞬态热致非线性折射.     

SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2-ErF3玻璃陶瓷的显微结构

氟氧化物玻璃陶瓷综合了传统激光晶体和激光玻璃的优点，是近年来激光材料研究的新热点。我们制备了掺杂Er离子的SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2玻璃陶瓷材料，并对其显微结构进行了初步研究。     

Reactive sintering of Bi2Sr2CaCu2Ox superconductors

Three phase assemblages were used to produce Bi₂Sr₂CaCu₂O_x (2212) during sintering: a mixture of 20% Ca-rich 2212+80%2212, partially synthesized 2212, and Bi₂Sr₂CuO_x (2201)+(1/2 Ca₂ CuO₃+1/2 CuO) (denoted 0011). The mixture of 2201+0011 produced highly pure 2212 within 50 h of heating in air at ≈850°C. Ag tubes were filled with a mixture of 2201+0011 and worked into tapes by a powder-in-tube process. Heat treatments produced microstructures consisting of small, highly textured 2212 grains. T_c values were ≈70K. Transport J_c values at 4.2K were ≈10⁴ A/cm².     

基于TEOS-O2-N2淀积SiO2工艺研究

采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用.主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试.通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果.     

(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究

研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i 对 Sn4 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2 O5晶界缺陷势垒模型     

Thermoelectric Properties of TlCu3Te2 and TlCu2Te2

We performed thermoelectric characterizations on TlCu₃Te₂: (Tl¹⁺)(Cu¹⁺)₃ (Te²⁻)₂ and TlCu₂Te₂: (Tl¹⁺)(Tl³⁺)(Cu¹⁺)₄(Te²⁻)₄, in order to understand the relationship between the thermoelectric properties (especially the lattice thermal conductivity κ _lat) and the valence states of Tl. The thermal conductivity of TlCu₂Te₂ is high (about 8 W m⁻¹ K⁻¹), while that of TlCu₃Te₂ is extremely low (around 0.5 W m⁻¹ K⁻¹) like other thallium tellurides. This high κ of TlCu₂Te₂ was caused not only by its large electronic contribution but also by its intrinsically high κ _lat. The present study implies that the valence states of Tl would play some important roles in determining the magnitude of κ _lat.     

氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性

对氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H2-O2合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比常规氧化、H2-O2合成氧化和氮化H2-O2合成氧化三种方式及不同退火条件,得出氮化H2-O2合成氧化方法抗辐照性能最佳,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H2-O2合成栅的抗辐照机理进行了研究.     

环Ｆ2+uＦ2上长为2e的循环码

近十多年来,有限环上的循环码一直是编码研究者所关心的热点问题,本文证明了R[x]/＜xn-1＞不是主理想环,其中R=F2 uF2,u2=0且n=2e.分3种情形讨论了环R[x]/＜xn-1＞中的非零理想,并给出了R上循环码的可以唯一确定的生成元的表达形式,同时给出了R上循环码的李距离的一个上界估计.