日本在ZnO基板上生成无极性GaN晶体

日本东京大学、神奈川科学技术学院和三菱化学公司的研究小组将ZnO基板的无极性面作为生长面，生成了无极性GaN晶体。如果在晶体质量较高的无极性QIN晶体上制成发光层为InGaN的蓝色LED，就有可能制成外部量子效率超过50％的高效LED。并有望制成迄今为止非常难制作的以InGaN为活性层的绿色、红色和红外LED。[第一段]     

单晶硅型太阳能电池转换效率达到15．9％

大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色LED元件。利用GaN系半导体的蓝色LED元件及绿色LED元件现已达到实用水平,但试制出红色LED元件“还是全球首次”（藤原）。如果可与蓝色LED元件及绿色LED元件一样,利用GaN系半导体制造出红色LED元件,便可在相同底板内实现RGB的3原色。     

日本NIMS试制白色LED

日本物质材料研究机构（NIMS）纳米陶瓷中心成功试制出适用于液晶显示器背光源的白色LED。目前使用的部分背光源用LED是蓝色LED和黄色光合成的白色，因此只能发不自然的蓝白色光。NIMS利用以前开发的材料技术（红、绿荧光体）与蓝色LED组合，试制成功由红、绿、蓝三原色构成的白色LED。由于三原色以外的成分较少，与滤色器组合可获得纯度较高的三原色，并可提高液晶显示器颜色的再现范围。     

铝合金表面蓝色微弧氧化陶瓷膜的制备及性能研究

采用微弧氧化技术在5052铝合金表面制备蓝色陶瓷膜,研究Co(OH)_2着色剂浓度和微弧氧化电压对蓝色陶瓷膜组织结构和腐蚀性能的影响规律。采用光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射研究蓝色陶瓷膜层的宏观形貌、微观组织和相结构,采用电化学工作站测试陶瓷层在3.5%(质量分数)NaCl溶液中的电化学腐蚀性能。研究结果表明,蓝色微弧氧化陶瓷层主要由γ-Al_2O_3组成,提高Co(OH)_2浓度或者氧化电压,膜层颜色由浅向深演变,当浓度增至3.0g/L后膜层蓝色不再加深,同时膜层表面逐渐封闭,致密性提高。在140V氧化电压下,添加1.0g/L Co(OH)_2所制备的蓝色膜层具有最好的耐腐蚀性能。蓝色膜具有颜色艳丽、装饰性好等优势,相信该蓝色微弧氧化膜技术在建筑材料和仪器仪表行业将会有广阔的应用前景。     

基于氮化铟的太阳能电池前景光明

Magnolia光学技术公司正在与Kopin公司的Roger Welser博士合作,为美国国家航空航天局（NASA）和国防应用开发基于氮化铟量子点太阳能电池。     

彩色PDP用蓝色荧光粉体的纳米化工艺研究

介绍了一种彩色PDP用蓝色荧光粉体的纳米化工艺，通过此方法，可以制备出比传统的PDP蓝色荧光粉体发光效率更高的纳米级蓝色荧光粉体，同时有效的降低了制备过程的烧结温度。制备的蓝色荧光粉体完全适用于PDP显示设备中。另外，纳米化的小颗粒也为进一步的表面包覆以防止衰减奠定了基础。     

日本开发出以氧化锌取代铟制造液晶面板的技术

据海外媒体报道,日本高知工科大学与三菱Gas化学公司,开发出以氧化锌取代稀有金属铟的技术。截至目前为止,该大学已经确立了取代75%铟的技术,剩下的25%替代技术也有了眉目。     

纳米晶氮化钒可储存更多能量

卡内基．米伦大学开发出一种纳米晶氮化钒，据说它更便宜、更稳定，而且对一系列工业或便携式消费电子产品可提供更高质量的储能技术。     

日本开发出以氧化锌取代铟制造液晶面板的技术

据海外媒体报道,日本高知工科大学与三菱Gas化学公司,开发出以氧化锌取代稀有金属铟,制造液晶面板的技术。截至目前为止,该大学已经确立了取代75%铟的技术,剩下的25%替代技术也有了眉目。     

在低温下生长氮化镓薄膜

美国洛斯阿拉莫斯国家实验室的一研究小组开发出一种在低温下生长晶体氮化镓薄膜的方法。这种方法淘汰了限制衬底材料的高温和反应环境，可以极大提高氮化镓薄膜在光电器件中的应用，如蓝色发光二极管和激光二极管、高密度光学存储设备、平板显示器和固体照明设备。     

日本研制出超导发光二极管

日本北海道大学末宗几夫教授领导的研究小组成功开发出实现“量子通信”必不可少的超导发光二极管。 研究小组在光纤通信采用的1．6μm波长的LED上增加超导电极，将超导和光通信技术结合起来，对比发现，新型超导技术LED的发光强度是目前最亮LED的20倍。     

