热分解法制备三水碳酸镁晶须及其结晶动力学研究

利用菱镁矿制备重镁水溶液,以此为前驱溶液,采用热分解法制备三水碳酸镁晶须。借助X射线衍射分析（XRD）和扫描电镜（SEM）探究热解时间、重镁水溶液浓度和搅拌速率对产物组成和形貌的影响,并研究结晶动力学。结果表明,在温度50 ℃、热解时间120 min、重镁水质量浓度为2.75~3.39 g/L时,热分解法制备得到平均直径为6.0 μm、平均长度为100 μm的棒状MgCO3·3H2O晶须。随着时间和浓度增加,MgCO3·3H2O晶体表面或整个棒状结构会发生溶解重新形成无定形颗粒,并逐渐形成多孔棒状4MgCO3·Mg（OH）2·3H2O。搅拌速率影响MgCO3·3H2O晶须的产率。MgCO3·3H2O晶体中,[MgO6]正八面体通过Mg-O键以共顶点的方式紧密相连,沿化学键作用力较强的[010]方向无限连接形成长链。结晶动力学线性拟合结果表明重镁水溶液浓度增大,诱导期时间缩短。     

葡聚糖辅助下多孔球状三水碳酸镁晶体制备及机理研究

为获得水溶液法制备多孔三水碳酸镁产品适宜的工艺参数,利用XRD、SEM等分析手段研究镁源、反应温度、反应时间、添加剂种类及用量等因素对产物物相组成及微观形貌的影响。结果表明:以氯化镁作为镁源,碳酸铵为碳源,添加1%的葡聚糖,在反应温度58℃、反应时间200 min的条件下可获得平均直径为10μm、球形度良好的多孔三水碳酸镁晶体。添加剂种类及用量对产物物相组成无影响,但对形貌影响较大。镁源种类、反应温度对产物物相组成和形貌影响显著。生长机理分析表明,葡聚糖在溶液中形成网络结构,[MgO6]正八面体生长基元与葡聚糖链上的羟基作用形成片状晶体;同时,由葡聚糖长链形成的网络状结构对多孔球形成起到限域模板作用,网络状结构使三水碳酸镁生长基元沿葡聚糖链方向生长,最终形成多孔球状三水碳酸镁晶体。     

氯化钙对三水碳酸镁晶体结晶过程的影响

以菱镁矿煅烧所得活性氧化镁为原料,氯化钙为添加剂,采用热分解法制备了MgCO₃·3H₂O晶体,主要研究添加剂种类、氯化钙用量及热解时间对结晶过程的影响,并分析氯化钙的作用机理。借助X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）表征产物的物相结构和微观形貌。结果表明,氯化钙用量为5.0 g/L时,获得表面长着球状颗粒、平均长度45 μm、长径比15的棒状MgCO₃·3H₂O晶体。氯化钙对MgCO₃·3H₂O晶体的定向生长无调控作用,主要通过静电吸附的方式参与MgCO₃·3H₂O晶体的结晶过程,其作用下,诱导期延长,成核速率减缓,生长速率增大。      

菱镁矿复分解法制取药用碳酸镁

以菱镁矿石、碳酸氢铵、硫酸为原料，采用复分解法、母液全循环，有效利用中和、溶解及吸氨、复分解等反应机理，优化工艺条件，严格操作规程，设备选型适宜，减少了三废排放，提高了原料利用率；工艺先进；产品晶型为球形，物化指标达到国内外有关药典要求，视比容在1．4－2．5ml/g范围，具有填充性、流动性和分散性优良等物理使用性能，受到制药企业好评。     

谈用菱镁矿生产轻质碳酸镁和氧化镁

我国菱镁矿资源丰富，矿石氧化镁含量高，采用碳化法以菱镁矿生产轻质碳酸镁和氧化镁．生产成本低。木文介绍了生产工艺过程．指出了其特点。     

微米级三水碳酸镁晶须的合成研究

采用低温水溶液法合成三水碳酸镁晶须,考察了反应温度、反应时间及表面活性剂用量等因素对三水碳酸镁晶须的最大晶须长度及长径比的影响。结果表明,在反应温度为40～50℃、反应时间50～60min、表面活性剂添加量为1%的条件下,可以合成微米级的三水碳酸镁晶须产品。在此基础上,探讨了三水碳酸镁晶须的生长机理。     

温度对三水碳酸镁晶须制备的影响

以低温水热合成为手段,以MgSO4·7H2O和NH4HCO3为原料制备三水碳酸镁晶须,考察了反应温度对三水碳酸镁晶须制备的影响,确定制备三水碳酸镁晶须的最佳温度为50℃,且平均长度为247μm、平均直径为7.2μm、长径比较大,实现了对晶须形貌的控制和性能的优化。     

