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详细叙述了准分子激光的工作原理和工艺特性，介绍了准分子激光光刻实验及Φ３英寸基片均匀性补偿试验的研制结果。 相似文献
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本文综述了准分子激光光刻的发展,着重讨论准分子激光光刻的优点及其在提高分辨率方面的进展,并讨论了今后的动向。 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》1997,34(12):29-31
30多年来，汞弧光一直是制造集成电路的主要光刻光源。由于某些原因，这种灯对制造下一代半导体芯片并不是最佳的。下一代半导体芯片要求的特征尺寸小于0．25μm。汞弧光发射的光谱很宽，降低了分辨率和限制了关键特征的效果。由于汞孤灯发射的光只有少部分在深紫外、并只有少量深紫外光输到晶片表面，因此需要较长曝光时间，降低了产量。另外，新折射工具上透镜数值孔径（NA）很大，使焦深受到限制，减小了汞孤灯所极供的允许带宽。目前，半导体制造正在配合下一代器件的生产。以汞孤灯为基础的光刻机已开始认真地转向以准分子激光为基础… 相似文献
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光学光刻正在瞄准１５０ ｎ ｍ 及更小尺寸的特征图形。在这种工艺中,计划采用１９３ ｎ ｍ 波长的 Ａｒ Ｆ 准分子激光器和由 Ｆ２ 准分子激光器发射的１５７ ｎ ｍ 波长曝光。在各种用途的激光器制造中, Ｌａｍ ｂｄａ ｐｈｙｓｉｋ 公司已积累了２０ 多年的经验。从实际激光器的效率和耐久性来讲,在性能上的最大突破,就是通过引入金属陶瓷激光管而实现的（ Ｎａｖａ Ｔｕｂｅ Ｔ Ｍ） 。主要介绍了 Ａｒ Ｆ 和 Ｆ２ 准分子激光器光源的进展,祥细地讨论了其性能特征（ 如输出功率、重复速率、带宽） 和用这种激光器进行微光刻的可能性。 相似文献
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193nmArF准分子激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,已成为高技术领域的研究热点。作者从193nm激光光刻的光学系统设计、光学材料、光源、光致抗蚀剂及器件应用等方面综述了深紫外激光光学光刻技术的近期发展及应用。 相似文献
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本文针对无铬掩模方式，从计算机摸拟和实验两个方面，研究了ＫｒＦ准分子激光（λ＝２４８ｎｍ）接触式移相曝光。得到了０．１μｍ的正胶线条。得出了在接触式相干平行光照射下，移相器与基片间距对光刻线条宽窄有很大影响的结论，并通过将移相器直接做在基片上，给出了移相器紧贴基片的可靠方法。 相似文献
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近期光刻用ArF准分子激光技术发展 总被引：1，自引：1，他引：0
193 nm ArF准分子激光光刻技术已广泛应用于90 nm以下节点半导体量产。ArF浸没式也已进入45 nm节点量产阶段。双图形光刻（DPL）技术被业界认为是下一代光刻32 nm节点最具竞争力的技术。利用双图形技术达到32 nm及以下节点已经被诸多设备制造商写入自己的技术发展线路。Cymer公司和Gigaphoton公司为双图形光刻开发了高输出功率、高能量稳定性和具有稳定的窄谱线宽度ArF准分子光源。分析了近期发展用于改进准分子激光性能的关键技术：主振-功率再生放大(MOPRA)结构、主振-功率振荡(MOPO)结构,主动光谱带宽稳定技术,先进的气体管理技术。对光刻用准分子激光光源技术发展趋势进行了简要的讨论。 相似文献
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朝微电子学中高密度电路方向所作的努力，增长了人们对要求以高生产率生产精细分辨图型的各种各样高分辨光刻技术的兴趣。短波能改善分辨率，但需要进一步发展深紫外材料和工艺。 相似文献
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半导体国片的尺寸已从150mm扩大到200乃至300mm。圆片尺寸的扩大无疑会提高芯片的产量。但要想达到这一目标,还需要解决一些相关的问题。 例如,当前有必要开发可用于制造0.25至0.30μm器件的KrF准分子激光器光刻技术。批量生产16兆位的DRAM采用了i线光刻技术。然而生产256兆位和集成度更高的器 相似文献
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0.1μm线宽主流光刻设备—193nm(ArF)准分子激光光刻 总被引：2，自引：0，他引：2
阐述了可实现 0 1μm线宽器件加工的几种候选光刻技术 ,对 193nm(ArF)准分子激光光刻技术作了较为详细的论述 ,指出其在 0 1μm技术段的重要作用 ,并提出了研制 193nm(ArF)光刻设备的一些设想。 相似文献
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准分子激光刻蚀光纤布拉格光栅 总被引：1，自引：0，他引：1
准分子激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术，而近年来基于准分子紫外光源制作光纤布拉格光栅元件(FBG)的技术日益成为国内外的研究热点．本文简述了准分子激光光刻的研究现状和光纤布拉格光栅的应用，详细介绍了利用紫外激光制作FBG的技术和相应准分子激光光源关键技术的发展． 相似文献
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