电子材料

广东建全国最大液晶平板基地，日本计划开发下一代半导体基片，日亚白光LED芯片光效有新突破，三井金属开发出事先混合好的白色荧光体，Avago公司推出超亮发光二极管     

锌酸盐镀锌层三价铬蓝色钝化工艺研究

以钝化膜外观和中性盐雾试验(NSS)为评价标准,通过正交试验,优选出了适用于常温操作的锌酸盐镀锌层三价铬蓝色钝化液.配方及工艺参数:0.090 mol/L CrCl3,0.200 mol/L NaNO3,0.010 mol/L Co(NO3)2,14 g/L γ-氨丙基三乙氧基硅烷,0.090 mol/L有机羧酸CX,钝化液pH=1.4,钝化温度29℃,钝化时间30 s.最佳钝化工艺下得到的钝化膜蓝色均匀,表面结构致密,可通过中性盐雾试验(NSS)72 h.     

日开发出3倍能源密度的电双层电容器

东京农工大学研究生学院开发出了单位体积能源密度为20Wh／1的电双层电容器“纳米混合电容器”。能源密度约为现有电双层电容器（EDLC）的3倍。如果实用化的话，有望作为再生能源的蓄电装置和混合动力车等的再生装置使用。正极采用与原EDLC相同的活性炭，     

山东半岛蓝色体育旅游资源开发现状与发展对策研究

本文以半岛蓝色体育旅游资源为研究对象,分析其开发优势和开发现状,并提出相应的发展对策,以期对半岛蓝色体育旅游产业提供一定的理论依据。     

几种难熔过渡金属的激光氮化

多脉冲激光辐射使置于氮气氛中的难熔过渡金属钛、钼和表面氮化，形成和组织致密的氮化层，用多种方法分析和表征了氮化层的化学成分和组织结构，激光的作用使得金属表面熔化和氮气激活，导致液相氮化反应，激光引起的加热熔化和激波效应同时使表层组织致密。     

铝沉积还原制备蓝色二氧化钛

在光催化研究中, 提高光催化剂的催化效率, 降低催化剂成本吸引了广泛的研究兴趣。本研究通过铝沉积还原方法制备出表面铝原子修饰的蓝色二氧化钛。该蓝色二氧化钛具有一种独特的核壳结构, 纳米颗粒内部为结晶核, 外部为含有大量氧空位和一定量沉积铝原子的非晶层。在模拟太阳光照射下, 该蓝色二氧化钛表现出优异的光催化污染物降解和光电化学性能。在高真空条件下, 当蒸发的金属铝原子沉积在二氧化钛纳米颗粒上时, 可以进一步将Ti⁴⁺还原成Ti³⁺, 使得催化剂表面含有大量的氧空位等表面缺陷。此外, 适量的铝沉积在催化剂表面成为光生载流子阱, 促进光生载流子的分离和输运, 从而使得样品光催化活性增强。当沉积适量Al时, 样品TiO₂-Al_0.36表现出最为优异的光催化污染物降解性能, 在8 min内就可将甲基橙溶液完全降解, 且其光电流(1.47 mA·cm^-2)是本征二氧化钛(0.17 mA·cm^-2)的8倍以上, 展现出优异的光电化学性能。     

铀表面脉冲辉光等离子氮化初步研究

采用脉冲辉光等离子体离子氮化技术对贫铀表面进行了氮化处理,采用俄歇电子能谱(AES)对氮化层进行元素深度剖析,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对氮化层组织结构进行了分析表征。结果表明:脉冲偏压-900 V,工作氮分压50 Pa、100 Pa,氮化时间2.5 h~4 h下在贫铀表面能获得约20μm厚的氮化层,氮化层为U2N3的单一立方结构且均匀致密,脉冲辉光等离子氮化技术能在贫铀表面实现氮化。     

基于双蓝光有源区激发YAG:Ce荧光粉的高显色性白光LED

在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p-AlGaN电子阻挡层和反对称n-AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/GaN混合多量子阱发光二极管(LED)。结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,这种n-AlGaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性和减少电子溢出,并减弱双蓝光发射光谱对电流的依赖性。此外,基于这种双蓝光波长发射的芯片与YAG:Ce荧光粉封装成白光LED能实现高显色性的白光发射,在20 mA电流驱动下,6500 K色温时显色指数达到91,而基于单蓝光芯片的白光LED显色指数只有75。     

用声发射研究氮化层的脆性

声发射技术对于检测氮化层的脆性具有明显的优越性。它可以在零件或试样受力状态下确定氮化层断裂的开裂点,如果与力学性能试验配合,可以计算出氮化层开裂以前试样吸收的能量和氮化层的断裂强度,从而可以衡量不同材料或不同氮化工艺的氮化层的脆性,有利于优选材料和热处理工艺。本工作的目的是利用声发射技术确定氮化层的开裂点、断裂强度和弯曲韧性,评价氮化层的脆性,比较三种材料氮化层的脆性和选择最佳的氮化工艺。