西藏班戈湖水菱镁矿矿物学研究

为了研究西藏班戈湖地区水菱镁矿的形态、矿石化学成分及矿物组成、主要矿物共生关系及典型特征,采用偏光显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子探针及MLA矿物分析检测系统进行分析.结果表明:水菱镁矿为土块状隐晶质集合体,结晶颗粒非常细小,单体呈单斜板片状,在(001)晶面具有特征倾斜条纹,易发育成具有层状结构的聚片双晶及沿(100)晶面的接触双晶.在水菱镁矿的矿石中,常见文石、白云石等碳酸盐矿物,并常与其呈浸染状共生关系,相互之间分离难度较大.     

三水碳酸镁催化酚醛聚合制备多孔炭及其性能研究

利用水合碳酸镁催化功能及易分解特性,实现间苯二酚-甲醛体系的快速凝胶,通过炭化得到孔隙发达,比表面积大的整体式多孔炭(MCM-Mg)。系统研究了原料浓度、催化剂用量、反应温度、反应时间、炭化温度以及炭化时间工艺等因素对多孔炭性能的影响。结果表明,适宜的制备条件是反应温度85℃、反应时间0.5 h、间苯二酚质量3 g、催化剂用量3 g,炭化温度900℃,炭化时间1.5 h,获得密度为1.23 g/cm³、气孔率为39.71%、收率为29.07%、比表面积为193.475 m²/g,平均孔径为22.696 nm,抗压强度为25.68 Mpa的多孔炭。该工艺具有反应时间短、成本低廉和绿色环保等优点。     

六偏磷酸钠在菱镁矿-白云石体系中的抑制效果及机理研究

为查明六偏磷酸钠在菱镁矿-白云石体系中的抑制效果及作用机理,通过浮选试验研究表明：在菱镁矿-白云石体系中,适量的六偏磷酸钠可有效地抑制白云石的上浮;机理分析检测表明：六偏磷酸钠因大量吸附在白云石表面,使得油酸钠失去与白云石的作用活性点,导致在浮选过程白云石矿浆中的Ca²⁺、Mg²⁺溶解量几乎不变,从而达到矿物分选的目的;同时,试验研究还表明：菱镁矿-白云石体系在NaOH调浆下取得的分选效果要好于Na₂CO₃调浆下取得的效果。     

由菱镁矿制备氧化镁晶须的工艺研究

以菱镁矿、硫酸、碳酸铵为原料,首先合成出片状碱式碳酸镁,在母液中陈化24h后得到碳酸镁晶须.然后在高温箱式电阻炉中,于800℃下煅烧4h得到氧化镁晶须.化学分析、扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射(XRD)表明,该氧化镁晶须具有较高的纯度和良好的结晶状态,其长度和长径比分别可达80μm和20:1.     

菱镁矿制备活性氧化镁研究

研究了不同煅烧温度、煅烧时间所得煅烧产物的X-衍射分析图谱和活性,讨论了煅烧温度和煅烧时间对菱镁矿分解得到的氧化镁性能的影响。采用柠檬酸法和三种不同水化法测定了氧化镁的活性,阐述了氧化镁活性与煅烧温度、煅烧时间之间的关系。结果表明,当煅烧温度为750℃时,由菱镁矿煅烧所得的氧化镁活性最高,在菱镁矿分解完全的情况下,煅烧时间以短为宜。     

颗粒多晶硅气泡强化脱氢机理与方法

针对颗粒硅中氢含量高、难去除、危害大的问题,采用水模型与高温精炼实验,开展了吹气精炼过程气泡强化脱氢机理研究。通过硅熔体高温精炼脱氢实验对硅熔体脱氢动力学进行了分析,发现无吹气脱氢过程符合1.5级动力学模型,证实了脱氢受限于液相中的传质与气液界面处的反应速率,为气泡强化脱氢的提供了理论基础。通过水模型实验开展了气泡行为对强化除气机制的研究,结果表明随着通气量从0.25 L/min上升到1.25 L/min,气泡直径从1.75 cm上升到1.93 cm,容量传质系数从0.135上升到0.337,随着刚玉管通气管孔径从3 mm增加到5 mm,气泡直径从1.92 cm上升到2.21 cm,容量传质系数从0.337下降到0.302,随着刚玉管通气管数量从1根上升到5根,气泡直径从1.46 cm下降到1.23 cm,容量传质系数从0.135增加到0.169,而刚玉管孔距小于气泡直径时,气泡会发生合并,导致容量传质系数下降。基于水模型气泡行为调控方法,开展了硅熔体高温气泡强化脱氢研究,结果表明随着通气量从0.25 L/min上升到1 L/min,除氢率从61.41%上升到71.41%;随着刚玉管孔径从3 mm增加到5 mm,除氢率从71.15%下降到68.97%;随着刚玉管数量从1上升到5,除氢率从71.15%上升到76.35%;当刚玉管孔距大于4 cm时,除氢率保持在76.35%左右,小于4cm时,除氢率保持在72.94%左右,说明气泡强化脱氢方法可以实现颗粒多晶硅中痕量氢的深度去除,从而满足太阳能级多晶硅的要求。     

