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设计了一种全集成差分高速环形压控振荡器(VCO).采用三级延迟单元环路复用结构,通过正反馈技术以及改变负载电阻值的方法,有效优化延迟单元;采用双控制电压粗/细调谐方式,实现振荡器高频率、低功耗的要求.在SMIC 0.18μm CMOS RF工艺模型下,采用ADS软件对振荡电路进行仿真,在外接电源电压Vdd=1.8 V时... 相似文献
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11GHz CMOS环形压控振荡器设计 总被引:2,自引:2,他引:0
设计了一种全差分高速环形压控振荡器(VCO).该VCO有三级,每一级的增益是快慢通路增益的矢量叠加和,快慢通路的增益由底部电流源决定,差分控制电压通过镜像电流源控制快慢通路的各自电流,最终实现对振荡频率的调节.分析了VCO的工作原理及其相位噪声.电路采用TSMC公司0.18μm标准CMOS工艺制作.测试结果显示:芯片工作频率为10.88~11.72GHz,相位噪声为-101dBc/Hz@10MHz,输出信号抖动为3.8ps rms,在1.8V电源电压下的直流功耗约为75mW.该VCO可以应用于锁相环和频率合成器中. 相似文献
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设计了一种全差分高速环形压控振荡器(VCO).该VCO有三级,每一级的增益是快慢通路增益的矢量叠加和,快慢通路的增益由底部电流源决定,差分控制电压通过镜像电流源控制快慢通路的各自电流,最终实现对振荡频率的调节.分析了VCO的工作原理及其相位噪声.电路采用TSMC公司0.18μm标准CMOS工艺制作.测试结果显示:芯片工作频率为10.88~11.72GHz,相位噪声为-101dBc/Hz@10MHz,输出信号抖动为3.8ps rms,在1.8V电源电压下的直流功耗约为75mW.该VCO可以应用于锁相环和频率合成器中. 相似文献
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低噪声CMOS环型压控振荡器的设计 总被引:3,自引:3,他引:3
应用增益补偿技术,设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器,该电路具有较低的压控增益,较好的线性,较强的噪声抑制能力。采用lstsilicon 0,25μmCMOS工艺进行仿真,结果显示:在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为一108dBc。 相似文献
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设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声.电路设计采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺.仿真结果表明:在工作电压为1.8 V时,直流功耗为9 mW,压控振荡器的频率范围870~1500 MHz(53%),调谐增益在67 MHz/V至72 MHz/V之间.相位噪声优于-100 dBc/Hz@100 kHz. 相似文献
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提出了一个基于0.18μm标准CMOS工艺实现的四级差分环形压控振荡器.全差分环形压控振荡器采用带对称负载的差分延时单元.仿真结果表明,压控振荡器的频率范围在最坏情况为0.21~1.18GHz;偏离中心频率10MHz情况下,压控振荡器的相位噪声为-118.13dBc/Hz; 1.8V电源电压下,中心频率为600MHz时,压控振荡器的功耗仅有4.16mW;版图面积约为0.006mm2.可应用于锁相环和频率综合器设计中. 相似文献
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本文简要叙述了工作于UHF频段锁相环路中CMOS压控振荡器的构造机制和主要性能指标,阐述了一种基于相位噪声最优的设计策略。 相似文献
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设计了一种基于65 nm CMOS工艺的交叉耦合全差分40 GHz压控振荡器(VCO)。为了减小仿真结果与测试结果的差距,对电感及其连接其他元件而延长的金属线在电磁场仿真软件里重新进行了仿真。设计中应用了厚栅容抗管来增大电压的调谐范围,从而实现更高的频率覆盖范围。流片后的测试结果表明,VCO的振荡频率覆盖38.4~43.4 GHz,调谐范围达到12.2%,符合基于无线局域网IEEE 802.11ad标准设计的两级下变频60 GHz无线收发机对本振频率的要求。当振荡频率为39 GHz时,应用该VCO的锁相环锁定在41.76 GHz时测得1 MHz偏移频率处的相位噪声为-90.9 dBc/Hz。芯片采用1 V电源电压供电,功耗为5.7~8.6 mW,核心芯片面积为(0.197×0.436) mm2。 相似文献
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4.2GHz 1.8V CMOS LC压控振荡器 总被引:1,自引:0,他引:1
基于Hajimiri提出的VCO相位噪声模型,分析了差分LC VCO电路参数对于相位噪声的影响。根据前面的分析,详细介绍了LC VCO电路的设计方法:包括高Q值片上电感的设计、变容MOS管的设计以及尾电流的选取。采用SMIC 0.18μm 1P6 M、n阱、混合信号CMOS工艺设计了一款4.2GHz 1.8V LC VCO。测试结果表明:当输出频率为4.239GHz时,频偏1MHz处的相位噪声为-101dBc/Hz,频率调节范围为240MHz。 相似文献
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本文介绍了一种改进LC振荡器设计方法,谐振回路采用非对称电容结构,与常见的振荡器结构相比,经改进的电路结构可以获得更好的相位噪声。本文基于CMOS工艺,设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现的差分LC压控振荡器,工作电压为2.5v。经仿真证明,通过调整非对称电容谐振回路中的电容值,可以获得最优的相位噪声 相似文献
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设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化。设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声和调谐宽度均达到了较高的性能指标。结果表明,在1.2 V工作电压下,设计的VCO的尾电流为3 mA,输出振荡频率为2.24~2.57 GHz,中心频率约为2.4 GHz,调谐范围达到13.7%。 相似文献
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采用CSMC0.18μm混合信号工艺。设计了一款应用于频率综合器的单片集成宽带压控振荡器。电路采用互补交叉耦合结构,各部分都经过精心构架,如管子的尺寸,元件的布局,电流源的大小等等,以获得最佳的相位噪声性能。振荡器采用多段调节的方式,实现1.5~2.1GHz的宽带调谐。仿真结果表明,在电源电压1.8V的情况下,压控振荡器的中心频率为1.8GHz。中心频率附近(600kHz),相位噪声达到-121dBc/Hz,振荡器的工作电流为1.4mA。 相似文献
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压控振荡器是锁相环电路的关键的组成部分之一,采用新的电流复用结构,可以明显降低该电路的功耗,而且由于没有尾电流,新结构还能有效改善电路的相位噪声.在TSMC 0.18 CMOS 1P6M工艺下的仿真结果表明:在1.25 V供电电压下振荡器的调节范围是2.26 GHz到2.76 GHz,在频偏1 MHz处的相位噪声为--130 dBc/Hz,平均功耗不超过1.2 mW. 相似文献