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任何两个导电体相联接,其相接触处即存在有接触电阻,因在接触处真正导电截面有所减少,比同样尺寸的整块导体电阻要大些,这增加的电阻叫过渡电阻,也就是接触电阻,其产生的原因经分析认为系由两种情况所产生的电阻组成,即收缩电阻与表面膜电阻;通常接触面表面是粗糙不平的,只有少数的接触点在机械压力下,部份氧化膜挤破,才是金属的直接接触,形成传导电流的许许多多的微小导电斑点,电流集中通过导电斑点时,电流线必然发生收缩,使流经路 相似文献
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为准确判断气体绝缘组合电器(GIS)内触头的接触状态,避免传统诊断方法只能依据管理值判断GIS触头接触状态的局限性,选取3种典型GIS导电连接件为研究对象,研究了不同幅值电流对接触电阻测量的影响,以及不同接触状态对接触电阻测量的影响,提出了一种评估GIS触头电接触状态的新方法。研究结果表明:当触头在不同接触状态时,流过不同幅值的电流,接触电阻会发生不同程度的收缩变化。因此,提出利用接触电阻随着试验电流增长的变化率,来判断触头的接触状态。通过对某500 kV变电站内GIS设备的现场试验表明,该评估方法能够在未知设备管理值的情况下对GIS触头接触状态进行精确的评估。 相似文献
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《高压电器》2017,(3):51-56
大电流真空开断的电弧过程主要由阳极现象,特别是阳极斑点现象所支配。真空电弧阳极斑点形成制约着真空开断的成功与否,其中原因为阳极斑点形成过程伴随着阳极表面加热、熔化甚至蒸发,对阳极热特征产生至关重要的影响,并决定了弧后介质恢复过程。由此文中展开了真空电弧阳极斑点出现后电流过零时刻阳极表面温度的研究。实验测量结果表明阳极斑点形成后零时刻阳极表面温度T0anode并不随电弧电流Iarc、分闸速度v的改变发生显著变化,而是趋向于一个稳定的范围,触头材料为CuCr25时该温度范围为1 600~1 800 K,但外施纵向磁场BAMF则有利于T0anode的波动范围减小。同时,实验测量发现不同触头材料下阳极斑点形成后电流过零时刻阳极表面温度T0anode的稳定范围不同,Cu、CuCr50时T0anode范围分别为18 00~1 900 K和1 700~1 800 K。 相似文献
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高压断路器接触电阻的耦合面积法分析 总被引:1,自引:0,他引:1
高压断路器触头部位因电接触现象而产生的热量是热分析中的关键问题。然而,作为一种传统并常用的接触电阻模型,导电桥结构在模拟电接触时参数的准确获取存在一定困难,且不易使用在高压断路器复杂的多触指结构中,因此笔者提出了一种新的接触电阻建模处理方法。新方法不再建立类似于导电桥的宏观几何结构,而是将两侧接触面上的部分面积耦合在一起,使得电流仅可以从耦合面内流过,通过控制耦合面积值即可实现电流收缩效果,模拟出适当的接触电阻值。在此基础上,笔者通过仿真结果与实际值的对比及进一步研究,证明了接触面积耦合法的有效性,对今后高压断路器触头模型的处理具有一定的参考意义。 相似文献
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提高低电压(50赫,100~1000伏)大电流开关的可靠性,首先要提高其电寿命,即减少触头的磨损。触头寿命除受电弧、分断参数和触头材料的影响之外,还受触头材料迁移的影响。对于交流接触器,触头材料的迁移一般没有明确的方向,因为阳极和阴极是交替变化的。在电弧斑点处,触头金属熔化、蒸发并进入触头之间,在电弧熄灭时,一部分金属蒸汽和金属微粒又重新沉积到触头表面。如果沉积的金属是紧紧地粘在触头表面上,那么在以后分断时,它还是一种有用的材料。 相似文献
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本文介绍了多种 W/Ag 和 WC/Ag 触头材料的电性能,试验电流峰值为60~1800安。试验指出接触电阻与分断电流和触头尺寸有密切关系。在分断小电流时由于形成半导体膜而产生高的接触电阻,在分断大电流时,则有低的金属性接触电阻。接触电阻的减小对应着大的电磨损。在小电流时 W/Ag和 WC/Ag 的电磨损率没有显著差别,而在大电流时,WC/Ag 的电磨损率小于 W/Ag 的电磨损率。 相似文献
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在真空电弧中出现阳极斑点现象对真空开关来说是一个不祥之兆,往往会使触头严重熔化,并且会产生过量的金属蒸气。当用真空开关开断工频交流电路时,这些过量的金属蒸气还会在触头间于电流过零后持续一段时间,它将使介质恢复的速度降低,从而可能使真空开关开断失败。下面分析出现阳极斑点现象的有关问题。 相似文献
