范德堡多晶硅热导率的测试结构

在O.M.Paul等研究的范德堡热导率测试结构的基础上,提出了一种改进结构,利用一组测试结构来测得多晶硅薄膜的热导率。在十字型结构中一个含有多晶硅薄膜,而另一个不含有多晶硅薄膜,根据建立的热学模型,可以获取多晶硅薄膜的热导率。用有限元分析软件ANSYS进行了模拟分析,分析表明模拟值与实验值能较好地吻合,且辐射散热是基本可以忽略的,从而验证了模型建立的正确性,说明该方法能够实现对多晶硅薄膜的测量,且具有较高的测试精确度。     

应用于毫米波前端系统的超宽带垂直互连结构

本文针对LTCC 毫米波多层前端系统的垂直互连过渡结构进行研究。微带线到带状线的 垂直过渡结构广泛应用于LTCC 多层前端系统,其性能对于整个射频系统有重要影响。本文利用 HFSS 三维电磁场仿真软件建立了过渡结构的物理模型,并且完成了实物加工和测试工作。测试结 果和仿真结果较为吻合,在0-40GHz 频段范围内,微带线到带状线背靠背过渡结构的回波损耗均 低于-14dB,插入损耗均优于-0.8dB。上述结果表明,该过渡结构具有良好的宽带传输特性,可以 应用于LTCC 多层射频前端系统。     

新型的AlGaN/PZT材料紫外/红外双波段探测器

提出了一种可以同时同位置探测紫外和红外信号的新型探测结构,分析了该结构的合理性,并对器件工艺进行了设计、分析和验证,制备出了AlGaN/PZT原型器件.该结构以AlGaN多层材料和PZT复合薄膜为基础,利用AlGaN宽禁带半导体的本征吸收和铁电薄膜的热电转化功能,实现对紫外和红外信号的电学响应.对该结构中各膜层的透射和吸收进行了测试和分析,在小于6 μm的光谱测试范围内,宝石衬底的透过率约为80%,而AlGaN多层外延结构和多孔SiO2隔离层都对红外光吸收很少.结果证明:该结构可以实现不同吸收层对入射光束不同波段的吸收.以AlGaN器件工艺和溶胶-凝胶法制备PZT膜层为基础,研究了器件工艺,并最终研制出了首个AlGaN/PZT探测器件.     

基于多尺度等效模型的SiP热分析及散热优化

针对系统级封装(System in Package,SiP)中多尺度复杂结构的热仿真效率等问题,采用热阻网络等效热导率方法,推导得到等效热导率模型.与精确SiP模型相比,等效模型的仿真效率提高了58％,同时保证了仿真精度,两者之间误差为7.6％.对等效SiP模型进行散热优化设计,分析带散热器的自然对流、带散热器的强迫风...     

一种雷达网多层并行检测系统性能分析木

根据多传感器多层并行检测结构理论,结合传统雷达网系统的检测方式,提出一种更加贴近部队现有装备部署的有源地基区域性雷达网系统检测结构,并对该系统结构的检测性能和可靠性进行了分析.给出了该系统的加权融合算法,通过仿真对该系统结构的检测性能进行了对比分析,结果表明该系统结构继承了多层并行检测结构的特点,同时较之传统雷达网检测结构,检测性能有了较大提高.     

多层圆片级堆叠THz硅微波导结构的制作

基于微电子机械系统(MEMS)工艺,提出一种多层圆片堆叠的THz硅微波导结构及其制作方法。为了验证该结构在制作THz无源器件中的优势,基于6层圆片堆叠的硅微波导结构,设计了一种中心频率365 GHz、带宽80 GHz的功率分配/合成结构,并对其进行了仿真。研究了制作该结构的工艺流程,攻克了工艺过程中的关键技术,包括硅深槽刻蚀技术和多层热压键合技术,并给出了工艺结果。最终实现了多层圆片堆叠功率分配/合成结构的工艺制作和测试。测试结果表明,尽管样品的插入损耗较仿真值增加3 dB左右,考虑到加工误差和夹具损耗等情况,样品主要技术指标与设计值较为一致。     

一种基于LTCC技术毫米波垂直互连过渡结构设计

为了实现微波毫米波多芯片组件的多层立体高集成度设计,提出Ka波段LTCC(Low Temperature Co-Fired Ce-ramic)微带到带状线穿透两层接地导体的正反向过渡结构.该结构采用类同轴和“水滴”匹配的方法,结合高频电磁软件仿真及测试实验,结果表明,该14层LTCC结构能实现良好传输的最高频率可达36 GHz,可实现Ka波段毫米波微带到内层带状线的灵活过渡.     

在线检测多晶硅薄膜热导率测试结构的设计与模拟

提出了一种在线测试表面加工多晶硅薄膜热导率的结构,推导了热学模型,给出了测试方法,用ANSYS验证了热学模型.该方法避免了测试结构放置在真空中的缺点,有望在工艺线上得到应用.     

一种低损耗毫米波垂直互联设计

设计了一种利用球栅阵列(BGA)的毫米波垂直互联,解决了毫米波系统三维(3D)集成时层间信号互联的低损耗传输问题.根据传输线理论,利用电磁仿真软件对这种采用BGA的垂直互联进行了仿真,并对层间通孔半径、焊球半径、焊盘半径等对传输性能的影响进行了分析.样件测试结果显示,在28.4~30.4 GHz,其层间垂直传输损耗小于0.36 dB,反射小于-15 dB.该垂直互联结构简单、性能良好,可广泛用于毫米波微系统3D集成.     

芯片结-环境热阻DOE参数化性能研究

封装材料和技术的选用直接影响芯片的结-环境热阻大小,通过对CQFP-U型集成电路芯片的热阻测试与仿真结果进行对比分析,确保仿真的准确性.采用参数化仿真研究的方法,分析导热胶、热沉的不同材料热导率和不同PCB板尺寸对芯片结-环境热阻的影响.结果表明,PCB板的散热性能对CQFP-U型芯片的结-环境热阻的影响较大,芯片的热...