产生寿命分布的计算机辅助测量

本文建议用脉冲MOS电容器的电容—时间瞬态技术测量产生寿命分布.用计算机辅助测量技术可实现阶跃电压产生,电容—时间瞬态采样读出,数据处理和产生寿命分布测量结果输出全过程的自动化.     

离子注入MOS有效少子产生寿命空间分布的确定

本文讨论了深耗尽MOS电容器的少子产生机构,提出测量有效少子产生寿命空间分布的方法。对低剂量注B的样品进行了测量,结果表明注入层比体内的有效少子产生寿命低,从Si-SiO_2界面到体内,有效少子产生寿命逐渐增大,最后到达注入离子没有穿透的体区,保持一常数。     

适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法

提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提高 ,特别适合于少子产生寿命的计算机辅助测量。     

非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度

本文在分析线性扫描电压下MOS电容的C-t瞬态响应基础上,提出了一种直接由测量得到的非饱和C-t曲线确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法尤其适用于长寿命测量.所测结果与阶跃电压法和饱和电容法相符.     

一种适合于计算机辅助测量的产生寿命确定方法

提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法。通过在MOSC t曲线上读取n个不同时刻的电容值 ,计算出相应的产生寿命值 ,其精度随读取点的增加而提高 ,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统。     

脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征

本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用关以样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子产生寿命信息。本文综合了众多脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的物理模型，分析了不同模型之间的精细差别。     

超快荧光光谱的光谱特性和时间特性的研究

飞秒脉冲激光器和时间分辨率优于 2ps的条纹相机相结合测量超快荧光光谱的光谱特性和时间特性 ,分析了荧光光谱的产生 ,给出了时间分辨荧光光谱的测量 ;实际测量了一种有机光盘存储记录材料偶氮染料掺杂薄膜的时间分辨荧光光谱和荧光寿命。     

电极分离时小电流直流真空电弧的产生及其寿命

本文对电极分离时小电流直流真空电弧的产生过程及其寿命进行了试验、研究。试验中采用铜电极,电弧电流定为小于50A。试验中测量出了在电弧产生过程及燃弧期间电极的电压和电流的波形。测量结果表明：电弧寿命与电弧电流和直流源输出电压有关。可以看出,为了产生电弧,在电极分离时,电极间必须有一个大于某临界值的电压。电弧产生后,电弧电压电一个大约20V的直流电压和一个高频交流电压迭加组成。而电弧电流的同一个直流电流与一个高频交电流合成。在此次试验条件下,电流寿命很短,不到Is,但它会随着电弧电流和电流源输出电压的增大而增大。     

油类产品的激光荧光光谱测量

利用紫外脉冲激光和光电倍增管相结合测量油类产品激光诱导荧光的光谱特性和时间特性，分析了荧光光谱的产生，给出了时间分辨荧光光谱的测量，实际测量了几种油产品的时间分辨荧光的光谱分布和荧光寿命，测得的荧光光谱分布结果和其他方法测量结果相同。     

由MOS电容瞬态技术确定表面层内少子产生寿命的纵向分布

本文分析了现有确定表面层内少子产生寿命分布方法的缺点。根据MOS电容对阶跃电压和线性扫描电压瞬态响应物理过程,导出了两个关于少子寿命纵向分布的表达式。由此提出了两种确定少子产生寿命纵向分布的新方法。对一些样品进行了测量和计算。结果表明,与瞬态电流—电容法(I—C法)相比,瞬态电容法(C—t法)测试简单、精度较高;而饱和电容法(C_(St)法)计算方便。它们均可用来确定硅中少子体产生寿命在表面层内的纵向分布。     

压电陶瓷式执行器的动态特性的改善研究

针对电压陶瓷微位移执行器动态响应慢的问题进行了研究,提出用数字ＰＩＤ方法加以解决,并研制出一套实用控制系统,其中,研制出一种可微机控制的精密高压调节器,与单片机数字系统相配合,形成了一个完整的、数字－模拟电路结合的控制系统,用于实现压电陶瓷微位移器动态性能的改善。实验表明,该控制系统简单、可靠、实用。所提出的ＰＩＤ方法对压电陶瓷微位移执行器的动态特性有明显的改善。     

超长精密摩擦滚子的变形补偿

本文主要介绍了TFT-LCD摩擦设备中超长精密摩擦滚子的变形补偿加工方法。对TFT-LCD摩擦设备的超长精密摩擦滚子进行变形量计算和测量,采用切削补偿的方法可以有效地抵消摩擦滚子因自重产生的挠曲变形,提高摩擦质量。     