生物模板法制备纳米Ni粒子的研究

研究了沉积环境、pH值、沉积时间、铁蛋白浓度对生物模板法制备纳米Ni粒子的影响。研究结果表明, 最佳制备条件为: 在N₂保护环境下, 向含2 mg/mL脱铁铁蛋白, pH=8.0的Tris缓冲溶液中加入Ni(Ac)₂, 沉积2.5 h后, 加入还原剂NaBH₄, 得到黑色溶液。将溶液在pH=8.0的Tris缓冲溶液中透析除杂, 就可以制备出黑灰色的含Ni的铁蛋白溶液。利用Zeta激光粒度仪测试、TEM检测和EDX分析, 表明制备的纳米Ni样品具有平均粒径5 nm, 粒度分布均匀, 分散性好的特点。     

菱镁矿阶梯化煅烧制备活性氧化镁

利用菱镁矿通过阶梯化升温保温的煅烧方式制备活性氧化镁。首先分析TG-DTG曲线得出菱镁矿的主要分解温度为550~700℃;然后根据主要分解温度范围分别预设不同的煅烧温度和保温时间,计算分解率,并利用水合法测定氧化镁的活性。最后综合考虑菱镁矿分解率和氧化镁活性两方面因素,得出最佳煅烧条件为:550℃保温7 h,升到650℃后保温2 h。     

氢气泡模板法电沉积制备三维多孔铜的工艺参数研究

采用硫酸铜电解液,在高度阴极极化条件下,利用阴极析出的氢气泡"模板"电解沉积制备三维多孔铜。研究了电流密度、电沉积时间以及添加剂(Cl^-、PEG)对多孔铜孔径、孔壁结构以及铜晶粒形貌的影响。结果表明,在0.4 mol/L CuSO₄、1 mol/L H₂SO₄组成的基础电解液中,以纯铜作阳极、纯镍作阴极,当电流密度为3 A/cm²时,通电25 s可在阴极上制备出平均孔径为53μm的多孔铜。向电解液中加入Cl^-,会使多孔铜结构变得致密和光滑,但会使孔径过度增加;加入PEG,微孔结构变得比较规则,孔径也明显减小,但多孔铜结构不致密;在120 mg/L Cl^-和80 mg/L PEG的协同作用下,可制得孔隙分布均匀、孔壁致密光滑的多孔铜。     

一维纳米氧化锌制备方法及生长机理浅析

氧化锌(ZnO)是一种优良半导体材料,一维纳米结构ZnO因其极大地应用前景,更是引起了研究者的高度关注与深入研究。归纳、分析一维纳米ZnO的气相、液相、固相三类制备方法及其生长机理,深刻剖析气相制备方法的三种生长机制及其研究概况,为实现一维纳米ZnO的可控制备提供研究基础,对一维纳米ZnO制备方法的研究具有一定的理论指导意义。     

结晶锆棒的碘化制备技术

碘化法制备结晶锆是提纯金属锆的有效方法之一,制备的结晶锆具有纯度高、气体杂质含量低、加工性能好等优点。以海绵锆为原料,通过碘化提纯,制备的金属锆纯度可达到99.9%。本文简述了碘化法生产锆晶棒的原理,并重点对碘化设备和碘化提纯影响因素的研究进展进行了综述。     

碳化法处理巴盟菱镁矿

采用碳化法处理巴盟菱镁矿,以煅烧制得的轻烧镁为原料,经消化、碳化、浸出和煅烧后,可获得MgO品位大于99.41％的高纯活性产品,MgO回收率达61.34％。其最佳工艺条件：煅烧温度800 ℃,轻烧时间2.5 h,振动磨磨矿时间2.5 min,消化时间30 min,重镁水加温温度150 ℃,CO₂通气量8 L/min,通气时间3 min,固液比60∶1,二次碳化的pH值7.0。