用喔星锌作发光层的有机电致发光薄膜器件的研究

用喔星锌（Ｚｎｑ２）作发光材料,做出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａｌ结构的有机电致发光薄膜器件,测量了它的伏安特性,电光特性曲线及其电致发光光谱,同时也测量了喔星锌在粉末和薄膜状态下的荧光光谱、激发光谱、吸收光谱。     

有机电致发光薄膜器件的研究

有机电致发光薄膜具有制备方便,驱动电压低,发光亮度高,可以和合物基底匹配等优点,成为目前世界显示技术的一大研究热点。论述了有机发光薄膜器件的结构、工作机理及其膜电致发光薄膜电致,光致发光的特性,论述了薄膜发光器件的电学科技司与光学特性及其器件在脉冲电压波形驱动下的电光特性,提出了应用于显示技术的有机电致光薄膜器件的电不于光学特性的优化方法。     

有机电致发光薄膜器件的研究

有机电致发光薄膜具有制备方便,驱动电压低,发光亮度高,可以与聚合物基底匹配等优点,成为目前世界显示技术的一大研究热点。论述了有机发光薄膜器件的结构、工作机理及其薄膜电致,光致发光的特性,论述了薄膜发光器件的电学特性与光学特性及其器件在脉冲电压波形驱动下的电光特性,提出了应用于显示技术的有机电致发光薄膜器件的电学于光学特性的优化方法。     

有机聚合物电致发光薄膜的研究进展

概述了聚合物电致发光薄膜器件的结构、材料、发光机理、目前研究的状况、出现的问题以及研究的发展趋势     

喹啉梓有机电致发光薄膜器件的时间特性分析

用喹啉锌作发光材料,制备出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａ１结构的有机电致发光薄膜器件,分析并测量了它的伏安时间特性,电光时间特性,并与ＬＥＤ器件的电致发光时间特性进行了比较。实验表明有机薄膜发光的电光时间效应与ＬＥＤ器件相比有其特殊性。     

关于有机薄膜电致发光机理的定性分析

观测了有机电致发光薄膜器件的电流变化和相对应的发光变化特性 ,并作了定性分析 ,提出了类 PN结正向导通发光的有机薄膜电致发光机理的模型     

有机薄膜电致发光器件

将无机薄膜电致发光器件和有机薄膜电致发光器件作了一个比较,并给出了有机薄膜我器件的基本结构及其功能层材料选择的依据。最后分析了一个实际制备的双层器件。     

喹啉锌有机电致发光薄膜器件的时间特性分析

用喹啉锌（Ｚｎｑ２）作发光材料,制备出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａ１ 结构的有机电致发光薄膜器件,分析并测量了它的伏安时间特性,电光时间特性,并与ＬＥＤ器件的电致发光时间特性进行了比较。实验表明有机薄膜发光的电光时间效应与ＬＥＤ器件相比有其特殊性。     

利用磷光材料提高有机薄膜电致发光效率的研究进展

激活有机分子三重态可提高有机电致发光薄膜器件的发光效率。概述了有机电致磷光薄膜器件的结构、材料、提高器件电致发光效率的原理,目前的研究状况、存在的问题和研究的发展趋势。     

稀土有机配合物作发光层的有机电致发光薄膜的研究进展

概述了稀土有机配合物电致发光薄膜器件的材料、结构、发光机理。介绍了目前研究的状况、出现的问题以及研究的发展趋势     

Needle-Tunneling法膜系自动设计

综述了Ｎｅｅｄｌｅ和Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ 法膜系自动设计的基本原理,举出它们的应用实例,并且指出一个优秀的光学膜系自动设计程序应该包括Ｎｅｅｄｌｅ 法、Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ 法和传统的优化方法。它们的结合和交叉使用,使我们有可能从单层膜开始设计任意光学性能的多层膜。     

微机械薄膜低应力工艺及技术的研究

本文研究了硅表面微机械加工薄膜的形成工艺及技术。通过调整各种薄膜生长、掺杂以及退火的条件，得到了较低的薄膜残余应力（ＬＰＣＶＤ多晶硅膜３０ＭＰａ压应力，ＬＰＣＶＤ富硅氮化硅帮ＰＥＣＶＤ氮化硅膜约１００ＭＰａ张应力，Ａｌ膜在３０ＭＰａ范围内由压应力到张应力变化）。另外，采用了复合膜和纹膜技术，用于大幅度地降低薄膜应力，取得了预计的结果。     

高性能薄膜压力传感器设计与工艺

介绍了基于离子束溅射工艺，生产高性能薄膜压力传感器的设计与工艺要点，提供实例及若干关键数据     

S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器

本文分析了薄膜温度传感器制造的难点，提出降低内应力的方法，应用正交试验技术得出了最佳工艺条件，应用Ｓ枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为１００Ω、５００Ω、１０００Ω的镍薄膜电阻元件，其电阻温度系数达到德国ＤＩＮ４３７６０标准。     

从欧洲真空镀膜会议分析光学薄膜及其技术的研究和发展

简要介绍了９６ 年欧洲真空镀膜会议概况,结合９４ 年第一届欧洲真空镀膜专题讨论会的内容,对欧洲各国在光学薄膜和薄膜技术的研究动向作了介绍;并介绍了广泛应用于激光、红外及航天等高技术中的类金刚石和金刚石薄膜、软Ｘ射线多层膜的研究成果。     

ITO透明导电膜高速成膜的研发

论述了一种采用低能量大束流高密度等离子体作为离子辅助沉积技术、沉积ＩＴＯ薄膜的方法。实验结果表明离子轰击可以有效地增加薄膜的聚集密度,同时减低薄膜的电阻率。此外,高密度等离子体促进了ＩＴＯ薄膜制备过程的氧化,进而大大提高了ＩＴＯ薄膜的沉积速度。     

薄膜磁敏元件基片的选择与制备

本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求，依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片，上部制备SiO2作绝缘膜。重点讨论了用射频溅射法制备SiO2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验，给出实验结果。     

光纤传感用的TiO2：V2O5湿敏光学薄膜

用溶胶—凝胶法制备ＴｉＯ２∶Ｖ２Ｏ５光学薄膜，研究了它的湿敏光学特性，并用表面吸附理论、电子理论较好地解析了湿敏—光学特性机理。     

TiO2—K2O—LiZnVO4陶瓷薄膜的制备及其湿敏性能研究

采用溶胶凝胶法制备了ＴｉＯ２－Ｋ２Ｏ－ＬｉＺｎＶＯ４陶瓷薄膜湿敏元件,研究了薄膜的结构和元件的感湿性能。薄膜主要由金红石型ＴｉＯ２构成,化学组成为Ｔｉ：Ｋ：Ｌｉ：Ｚｎ：Ｖ：Ｏ＝１：０．０４：０．１：０．１：０．１：２．４２（原子摩尔比）。工作频率为４０Ｈｚ时,湿敏元件在全湿度范围内具有良好的阻抗一湿度特性及电容－湿度特性,感湿特性曲线线性良好。元件还具有灵敏度高,滞后小,响应快,长期稳定性好等优点