可调谐二极管激光吸收光谱技术及其在大气质量监测中的应用

可调谐二极管激光吸收光谱(TDLAS)技术是利用二极管激光器的波长调谐特性,获得被选定的待测气体特征吸收线的吸收光谱,从而对污染气体进行定性或者定量分析.在大气痕量气体和气体泄漏的监测中,为了提高探测的灵敏度,一般会根据具体情况对激光器采取不同的调制技术如波长调制、振幅调制、频率或者位相调制等,同时和长光程吸收池相结合使用,并辅之以各种噪声压缩技术.TDLAS不仅精度较高,选择性强而且响应速度快,已经广泛用于大气中多种痕量气体的检测以及地面的痕量气体和气体泄漏的检测.报道了最近研制的一套可调谐二极管激光吸收光谱检测大气中甲烷浓度的实验装置,这套装置具有灵敏度高、检测限低(ppb量级)、易于集成为便携式痕量气体检测仪等优点,若激光器的调谐波长范围能覆盖1.3～1.8 μm或者在光路中装配几台窄范围可调谐激光器实现波长扫描范围覆盖1.3～1.8μm,则可同时实现对大气中诸多重要痕量气体如CO2、CH4、CO、CH2O、H2S、NH3、HCI、C2H2等的同步监测.     

5．1通路环绕声重发中连续运动声像的模拟

文中探讨了 ５．１通路环绕声重发中连续运动声像的模拟,提出了一种新的信号馈给方法,使系统可产生环绕倾听者的３６０°的运动声像,并通过心理声学实验验证了理论分析。     

新型光纤温度传感器的信号探测终端研究

介绍一种以水银包层光波导作为感温探头的新型光纤温度传感器。它采用的测温方法独特新颖,在２０～１００℃范围的测量精度为０．１℃,理论分析的相对测量精度可达０．０２％。本方案对光电探测终端进行了周密的总体设计,可有效消除测量起始点的外界杂散光的干扰,具有优良的测量重复性,并能实时对采样数据进行计算处理,实现６位数码显示,准确性好,可靠性高。该检测终端同样适用于其他光通信系统中微弱光信号的实时、准确测量     

Pt层对Ni/Si(100)固相反应NiSi薄膜高温稳定性的增强效应

研究了顺次淀积在Si(100)衬底上的Ni/Pt和Pt/Ni的固相硅化反应．研究发现,当1nm Pt作为中间层或覆盖层加入Ni/Si体系中时,延缓了NiSi向NiSi2的转变,相变温度提高．对于这种双层薄膜体系,800℃退火后,XRD测试未检测到NiSi2相存在;850℃退火后的薄膜仍有一些NiSi衍射峰存在．800℃退火后的薄膜呈现较低的电阻率,在23—25μΩ*cm范围．上述薄膜较Ni/Si直接反应生成膜的热稳定性提高了100℃以上．这有利于NiSi薄膜材料在Si基器件制造中的应用．     

一种CCD相机辐射定标的方法

讨论了影响CCD相机辐射测量性能的因素及进行辐射定标所采用的方法。在已建立的实验装置上,对CCD相机进行了辐射定标实验,实验结果证明了所采用的方法,是一种有效的辐射定标方法。     

新一代工业用高功率CO2激光器

本文综合介绍和评述了新一代工业用高功率CO2激光器, 它可以采用高频、射频或微波放电的激励方式。这些激光器的放电功率密度可大于30 W／cm2, 因此其结构紧凑、重量轻, 稳定性和可靠性更能满足工业生产的要求。     

基于VC＋＋6．0的IEEE1394 CCD应用程序开发

为了在并行共聚焦检测系统中获得超分辨率,对系统中的CCD参数进行配置以及对所拍摄的图像进行处理是至关重要的。论文着重讨论了并行共聚焦系统中,IEEE1394总线CCD数字图像数据的采集和传输机制,并借助于GRAB1394类库对CCD参数进行配置,通过在应用程序中构建CDIB类来实现对采集图像的预处理;同时,论文还详细地叙述了应用软件的设计方法以及关键功能的实现。最后．该系统实现了对CCD参数的控制和图像的处理,从而使拍摄的图像能够满足检测系统的要求,为后续系统实现基于共聚焦层析图片的三维建模。完成被测廓形的可视化测量提供了方便。     

无衍射光束在激光三角测量系统中的应用研究

无衍射贝塞耳光束是近年来国内外极为重视的一个新兴研究领域.这种光束同时具有焦深长,中心光斑小的特点.利用这一特点,作者首次提出将其作为入射光束应用于激光三角测量系统,以解决传统激光三角测量系统无法满足大量程与高分辨率测量要求的问题.文中给出了无衍射光束的理论及实现方法.在三角测量物 象位置关系的基础上,设计了无衍射激光三角测量系统及其参数并给出了实验结果.理论分析与实验结果表明,这种新型系统明显优于传统的三角测量系统.