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导电接触面基本上确定了BGA和LGA插座的寿命接触电阻,对导电聚合物阵列组合球来说,只是在配合表面发生物理接触时,其导电微粒才会产生电接触,由于环境污染,电接触面可能会形成电阻较高的锈蚀薄膜,这些绝缘膜侵入接触面将会导致接触电阻的升高。BGA和LGA插座接触表面的腐蚀或氧化过程的典型特征是在非接触面首先发生腐蚀或氧化,然后进入接触面,电接触件的失效可以定义为电接触面积减小,致使电流不在设计规范值内通过,根据扩散和电接触基础理论,我们建立了一种动态方法,它表明BGA和LGA插座寿命接触电阻特性不仅取决于接触材料和工作环境,也取决于所施加的机械接触力和接触面之间的电压降。 相似文献
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《高压电器》2017,(3):69-75
文中针对一种126 kV真空灭弧室3/4匝线圈型纵磁触头,采用电磁仿真分析及拉弧试验方式对其磁场特性及真空电弧形态进行研究。选择3种触头片开槽位置以及3种触头电流连通位置、有无导流排结构,共8种结构进行磁场强度与分布、触头回路电阻的对比,选择当触头电流连通位置对应时,触头片开槽位置在左侧(结构2)与开槽位置在右侧(结构3)的无导流排及有导流排的两种结构进行电弧试验,试验电流为40 k A(rms),燃弧时间为9 ms。分析及试验结果表明,当开槽位置在右边,磁场强度较强且均匀,真空电弧扩散态模式持续时间较。在第2个电流半波峰值时,有导流排的结构的触头之间的电弧集聚更强烈,阳极射流开始形成至阴极区域,真空电弧处于阳极斑点模式。通过对8种触头结构进行分析比较,126 kV真空灭弧室3/4匝线圈型触头选择触头结构3,触头电流连通位置对应,开槽位置在右,无导流排。 相似文献
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3真空灭弧室触头结构3.1真空灭弧室设计 触头结构的设计和电极材料的选择是真空灭弧室设计的关键。早期进行研究使用的是圆盘状触头,电极为简单的圆柱形,又称平板对接式电极。在开断电流小于10kA时,真空电弧为扩散型电弧。当开断电流达到一定数值后(随电极材料而异),电弧则呈收缩状并在电极边缘表面出现滞留的阳极斑点, 相似文献
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触头开断过程中会产生电弧,从而导致触头表面被侵蚀,影响其电接触性能。由于直流供电系统不存在自然过零点,致使直流接触器触头受电弧侵蚀影响比交流接触器更加严重。为了研究电弧对触头的侵蚀作用,基于磁流体动力学理论,考虑电弧与触头之间的能量耦合,建立电弧-触头动态耦合模型,研究了电流等级和分断速度对触头电弧侵蚀特性的影响。仿真结果表明:近阳极区电弧温度高于近阴极区电弧温度;电流等级由20 A提高到30 A时,电弧温度和燃弧时间显著提高,燃弧能量增加75.93%,使得触头侵蚀更加严重;触头分断速度由0.1 m/s增加到0.2 m/s时,电压电流的变化率提高,燃弧时间和熔池体积减小,燃弧能量减少47.83%,电弧对触头的侵蚀作用降低。实验结果与仿真相吻合,验证了仿真模型的正确性。 相似文献
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1测量断路器导电回路电阻的意义断路器导电回路的电阻主要取决于断路器动。静触头间的接触电阻,接触电阻的大小与断路器触头表面氧化程度、触头间残存机械杂物和碳化物的多少,触头接触压力的大小以及触头有效接触面积大小有关。接触电阻的大小直接影响到断路器通过额定工作电流的温升以及短路状态下的遮断能力。长期工作的断路器触头表面受到化学的或电化学的腐蚀,接触电阻会逐渐变大,通以较大工作电流时,触头部位的发热量增加,造成温升过高,严重时波及触头弹簧永久变形,造成触头压力减少,接触电阻进一步变大的恶性循环,以致烧坏… 相似文献
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一、接触故障的非对称性促成低压电器触头熔焊的关键是触头温度,而触头温度和触头压降有一定的比例关系,因此以触头压降为鉴别标志是防止触头熔焊的有效方法。导致触头熔化的主要原因是触头电弧、接触电阻过大以及大电流等。对于大电流可以用过流保护和短路保护来解决;而防止触头电弧和接触电阻过大引起熔焊的保护装置,最近经中国专利局计算机检索各国专利,尚无这方面的记载。由于触头电弧压降和接触电阻过大是三相严重不对称的,所以可以用非对称性来检测触头的熔化电压。 相似文献
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银-碳化钨电触头是用粉末冶金法制造成份为银40-70%,碳化钨余量,因为碳化钨比钨难氧化,比银-钨触头接触电阻增加少,而且分断特性好,温升低,广泛应用于大电流分断配电线路的断路器中。但是银-碳化钨触头材料,由于在通断时发生电弧,产生了钨的氧化物,难免使接触电 相似文献
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在高低压分合(开关)电器中,总是由若干电接触连接组成导电回路。电接触连接产生接触电阻,整个回路构成回路电阻,如果电阻值过高将影响导电回路的温升及触头正常工作。 相似文献